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ZHCSQQ6A October 2023 – October 2025 TPS2HCS10-Q1

PRODUCTION DATA

8.5 TPS2HCS10-Q1 寄存器

表 8-13 列出了 TPS2HCS10-Q1 寄存器的存储器映射寄存器。表 8-13 中未列出的所有寄存器偏移地址都应视为保留的位置，并且不应修改寄存器内容。

表 8-13 TPS2HCS10-Q1 寄存器

偏移	首字母缩写词	寄存器名称	部分
0h	DEV_ID	从 NVM 读取器件 ID	转到
1h	CRC_CONFIG	CRC 配置寄存器	转到
2h	SLEEP	设置为从 ACTIVE 或 CONFIG 状态变为 SLEEP 状态	转到
3h	LPM	低功耗模式 (LPM) 设置寄存器	转到
4h	GLOBAL_FAULT_TYPE	通道故障状态和全局故障类型	转到
5h	FAULT_MASK	屏蔽故障引脚上的故障报告	转到
7h	SW_STATE	VOUT1 和 VOUT2 的开/关控制	转到
9h	DEV_CONFIG	全局器件配置寄存器	转到
Ah	ADC_CONFIG	ADC 配置寄存器	转到
Bh	ADC_RESULT_VBB	ADC 转换结果 — VBB	转到
Dh	FLT_STAT_CH1	通道 1 故障状态	转到
Eh	PWM_CH1	通道 1 的 PWM 配置寄存器	转到
Fh	ILIM_CONFIG_CH1	通道 1 的保护配置寄存器	转到
10h	CH1_CONFIG	通道 1 的配置寄存器	转到
11h	ADC_RESULT_CH1_I	ADC 转换结果 — 通道 1 的负载电流检测	转到
12h	ADC_RESULT_CH1_T	ADC 转换结果 — 通道 1 的 TJ.FET 温度检测	转到
13h	ADC_RESULT_CH1_V	ADC 转换结果 — 通道 1 的 VOUT 检测	转到
14h	ADC_RESULT_CH1_VDS	ADC 转换结果 — 通道 1 的 VDS 检测	转到
15h	I2T_CONFIG_CH1	通道 1 的 I2T 配置寄存器	转到
16h	FLT_STAT_CH2	通道 2 的故障状态	转到
17h	PWM_CH2	通道 2 的 PWM 配置寄存器	转到
18h	ILIM_CONFIG_CH2	通道 2 的保护配置寄存器	转到
19h	CH2_CONFIG	通道 2 的配置寄存器	转到
1Ah	ADC_RESULT_CH2_I	ADC 转换结果 — 通道 2 的负载电流检测	转到
1Bh	ADC_RESULT_CH2_T	ADC 转换结果 — 通道 2 的 TJ.FET 温度检测	转到
1Ch	ADC_RESULT_CH2_V	ADC 转换结果 — 通道 2 的 VOUT 检测	转到
1Dh	ADC_RESULT_CH2_VDS	ADC 转换结果 — 通道 2 的 VDS 检测	转到
1Eh	I2T_CONFIG_CH2	通道 2 的 I2T 配置寄存器	转到

复杂的位访问类型经过编码可适应小型表单元。表 8-14 展示了适用于此部分中访问类型的代码。

表 8-14 TPS2HCS10-Q1 访问类型代码

访问类型	代码	说明
读取类型
R	R	读取
RC	R C	读取以清除
写入类型
W	W	写入
W1C	W 1C	写入 1 以清零
复位或默认值
-n		复位后的值或默认值

8.5.1 DEV_ID 寄存器（偏移 = 0h）[复位 = XXXXh]

DEV_ID 如表 8-15 所示。

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表 8-15 DEV_ID 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15-0	DEVICE_ID	R	X	X = 器件型号 FFF4h = TPS2HCS10A FFF5h = TPS2HCS10B

