ZHCY146A April   2021  – December 2023 LM25149 , LM25149-Q1 , LM5156-Q1 , LM5157-Q1 , LM53635-Q1 , LM60440-Q1 , LM61460-Q1 , LM61495-Q1 , LMQ62440-Q1 , LMR33630-Q1 , LMS3655-Q1 , TPS55165-Q1 , UCC12040 , UCC12050

 

  1.   1
  2.   概述
  3.   内容概览
  4.   什么是 EMI？
  5.   在低频和高频范围内降低 EMI 的传统方法
  6.   降低低频发射的创新技术
  7.   展频
  8.   有源 EMI 滤波
  9.   消除绕组
  10.   降低高频发射的创新技术
  11.   HotRod™ 封装
  12.   增强型 HotRod QFN
  13.   集成式输入旁路电容器
  14.   有效的压摆率控制
  15.   EMI 建模功能
  16.   采用 WEBENCH® 设计工具的低频 EMI 设计
  17.   数据表中发布的传导和辐射 EMI 结果
  18.   结语
  19.   低 EMI 的主要产品类别

HotRod™ 封装

降低高频发射的主要方法之一是更大程度地减小电源环路电感。TI 提供的 LM53635-Q1、LMS3655-Q1、LM61495-Q1、LMR33630-Q1 和 LM61460-Q1 等降压转换器从键合线封装改用基于引线框的倒装芯片 (HotRod) 封装，有助于降低电源环路电感，进而降低开关节点振铃。

HotRod 封装翻转硅片并将其直接放置在引线框上，从而更大程度地减小由运行开关电流的引脚上的键合线引起的寄生电感。图 17 展示了 HotRod 封装的结构和优势。除改善电源环路电感之外，HotRod 式封装还有助于降低电源路径中的电阻，从而提高效率并减小解决方案尺寸。

GUID-20231208-SS0I-6LRK-4M1Q-VWBC5T2KSB9G-low.gif图 17 标准 QFN，带接合线，可电气连接至裸片 (a)；HotRod 封装，引线框和裸片之间带有铜柱和倒装芯片互连 (b)。

采用 HotRod 封装器件的另一项优势是，这些器件易于实现并行输入路径引脚排列（直流/直流转换器输入电容器的布局布置）。通过优化直流/直流转换器的引脚排列使输入电容器的布局对称，输入电源环路产生的反向磁场就会处于对称环路中，从而更大程度地降低对附近系统的发射。并行输入路径可进一步降低高频 EMI，尤其是在更严格的 FM 频带中，如图 18 所示。

GUID-20231208-SS0I-XJ0C-TVL3-PHM4HJSCKPZH-low.gif图 18 并行输入路径对 SMPS 中 EMI 的影响。