ZHDA260 August 2026 ADS125H18
节 2.2.2 描述了在端子块和 ADC 输入引脚之间未安装无源器件的情况下使用标准 ADS125H18 EVM 时的 OWCS 性能。不过,许多工业系统的输入端包含用于噪声抑制或其他目的的电容器。图 2-10 展示了一个系统示例,其中在 AIN8 和 AIN9 模拟输入之间安装了一个红色差分电容器,在每个输入和接地之间安装了蓝色共模(单端)电容器。ADS125H18 EVM 为这些元件提供默认未组装的空间。
在模拟输入端添加电容有助于降低噪声,但代价是电容器充电会增加建立时间。当电流源 (OWCS) 接通时,这种行为会影响测量,因为电容器无法瞬间充电至所需的电压。当 OWCS 关断时,也可以测量这种影响,因为电容器不能瞬时放电。
ADS125H18 EVM 上安装了多个电容器,用于测量输入电容对 OWCS 检测行为的影响。否则,使用的设置与节 2.2.2开头列出的设置相同。首先,通过在禁用 OWCS 的情况下进行 512 次转换,然后在启用 OWCS 的情况下进行 512 次转换来测量正输入通道。接下来,通过在禁用 OWCS 的情况下进行 512 次转换,然后在启用 OWCS 的情况下进行 512 次转换来测量负输入通道。我们对禁用 OWCS 时的 1024 次转换取平均值,对启用 OWCS 时的 1024 次转换取平均值。然后使用方程式 1 计算两个 OWCSDelta_Diff 值,并通过重新排列方程式 13 中的项转换为预测的 RSOURCE_OWCS 值。表 2-14 显示了当 RSOURCE = 800kΩ 时,在 3 个不同的 ODR 和 4 个不同输入电容值上测得的平均结果:
| 输入电容 (nF) | ODR = 1.6kSPS | ODR = 12.5kSPS | ODR = 50kSPS | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| OWCSDelta_Diff | RSOURCE_OWCS (kΩ) | OWCSDelta_Diff | RSOURCE_OWCS (kΩ) | OWCSDelta_Diff | RSOURCE_OWCS (kΩ) | ||
| 1 | 24.00% | 616.53 | 24.00% | 611.37 | 23.97% | 528.68 | |
| 10 | 23.96% | 318.14 | 23.89% | 324.16 | 23.67% | 0.00 | |
| 100 | 23.89% | 515.54 | 23.41% | 0.00 | 22.86% | 0.00 | |
| 1000 | 23.29% | 0.00 | 22.62% | 0.00 | 22.48% | 0.00 | |
表 2-14 表明 OWCSDelta_Diff 值随数据速率和输入电容的变化而有很大差异。例如,当 ODR = 1.6kSPS 且输入电容 = 1nF 时,预测的 RSOURCE_OWCS 值为 616.53kΩ。此结果约为理想 800kΩ RSOURCE 值的 77%。但是,当 ODR = 50kSPS 且输入电容= 1000nF 时,预测的 RSOURCE_OWCS 值为 0Ω,表示完全短路!逐点查看数据有助于阐明不同参数之间存在如此大差异的原因。
图 2-25 逐点绘制了 4 个不同输入电容值在 RSOURCE = 800kΩ 和 ODR = 12.5kSPS 时的 OWCSDelta_Diff 值:1nF、10nF、100nF 和 1000nF。
图 2-25 显示了输入电容对 OWCS 行为的显著影响,以及表 2-14 中列出的结果存在如此极端变化的原因:
这些结论是合理的,因为电容器时间常数会随着输入电容的增加而增加,从而导致稳定时间延长。
如前所述,在安装输入电容器的情况下更改 ODR 也会影响 OWCS 性能。图 2-26 绘制了 3 个不同 ODR 的 RSOURCE = 800kΩ 和输入电容 = 10nF 时的 OWCSDelta_Diff 值:1.6kSPS、12.5kSPS 和 50kSPS。曲线图 x 轴以毫秒为单位,可清楚地指示 ADC 捕获的充电行为。此外,所有图表都从同一点开始并相互叠加。
同样,这些结果是合理的,因为即使电容器时间常数保持不变,ADC 采样时间也会随着 ODR 的增加而减少。因此,随着数据速率的增加,ADC 捕获的电容器充电行为更多、稳态行为更少,从而导致测量不太稳定。
如前所述,输入电容确实有助于降低噪声。图 2-27 绘制了在 RSOURCE = 800kΩ 且 ODR = 12.5kSPS 下禁用 OWCS 且具有 4 个不同输入电容值时测得的 ADC 代码点曲线:1nF、10nF、100nF 和 1000nF。
图 2-27 定性地表明,噪声扩散会随着输入电容的增加而降低。具体而言,当输入电容 = 1nF 时的 RMS 噪声为 265.39 个代码,而当输入电容 = 1000nF 时的 RMS 噪声仅为 16.97 个代码。设计人员必须注意在输入电容器的降噪优势与电容器稳定带来的挑战之间取得平衡。