ZHCSZ16 October   2025 BQ25692-Q1

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  器件上电复位
      2. 6.3.2  仅电池上电状态
      3. 6.3.3  器件高阻态状态
      4. 6.3.4  为 REGN LDO 上电
      5. 6.3.5  默认 VINDPM 设置
      6. 6.3.6  具有 CELL、ICHG 和 VCHG 引脚的默认充电曲线设置
      7. 6.3.7  降压/升压转换器运行
        1. 6.3.7.1 脉冲频率调制 (PFM)
        2. 6.3.7.2 开关频率和抖动功能
      8. 6.3.8  正向（灌电流）运行
        1. 6.3.8.1 电源路径管理
          1. 6.3.8.1.1 动态电源管理
            1. 6.3.8.1.1.1 ILIM_HIZ 引脚
            2. 6.3.8.1.1.2 输入电流优化器 (ICO)
        2. 6.3.8.2 电池充电管理
          1. 6.3.8.2.1 电池检测
          2. 6.3.8.2.2 自主充电周期
          3. 6.3.8.2.3 电池充电曲线
          4. 6.3.8.2.4 充电终止
          5. 6.3.8.2.5 充电安全计时器
          6. 6.3.8.2.6 CV 计时器
          7. 6.3.8.2.7 热敏电阻认证
            1. 6.3.8.2.7.1 充电模式下的 JEITA 指南合规性
            2. 6.3.8.2.7.2 反向模式下的冷/热温度窗口
        3. 6.3.8.3 旁路模式
      9. 6.3.9  反向（拉电流）模式 (USB On-The-Go)
        1. 6.3.9.1 反向（拉电流）模式运行
        2. 6.3.9.2 备用电源模式
        3. 6.3.9.3 反向旁路模式
      10. 6.3.10 状态输出（ STAT 和 INT）
        1. 6.3.10.1 电源正常状态指示器 (PG_STAT)
        2. 6.3.10.2 充电状态指示灯（STAT 引脚）
        3. 6.3.10.3 主机中断 (INT)
      11. 6.3.11 串行接口
        1. 6.3.11.1 数据有效性
        2. 6.3.11.2 启动条件和停止条件
        3. 6.3.11.3 字节格式
        4. 6.3.11.4 确认 (ACK) 和否定确认 (NACK)
        5. 6.3.11.5 目标地址和数据方向位
        6. 6.3.11.6 单独写入和读取
        7. 6.3.11.7 多个写入和多个读取
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 主机模式和默认模式
      2. 6.4.2 复位寄存器位
    5. 6.5 寄存器映射
      1. 6.5.1 BQ25692Q1 寄存器
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用设计示例
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 电感器选型
        2. 7.2.2.2 电容器
        3. 7.2.2.3 降压模式输入 (VIN) 电容器
        4. 7.2.2.4 升压模式输出 (VOUT) 电容器
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 第三方产品免责声明
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息
    1. 10.1 封装选项附录
    2. 10.2 卷带包装信息
    3. 10.3 机械数据

