ZHDA166 June   2026 ISOW1050 , ISOW3080 , ISOW6441

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2通过电路板设计技术增强 EMC 性能
    1. 2.1  引脚 1 和引脚 16 上的高频去耦电容器
    2. 2.2  电容器组及相对布局
    3. 2.3  电源轨上的铁氧体磁珠 π 型滤波器
    4. 2.4  铁氧体磁珠下方的隔离铜岛 (KOZ)
    5. 2.5  CAN/RS-485 电缆上的共模扼流圈（ISOW3080 和 ISOW1050 器件）
    6. 2.6  隔离岛后侧电容器
    7. 2.7  I/O 走线上的串联电阻器或低通滤波器
    8. 2.8  GND1 与 GND2 之间的 Y 型电容器（安全关键型）
    9. 2.9  层间电容器（隔离区域中的基板电容器）
    10. 2.10 VDD 输入轨上的 100µF 大容量电容器
  6. 3总结
  7. 4参考资料

2.4 铁氧体磁珠下方的隔离铜岛 (KOZ)

铁氧体磁珠用于衰减并阻止大共模电流环路的形成。当铁氧体磁珠将器件与 PCB 其余部分隔开时，其前后所有的电源和接地平面都必须在整个 PCB 中保持分离。这可以防止因平面间电容耦合而形成替代性共模电流环路（该环路会旁路铁氧体磁珠）。即使对侧的覆铜之间仅存在 0.1pF 寄生电容，也会使铁氧体磁珠失去作用。图 2-2 突出显示了分隔内侧和外侧平面的禁布区，它们之间留有充裕的空间。

ISOW6441 ISOW3080 ISOW1050 ISOW1050DWEEVM 电路板布局参考（展示了 KOZ）图 2-2 ISOW1050DWEEVM 电路板布局参考（展示了 KOZ）

ISOW6441、ISOW3080、ISOW1050 评估板的顶层和底层覆铜中均特意留出了间隙。这是特意设置的禁布区，用于避免寄生电容。