ZHCUCY1D January 2018 – April 2025 LMG1020
| 数量 | 指示符 | 说明 | 器件型号 |
|---|---|---|---|
| 1 | C1 | 陶瓷电容器，10µF，25V，±10%，X7R，1206 | 885012208069 |
| 2 | C2、C3 | 电容器，陶瓷，0.01µF，100V，±1%，C0G/NP0，0805 | C0805C103F1GACTU |
| 1 | C4 | 馈通电容器，0.47µF，6.3V，SMD | YFF18PW0J474M |
| 4 | C6、C7、C8、C9 | 陶瓷电容器，0.1µF，100V，±10%，X7R，0603 | GRM188R72A104KA35D |
| 1 | C10 | 陶瓷电容器，1µF，10V，±20%，X5R，0306 | LWK107BJ105MV |
| 1 | C11 | 陶瓷电容器，20pF，50V，+±5%，C0G/NP0，0402 | GRM1555C1H200JA01D |
| 1 | C12 | 陶瓷电容器，0.1µF，25V，±10%，X7R，0603 | GRM188R71E104KA01D |
| 1 | D1 | 二极管，肖特基，100V，2A，PowerDI123 | DFLS2100-7 |
| 4 | H1、H2、H3、H4 | Bumpon，半球形，0.44 X 0.20，透明 | SJ-5303 (CLEAR) |
| 1 | J1 | 端子块，2.54mm，2 x 1，黄铜，TH | OSTVN02A150 |
| 1 | J2 | 端子块，2 x 1，5.08mm，TH | 282841-2 |
| 1 | J3 | 接头，100mil，2 x 1，镀金，TH | HTSW-102-07-G-S |
| 1 | Q1 | MOSFET，N 沟道，200V，8.5A，2.766 x 0.68 mm | EPC2019 |
| 2 | R1、R2 | 电阻器，0，5%，0.05W，0201 | ERJ-1GE0R00C |
| 0 | R5、R6、R7、R8 | 电阻器，4.02Ω，0.5%，0.1W，0603 (DNP) | RT0603DRE074R02L |
| 1 | R9 | 电阻器，4.99kΩ，1%，0.1W，0603 | CR0603-FX-4991ELF |
| 1 | R10 | 电阻器，0Ω，5%，0.063W，0402 | CRCW04020000Z0ED |
| 1 | TP1 | 测试点，微型，SMT | 5015 |
| 2 | TP2、TP5 | 测试点，紧凑型，红色，TH | 5005 |
| 2 | TP3，TP7 | 测试点，紧凑型，黑色，TH | 5006 |
| 3 | TP4、TP6、TP8 | 测试点，尾纤 | 测试点_尾纤 |
| 1 | U1 | 采用 SOT-23 封装的微功耗 100mA 超低压降稳压器，DBV0005A (SOT-23-5) | LP2981AIM5-5.0/NOPB |
| 1 | U2 | 采用 WCSP 封装的高速栅极驱动器，YFF | LMG1020YFFR |
| 1 | U3 | 单路 2 输入正与门，DCK0005A (SOT-5) | SN74LVC1G08DCKR |
| 0 | C5 | 电容器，铝，4.7µF，100V，±20%，SMD | UUX2A4R7MCL1GS |
| 0 | FID1、FID2、FID3 | 基准标记。没有需要购买或安装的元件。 | 不适用 |
| 0 | R3 | 电阻器，10Ω，5%，0.063W，AEC-Q200 0 级，0402 | CRCW040210R0JNED |
| 0 | R4 | 电阻器，50Ω，1%，0.1W，AEC-Q200 0 级，0603 | CRCW060350R0FKEA |