ZHCU677E June 2019 – April 2024 TMS320F28P550SG , TMS320F28P550SJ , TMS320F28P559SG-Q1 , TMS320F28P559SJ-Q1
图 3-1 展示了单相双有源电桥的功率级。初级侧由 1200V、75mΩ 碳化硅 FET C3M0075120K 组成,以阻止 800V 的直流电压,而次级侧由 900V、30mΩ 碳化硅 FET C3M0030090K 组成,以阻止 500V 的直流电压。全桥与高频开关变压器 (T1) 连接。四个 CR201-50VE 散热器与两个风扇相结合,用于冷却 FET。在 FET 和散热器之间使用 CD-02-05-247 绝缘板,以提供必要的绝缘和良好的散热界面。