ZHCSQQ6A October   2023  – October 2025 TPS2HCS10-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
    1. 5.1 版本 A 封装
    2. 5.2 引脚排列 — 版本 A
    3. 5.3 版本 B 封装
    4. 5.4 引脚排列 — 版本 B
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 SPI 时序要求
    7. 6.7 开关特性
    8. 6.8 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 保护机制
        1. 8.3.1.1 过流保护
          1. 8.3.1.1.1 浪涌期间 - 过流保护
          2. 8.3.1.1.2 过流保护 - 稳态运行
          3. 8.3.1.1.3 可编程保险丝保护装置
          4. 8.3.1.1.4 立即关断过流保护 (IOCP)
          5. 8.3.1.1.5 自动重试与闭锁行为
        2. 8.3.1.2 热关断
        3. 8.3.1.3 电池反向
      2. 8.3.2 诊断机制
        1. 8.3.2.1 集成型 ADC
        2. 8.3.2.2 数字电流检测输出
        3. 8.3.2.3 输出电压测量
        4. 8.3.2.4 MOSFET 温度测量
        5. 8.3.2.5 漏源电压 (VDS) 测量
        6. 8.3.2.6 VBB 电压测量
        7. 8.3.2.7 VOUT 电池短路和开路负载
          1. 8.3.2.7.1 启用通道输出 (FET) 时的测量
          2. 8.3.2.7.2 在禁用通道输出的情况下进行检测
      3. 8.3.3 并联模式运行
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 状态图
      2. 8.4.2 输出控制
      3. 8.4.3 SPI 模式运行
      4. 8.4.4 故障报告
      5. 8.4.5 SLEEP
      6. 8.4.6 CONFIG/ACTIVE
      7. 8.4.7 LIMP_HOME 状态（仅限版本 A）
      8. 8.4.8 电池电源输入 (VBB) 欠压
      9. 8.4.9 低功耗模式 (LPM) 状态
        1. 8.4.9.1 MANUAL_LPM 状态
        2. 8.4.9.2 AUTO_LPM 状态
    5. 8.5 TPS2HCS10-Q1 寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 散热注意事项
        2. 9.2.2.2 配置电容充电模式
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

8.3.1.1 过流保护

TPS2HCS10-Q1 器件提供以下功能，以确保器件免受不同过流事件的影响：

  • 电容负载在浪涌期间充电
  • 立即关断过流保护 (IOCP)
  • 可编程熔断保护（或 I2T 保护）（如果已启用）
  • 热关断（TREL 和 TABS）
  • LPM 状态下的短路保护（ISCP_LPM_MAN 或 ISCP_LPM_AUTO）

关于过流保护，器件有两种工作模式：通道启动时和稳态运行期间的可选浪涌期。可以配置可选浪涌期，使器件能够在通道初始开启时处理不同的浪涌电流（例如灯泡、电机失速电流或电容负载）。ILIM_CONFIG_CHx 寄存器中的 CAP_CHRG_CHx、INRUSH_DURATION_CHx 和 INRUSH_LIMIT_CHx 位控制器件在浪涌期内的运行。如果 CAP_CHRG_CHx = 00 且 VDS < VDS_LT_2V，则 I2T 保护功能（如果已启用）仅在浪涌期内有效。浪涌期结束后，将进入稳态运行状态。在稳态运行期间，过流保护 (IOCP) 处于活动状态，I2T 保护功能也处于活动状态（如果已启用）。

在浪涌期间，可以使用所有电压检测（VBB、VOUT 和 VDS）和 FET 温度检测功能（如果已启用）。当 VDS < VDS_LT_2V 或浪涌期完成且器件处于稳态运行状态后，仅在 CAP_CHRG_CHx = 00 时进行电流检测。所有电压检测、FET 温度检测和电流检测功能均在稳定运行模式下提供。

图 8-4 概述了可选浪涌周和稳态运行中的过流保护。

有关浪涌期和稳态下可用的不同保护功能的更多详细信息，请参阅以下部分。LPM 部分介绍了 LPM 状态下的过流保护。

TPS2HCS10-Q1 过流保护模式概述图 8-4 过流保护模式概述