ZHCSQQ6A October   2023  – October 2025 TPS2HCS10-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
    1. 5.1 版本 A 封装
    2. 5.2 引脚排列 — 版本 A
    3. 5.3 版本 B 封装
    4. 5.4 引脚排列 — 版本 B
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 SPI 时序要求
    7. 6.7 开关特性
    8. 6.8 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 保护机制
        1. 8.3.1.1 过流保护
          1. 8.3.1.1.1 浪涌期间 - 过流保护
          2. 8.3.1.1.2 过流保护 - 稳态运行
          3. 8.3.1.1.3 可编程保险丝保护装置
          4. 8.3.1.1.4 立即关断过流保护 (IOCP)
          5. 8.3.1.1.5 自动重试与闭锁行为
        2. 8.3.1.2 热关断
        3. 8.3.1.3 电池反向
      2. 8.3.2 诊断机制
        1. 8.3.2.1 集成型 ADC
        2. 8.3.2.2 数字电流检测输出
        3. 8.3.2.3 输出电压测量
        4. 8.3.2.4 MOSFET 温度测量
        5. 8.3.2.5 漏源电压 (VDS) 测量
        6. 8.3.2.6 VBB 电压测量
        7. 8.3.2.7 VOUT 电池短路和开路负载
          1. 8.3.2.7.1 启用通道输出 (FET) 时的测量
          2. 8.3.2.7.2 在禁用通道输出的情况下进行检测
      3. 8.3.3 并联模式运行
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 状态图
      2. 8.4.2 输出控制
      3. 8.4.3 SPI 模式运行
      4. 8.4.4 故障报告
      5. 8.4.5 SLEEP
      6. 8.4.6 CONFIG/ACTIVE
      7. 8.4.7 LIMP_HOME 状态（仅限版本 A）
      8. 8.4.8 电池电源输入 (VBB) 欠压
      9. 8.4.9 低功耗模式 (LPM) 状态
        1. 8.4.9.1 MANUAL_LPM 状态
        2. 8.4.9.2 AUTO_LPM 状态
    5. 8.5 TPS2HCS10-Q1 寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 散热注意事项
        2. 9.2.2.2 配置电容充电模式
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

6.7 开关特性

VBB = 13.5V，RL = 2Ω，TJ = –40°C 至 150°C （除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
tDR 通道导通延迟时间

（CS 或 DIx 的 50% 至 VOUT 的 10%） 		 SLRT_CHx = 00 45 µs
SLRT_CHx = 01 35 µs
 SLRT_CHx = 10（默认值） 30 µs
SLRT_CHx = 11 23 µs
tDF 通道关断延迟时间

（CS 或 DIx 的 50% 至 VOUT 的 90%）		 SLRT_CHx = 00 35 µs
SLRT_CHx = 01 25 µs
SLRT_CHx = 10（默认值） 20 µs
SLRT_CHx = 11 16 µs
SRR
VOUT 上升压摆率

（VOUT 的 20% 至 80%）
 		 SLRT_CHx = 00 0.14 V/µs
SLRT_CHx = 01 0.2 V/µs
SLRT_CHx = 10（默认值） 0.25 V/µs
SLRT_CHx = 11 0.32 V/µs
SRF VOUT 下降压摆率

（VOUT 的 80% 至 20%）		 SLRT_CHx = 00 0.13 V/µs
SLRT_CHx = 01 0.2 V/µs
SLRT_CHx = 10（默认值） 0.26 V/µs
SLRT_CHx = 11 0.33 V/µs
tON 通道导通时间

（CS 或 DIx 的 50%至 VOUT 的 90%）		 SLRT_CHx = 00 130 µs
SLRT_CHx = 01 95 µs
SLRT_CHx = 10（默认值） 75 µs
SLRT_CHx = 11 60 µs
tOFF 通道关断时间

（CS 或 DIx 的 50% 至 VOUT 的 10%）		 SLRT_CHx = 00 115 µs
SLRT_CHx = 01 75 µs
SLRT_CHx = 10（默认值） 60 µs
SLRT_CHx = 11 50 µs
EON 导通期间的开关能量损耗

（VOUT 从 10% 到 90%）		 SLRT_CHx = 00 1.43 mJ
SLRT_CHx = 01 1.03 mJ
SLRT_CHx = 10（默认值） 0.77 mJ
SLRT_CHx = 11 0.64 mJ
EOFF 关断期间的开关能量损耗

（VOUT 从 90% 到 10%）		 SLRT_CHx = 00 1.48 mJ
SLRT_CHx = 01 0.95 mJ
SLRT_CHx = 10（默认值） 0.68 mJ
SLRT_CHx = 11 0.54 mJ