ZHCY146A April   2021  – December 2023 LM25149 , LM25149-Q1 , LM5156-Q1 , LM5157-Q1 , LM53635-Q1 , LM60440-Q1 , LM61460-Q1 , LM61495-Q1 , LMQ62440-Q1 , LMR33630-Q1 , LMS3655-Q1 , TPS55165-Q1 , UCC12040 , UCC12050

 

  1.   1
  2.   概述
  3.   内容概览
  4.   什么是 EMI？
  5.   在低频和高频范围内降低 EMI 的传统方法
  6.   降低低频发射的创新技术
  7.   展频
  8.   有源 EMI 滤波
  9.   消除绕组
  10.   降低高频发射的创新技术
  11.   HotRod™ 封装
  12.   增强型 HotRod QFN
  13.   集成式输入旁路电容器
  14.   有效的压摆率控制
  15.   EMI 建模功能
  16.   采用 WEBENCH® 设计工具的低频 EMI 设计
  17.   数据表中发布的传导和辐射 EMI 结果
  18.   结语
  19.   低 EMI 的主要产品类别

有效的压摆率控制

尽管有上述技术，但在某些设计中，高频 EMI（60MHz 至 250MHz）可能仍会超出指定的标准限制。缓解和提高裕度以满足行业标准要求的一种方法是，使用一个电阻器与开关转换器的自举电容器串联。使用电阻器可以降低开关边沿的压摆率，从而降低 EMI，但也会降低效率。

LM61440-Q1 和 LM62440-Q1 等开关转换器可以在开启期间使用电阻器来选择高侧 FET 驱动器的强度。如图 23 所示，通过 RBOOT 引脚（青色虚线环路）消耗的电流成倍增加并通过 CBOOT（红色虚线）消耗，以开启高侧功率 MOSFET。这样，该电阻器就可以控制压摆率，但不会遭受串联启动电阻器消耗大部分电流时发生的效率损失。RBOOT 与 CBOOT 发生短路时，上升时间很短；直到高于 150MHz 时，开关节点谐波才会滚降。如果 CBOOT 和 RBOOT 通过 700Ω 的电阻器保持连接，则在将 13.5V 转换为 5V 时，转换时间增加到 10ns。该较长的上升时间使开关节点谐波中的能量在大多数情况下都能在 50MHz 附近滚降。

GUID-20231208-SS0I-Z2KQ-KNHS-9SJCJD6BG7SM-low.gif图 22 未集成和集成旁路电容器时 LMQ62440-Q1 器件的辐射 EMI 性能。
GUID-20231208-SS0I-FTVK-SBRG-MMC52P2DNMV9-low.gif图 23 LM62440 中的有效压摆率控制实现 (a)；采用有效压摆率控制的开关节点振铃降低 (b)。