高压

生产工作电压超过 650V 的器件存在一个特殊的挑战。严格遵守有关引线间距和封装设计的行业标准才能防止封装外部产生电弧。在封装内部，专用的模塑化合物等材料必须能够在长时间的高温、高湿和大偏置电压条件下防止电介质击穿。对封装结构进行精确的电场分析有助于防止封装内部产生电弧。

图 17 显示了采用 QFN 封装的 LMG3624 650V、170mΩ GaN FET，它使用特殊的高压塑料和引线间距。此外，集成了驱动器和保护功能的 LMG3650R035 650V、35mΩ GaN FET 采用带有散热焊盘的晶体管外形无引线 (TOLL) 封装，可支持高达 36A 的电流，而且具有更出色的散热性能。

图 17 650V、170mΩ GaN FET 采用 QFN 封装，可在实现微型化的同时保持引线间距，以支持高电压。TI 带散热焊盘的 TOLL 封装中的 650V 35mΩ GaN FET 支持更高的电流，并改善了热管理。