氮化镓 (GaN) 智能电源模块 (IPM)

借助我们的集成式氮化镓 (GaN) 智能电源模块 (IPM),更大限度地提升高压电机驱动应用的电源效率

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我们的集成式 GaN IPM 可实现 99% 以上的逆变器效率,无需外部散热器,并可改善热性能、降低功率损耗。先进的集成和更高的功率密度可缩减解决方案尺寸和系统级成本。超低的死区时间和传播延迟可通过减少电流谐波和更高精度的电流检测来提高声学性能。更高的电源效率、零反向恢复、精确的压摆率控制以及短路和过流保护可提高系统可靠性并延长电机驱动的使用寿命。
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氮化镓 (GaN) IC

利用我们各种功率级别的 GaN 功率器件产品系列,更大限度地提高功率密度和效率。

DRV7308
氮化镓 (GaN) 智能电源模块 (IPM)

具有保护和电流检测功能的 650V、205mΩ 三相集成式 GaN 智能电源模块 (IPM)

价格约为 (USD) 1ku | 5.5

我们 GaN IPM 的优势

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提高系统效率

我们的智能电源模块集成了具有低导通电阻的高压 GaN 器件,与 IGBT 或 MOSFET 模块相比,可将逆变器效率提高 2%,并将功率损耗降低 50% 或以上。

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延长电机驱动的使用寿命

集成的压摆率控制和多级保护有助于减少电机发热、更大限度提高电源效率并在电机使用寿命期间增强绝缘。

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实现安静精确的电机运行

实现具有低传播延迟的精确电流检测,并通过低死区时间减少电流谐波。低占空比支持可实现更宽的电机转速范围。

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提高功率密度并降低系统成本

通过省去散热器并集成电流检测放大器和保护功能,将系统尺寸减小多达 60%。

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