ZHCSQQ6A October   2023  – October 2025 TPS2HCS10-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
    1. 5.1 版本 A 封装
    2. 5.2 引脚排列 — 版本 A
    3. 5.3 版本 B 封装
    4. 5.4 引脚排列 — 版本 B
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 SPI 时序要求
    7. 6.7 开关特性
    8. 6.8 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 保护机制
        1. 8.3.1.1 过流保护
          1. 8.3.1.1.1 浪涌期间 - 过流保护
          2. 8.3.1.1.2 过流保护 - 稳态运行
          3. 8.3.1.1.3 可编程保险丝保护装置
          4. 8.3.1.1.4 立即关断过流保护 (IOCP)
          5. 8.3.1.1.5 自动重试与闭锁行为
        2. 8.3.1.2 热关断
        3. 8.3.1.3 电池反向
      2. 8.3.2 诊断机制
        1. 8.3.2.1 集成型 ADC
        2. 8.3.2.2 数字电流检测输出
        3. 8.3.2.3 输出电压测量
        4. 8.3.2.4 MOSFET 温度测量
        5. 8.3.2.5 漏源电压 (VDS) 测量
        6. 8.3.2.6 VBB 电压测量
        7. 8.3.2.7 VOUT 电池短路和开路负载
          1. 8.3.2.7.1 启用通道输出 (FET) 时的测量
          2. 8.3.2.7.2 在禁用通道输出的情况下进行检测
      3. 8.3.3 并联模式运行
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 状态图
      2. 8.4.2 输出控制
      3. 8.4.3 SPI 模式运行
      4. 8.4.4 故障报告
      5. 8.4.5 SLEEP
      6. 8.4.6 CONFIG/ACTIVE
      7. 8.4.7 LIMP_HOME 状态（仅限版本 A）
      8. 8.4.8 电池电源输入 (VBB) 欠压
      9. 8.4.9 低功耗模式 (LPM) 状态
        1. 8.4.9.1 MANUAL_LPM 状态
        2. 8.4.9.2 AUTO_LPM 状态
    5. 8.5 TPS2HCS10-Q1 寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 散热注意事项
        2. 9.2.2.2 配置电容充电模式
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

9.1 应用信息

图 9-1 和图 9-2 分别展示了 TPS2HCS10A-Q1 和 TPS2HCS10B-Q1 典型应用的原理图。其包含所有标准外部元件。数据表的这一部分讨论了实现常用应用功能时的注意事项。该电路假定输入电源上没有反极性保护，因此需要额外的保护元件。

TPS2HCS10-Q1 系统图 — TPS2HCS10A-Q1图 9-1 系统图 — TPS2HCS10A-Q1
TPS2HCS10-Q1 系统图 — TPS2HCS10B-Q1图 9-2 系统图 — TPS2HCS10B-Q1
使用接地保护网络时，器件接地端将相对于微控制器接地端发生偏移。控制器 (MCU) I/O 以及 TPS2HCS10B-Q1 器件的 VDD 电源输入应使用相同的电源：即 5V（推荐）或 3.3V 电源。
表 9-1 推荐的外部元件
元件 典型值 用途
RSPI 22Ω （可选）适用于 SPI 引脚上的 EMI 或其他瞬态限制。
RSDO 768Ω 较高的值可将 MCU VDD 的总电阻增加至 768Ω，用于接地损耗检测
RPROT 10kΩ 保护微控制器和器件 GPIO 引脚
RPU 4.7kΩ 上拉电阻器
RSNS 0.2-1.5kΩ 将检测电流转换为内部 ADC 输入的检测电压
CSNS 1 - 4.7nF ADC 输入的低通滤波器。
D1 +/-36V 用于抑制电压瞬变（该模块使用一个）
DGND BAS21/肖特基二极管 用于在器件正常运行期间限制 RGND 两端的压降。建议使用低正向电压二极管；当 VDD 为 3.3V 时，建议使用肖特基二极管。（注意：建议使用 5V 的 VDD 工作电压，以获得较低的 Iq）
RGND 4.7kΩ 在负输出电压偏移期间保持接地电位
RVDD 10Ω 限制到 IC 的 VDD 电源输入的上升/下降速率。
CVDD 470nF 系统接地的 VDD 电源电压稳定性。
CVBB1 1nF - 4.7nF 连接至 IC_GND （可选）用于改善辐射。
CVBB2 100nF - 2200nF 连接至模块 GND 稳定输入电源并滤除低频噪声。
COUTx 22nF - 100nF 滤除电压瞬变（例如，ESD、ISO7637-2）。

如果使用 MANUAL_LPM、CAP_CHRG_CHx = 10 和/或 OL_ON_EN = 1 模式，并且输出端未使用反激式二极管，则对于 MANUAL_LPM、CAP_CHRG_CHx = 10 和 OL_ON_EN = 1 模式下的短路保护，建议使用 100nF 的电容值。如果输出端使用反激式二极管，建议使用 22nF 的电容值。