LMG1020 具有以下特性和规格：
- 用于 5V 驱动 GaN 和硅质 FET 的单个低侧超快速驱动器
- 5V 单电源
- 施密特触发型 CMOS 输入，可确保稳定性
- 传播延迟：2.5ns（典型值），4.5ns（最大值）
- 典型上升/下降时间为 400ps
- UVLO 和过热保护
- 最小封装 0.8 x 1.2 WCSP，可最大限度降低栅极环路电感及提高功率密度
LMG1020EVM 还包含 SN74LVC1G08，这是一个单路 2 输入正与门，具有以下特性：
- LMG1020 输入缓冲器
- 用于通过在与门的一个输入端使用 R-C 滤波器来缩短输入脉冲宽度 (图 10-1)
- 在 R3 上增加一个 0Ω 电阻器并取下 R10 来断开与门输出，从而绕过缓冲器。
EVM 还具有低 ESL，0.47uF 馈通式电容器（图 7-1 中的 C4）
- 馈通式结构缩短了与 GND 的距离，并实现了低 ESL
- 低 ESL 可防止 VDD 上出现振铃（建议最大值为 5.4V）
- 可以替换为一个尽可能靠近引脚的 0201 电容器