4 引脚配置和功能

BQ25692-Q1 BQ25692-Q1RBA 封装26 引脚 WQFN（带可湿性侧面）顶视图图 4-1 BQ25692-Q1RBA 封装26 引脚 WQFN（带可湿性侧面）顶视图
表 4-1 引脚功能
引脚 类型(1) 说明
名称 编号
ACN 4 AI 适配器电流检测电阻，负输入 – 在 ACN 和 ACP 之间放置一个 0.47μF 陶瓷电容器，以提供差模滤波。在 ACN 引脚和 GND 之间放置一个可选的 0.1μF 陶瓷电容器，以实现共模滤波。
ACP 5 AI 适配器电流检测电阻，正输入 – 在 ACN 和 ACP 之间放置一个 0.47μF 陶瓷电容器，以提供差模滤波。在 ACP 引脚和 GND 之间放置一个 0.1μF 陶瓷电容器，以实现共模滤波。
BTST1 1 P 降压高侧功率 MOSFET 栅极驱动器电源 – 在 BTST1 和 SW1 之间连接一个 47nF 陶瓷电容器，用于驱动高侧降压 MOSFET (Q1)。REGN 和 BTST1 之间的自举二极管为集成式二极管。
BTST2 20 P 升压高侧功率 MOSFET 栅极驱动器电源 – 在 BTST2 和 SW2 之间连接一个 47nF 陶瓷电容器，用于驱动高侧增压 MOSFET (Q4)。REGN 和 BTST2 之间的自举二极管为集成式二极管。
BYPDRV 3 P 旁路 FET 栅极驱动器 – 直接连接到背对背外部旁路 FET 栅极。当 EN_BYPASS = 1 且 EN_EXT_BYPASS = 1 时，引脚以相对于 SRN 5V 的电压驱动栅极，以导通外部旁路 FET。将 15V 齐纳二极管从 BYPDRV 连接到外部旁路 FET 的共源。如果不使用外部旁路，可使该引脚其保持悬空状态。
CE 9 DI 低电平有效充电使能引脚 – 当 EN_CHG 位为 1 且 CE 引脚为低电平时，会启用电池充电。必须将 CE 引脚拉至高电平或低电平，不要保持悬空。
电芯 13 AI 电池节数计数程序 – 上电时，充电器检测连接到 CELL 引脚的电阻，以确定默认的电池节数计数并设置相应的 充电电压。建议使用容差为 ±1% 或 ±2% 的表面贴装电阻器。
GND 10 P 接地回路
GND 23 P 接地回路
ICHG 15 AI 充电电流程序 – 上电时，充电器检测连接到 ICHG 引脚的电阻，以确定默认的电池充电电流。建议使用容差为 ±1% 或 ±2% 的表面贴装电阻器。
ILIM_HIZ 7 AI 输入电流限制设置 – ILIM_HIZ 引脚设置最大输入电流，可用于监测输入电流，并可拉至高电平以强制器件进入高阻态模式。连接到 GND 的编程电阻用于将输入电流限制设置为 IIN_MAX = KILIM / RILIM。当器件处于输入电流调节状态时，ILIM_HIZ 引脚上的电压为 1V。当 ILIM 引脚电压 (VILIM) 小于 1V 时，实际输入电流可按下式计算：IIN = KILIM x VILIM/(RILIM x 1V).实际输入电流限制是 ILIM_HIZ 引脚或 IINDPM 寄存器位设置的限制中的较低者。当 EN_EXTILIM 位为 0 时，可以禁用该引脚功能。如果不使用 ILIM_HIZ 引脚，则将该引脚拉至 GND，不要悬空。
INT 8 DO 开漏中断输出 – 通过 10kΩ 电阻器将 INT 引脚连接到逻辑轨。INT 引脚向主机发送一个低电平有效的 256μs 脉冲，以报告充电器器件状态和故障。
NC 19 - 未使用 – 该引脚应该保持悬空。
REGN 2 P 充电器内部线性稳压器输出 – 在 REGN 与接地之间连接一个 4.7μF 陶瓷电容器。REGN LDO 输出用于 TS 引脚电阻分压器的内部 MOSFET 栅极驱动电压和电压偏置。
SCL 11 DI I2C 接口时钟 – 通过 10kΩ 电阻器将 SCL 连接到逻辑轨。
SDA 12 DIO I2C 接口数据 – 通过 10kΩ 电阻器将 SDA 连接到逻辑轨。
SRN 17 AI 充电电流检测电阻，负输入 – 在 SRN 和 SRP 之间放置一个 0.47μF 陶瓷电容器，以提供差模滤波。在 SRN 引脚和 GND 之间放置一个可选的 0.1μF 陶瓷电容器，以实现共模滤波。
SRP 18 AI 充电电流检测电阻，正输入 – 在 SRN 和 SRP 之间放置一个 0.47μF 陶瓷电容器，以提供差模滤波。在 SRP 引脚和 GND 之间放置一个 0.1μF 陶瓷电容器，以实现共模滤波
STAT 6 DO 开漏状态输出 – 通过 10kΩ 电阻器连接到上拉电源轨。低电平表示正在充电。高电平表示充电完成或充电被禁用。当发生任何故障情况时，STAT 引脚以 1Hz 的频率闪烁。当 DIS_STAT_PIN 位设置为 1 时，可以禁用 STAT 引脚功能。
SW1 24 P 降压侧半桥开关节点 – 电感器连接到 Q1 和 Q2 开关的中点。
SW2 22 P 升压侧半桥开关节点 – 电感器连接到 Q3 和 Q4 开关的中点。
SYS 21 P 连接到系统的充电器输出电压 – 内部 N 沟道高侧 MOSFET (Q4) 的漏极连接到 SYS，源极连接到 SW2。这是开关转换器的输出，应使用尽可能靠近引脚的陶瓷电容器进行去耦。建议结合使用 0.1uF 和更高的电容值，在 SYS 与 GND 之间实现低阻抗连接。
散热焊盘 26 – IC 下方的外露焊盘 – 始终将散热焊盘焊接到电路板上并通过多个过孔连接到 GND 和电源接地平面。外露焊盘用于散热。
TS 16 AI 温度鉴定电压输入 – 连接负温度系数热敏电阻。使用从 REGN 到 TS 再到 GND 的电阻分压器对温度窗口进行编程。当 TS 引脚电压超出范围时，充电暂停。建议使用 103AT-2 10kΩ 热敏电阻。
VCHG 14 AI 充电电压程充 – 上电时，充电器检测连接到 VCHG 引脚的电阻，以确定默认电池充电电压。建议使用容差为 ±1% 或 ±2% 的表面贴装电阻器。
VIN 25 P 充电器输入电压 – 内部 N 沟道高侧 MOSFET (Q1) 的漏极连接到 VIN，源极连接到 SW1。这是开关转换器的输入，应使用尽可能靠近引脚的陶瓷电容器进行去耦。建议结合使用 0.1uF 和更高的电容值，在 VIN 与 GND 之间实现低阻抗连接。
(1) AI = 模拟输入、AIO = 模拟输入/输出、DI = 数字输入、DO = 数字输出、DIO = 数字输入/输出、P = 电源