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LMG1020

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具有 60MHz/1ns 速度的 5V、7A/5A 低侧 GaN 驱动器

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产品详细信息

Number of channels (#) 1 Power switch MOSFET, GaNFET Peak output current (A) 7 Input VCC (Min) (V) 4.75 Input VCC (Max) (V) 5.25 Features low-side, ultra-fast Operating temperature range (C) -40 to 125 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 0.4 Prop delay (ns) 2.5 Input threshold TTL Channel input logic Inverting, Non-inverting Input negative voltage (V) 0 Rating Catalog Undervoltage lockout (Typ) 3.5 Driver configuration Low Side
Number of channels (#) 1 Power switch MOSFET, GaNFET Peak output current (A) 7 Input VCC (Min) (V) 4.75 Input VCC (Max) (V) 5.25 Features low-side, ultra-fast Operating temperature range (C) -40 to 125 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 0.4 Prop delay (ns) 2.5 Input threshold TTL Channel input logic Inverting, Non-inverting Input negative voltage (V) 0 Rating Catalog Undervoltage lockout (Typ) 3.5 Driver configuration Low Side
DSBGA (YFF) 6 0 mm² 1.295 x .895
  • 用于 GaN 和硅质 FET 的低侧、超快栅极驱动器
  • 1ns 最小输入脉冲宽度
  • 工作频率高达 60MHz
  • 传播延迟：典型值 2.5ns，最大值 4.5ns
  • 典型上升和下降时间 400ps
  • 7A 峰值拉电流和 5A 峰值灌电流
  • 5V 电源电压
  • UVLO 和过热保护
  • 0.8mm × 1.2mm WCSP 封装
  • 用于 GaN 和硅质 FET 的低侧、超快栅极驱动器
  • 1ns 最小输入脉冲宽度
  • 工作频率高达 60MHz
  • 传播延迟：典型值 2.5ns，最大值 4.5ns
  • 典型上升和下降时间 400ps
  • 7A 峰值拉电流和 5A 峰值灌电流
  • 5V 电源电压
  • UVLO 和过热保护
  • 0.8mm × 1.2mm WCSP 封装

LMG1020 器件是一款单通道低侧驱动器，专为在高速 应用 （包括 LiDAR、飞行时间、面部识别和任何涉及低侧驱动器的功率转换器）中驱动 GaN FET 和逻辑电平 MOSFET 而设计。LMG1020 设计简约，可实现 2.5 纳秒的极快传播延迟和 1 纳秒的最小脉冲宽度。通过分别在栅极与 OUTH 和 OUTL 之间连接外部电阻器，可针对上拉和下拉沿来独立调节驱动强度。

该驱动器 提供 过载或故障情况下的欠压锁定 (UVLO) 和过热保护 (OTP)。

LMG1020 的 0.8mm × 1.2mm WCSP 封装可最大限度地降低栅极回路电感并最大限度地提高高频功率密度 要求。

LMG1020 器件是一款单通道低侧驱动器，专为在高速 应用 （包括 LiDAR、飞行时间、面部识别和任何涉及低侧驱动器的功率转换器）中驱动 GaN FET 和逻辑电平 MOSFET 而设计。LMG1020 设计简约，可实现 2.5 纳秒的极快传播延迟和 1 纳秒的最小脉冲宽度。通过分别在栅极与 OUTH 和 OUTL 之间连接外部电阻器，可针对上拉和下拉沿来独立调节驱动强度。

该驱动器 提供 过载或故障情况下的欠压锁定 (UVLO) 和过热保护 (OTP)。

LMG1020 的 0.8mm × 1.2mm WCSP 封装可最大限度地降低栅极回路电感并最大限度地提高高频功率密度 要求。

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