8.5.2 CRC_CONFIG 寄存器（偏移 = 1h）[复位 = FFFEh]

CRC_CONFIG 如表 8-16 所示。

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表 8-16 CRC_CONFIG 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15-1	RESERVED	R	7FFFh	保留
0	CRC_EN	R/W	0h	使能 SPI 命令帧的 CRC 校验。 0h = 不对 SPI 命令帧进行 CRC 校验 1h = 使能 SPI 命令帧的 CRC 校验

8.5.3 SLEEP 寄存器（偏移 = 2h）[复位 = FFFEh]

表 8-17 中显示了 SLEEP。

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表 8-17 SLEEP 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15-1	RESERVED	R	7FFFh	保留
0	SLEEP	R/W	0h	将该位设置为 1 可将器件置于 SLEEP 状态 0h = 无变化 1h = 将器件置于 SLEEP 状态

8.5.4 LPM 寄存器（偏移 = 3h）[复位 = FF80h]

表 8-18 中显示了 LPM。

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表 8-18 LPM 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15-7	RESERVED	R	1FFh	保留
6-5	MAN_LPM_EXIT_CURR_CH2	R/W	0h	设置因负载电流增加而退出 MANUAL_LPM 模式的阈值 — CH2 0h = 500mA 1h = 625mA 2h = 150mA 3h = 325mA
4-3	MAN_LPM_EXIT_CURR_CH1	R/W	0h	设置因负载电流增加而退出 MANUAL_LPM 模式的阈值 — CH1 0h = 500mA 1h = 625mA 2h = 150mA 3h = 325mA
2	AUTO_LPM_EXIT_CH2	R/W	0h	该位强制器件退出 AUTO_LPM 模式并进入 ACTIVE 状态，并使能 CH2（如果尚未使能）。要重新使能器件以进入 AUTO_LPM 模式，该位必须重置为 0。 0h = 如果满足所有条件，重新使能器件以进入 AUTO_LPM 模式 1h = 强制退出 AUTO_LPM 状态并进入 ACTIVE 状态。如果尚未使能，则使能 CH2
1	AUTO_LPM_EXIT_CH1	R/W	0h	该位强制器件退出 AUTO_LPM 模式并进入 ACTIVE 状态，并使能 CH1（如果尚未使能）。要重新使能器件以进入 AUTO_LPM 模式，该位必须重置为 0。 0h = 如果满足所有条件，重新使能器件以进入 AUTO_LPM 模式 1h = 强制退出 AUTO_LPM 状态并进入 ACTIVE 状态。如果尚未使能，则使能 CH1
0	MANUAL_LPM_ENTRY	R/W	0h	将该位设置为 1 会将器件置于 MANUAL_LPM。注意：两条通道必须关断，或者任何已使能的通道上的电流必须低于 MAN_LPM_EXIT_CURR_CHx 才能进入 MANUAL_LPM 模式。如果器件处于 MANUAL_LPM 状态并向 MANUAL_LPM_ENTRY 位写入 0，器件将检查 AUTO_LPM_EXIT_CHx 位的内容，如果任何位设置为 1，器件将退出 MANUAL_LPM 模式并开启尚未使能的通道。如果由于负载电流增加到大于 MAN_LPM_EXIT_CURR_CHx 而使器件退出 MANUAL_LPM 状态并进入 ACTIVE 状态，则需要将 MANUAL_LPM_ENTRY 位设置为 0，然后重置为 1 以重新进入 MANUAL_LPM 状态 0h = 如果器件处于 MANUAL_LPM，则将器件置于 ACTIVE 模式 1h = 如果满足所有条件，则将器件置于 MANUAL_LPM 模式

8.5.5 GLOBAL_FAULT_TYPE 寄存器（偏移 = 4h）[复位 = 0147h]

GLOBAL_FAULT_TYPE 如表 8-19 所示。

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表 8-19 GLOBAL_FAULT_TYPE 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15	RESERVED	R	0h	保留
14	RESERVED	R	0h	保留
13	CH2_FLT	R	0h	通道 2 的故障状态。如果 FLT_LTCH_DIS = 0，则故障位将被锁存，仅当读取 FLT_STAT_CH2 寄存器且故障条件不再存在时才会被清除如果 FLT_LTCH_DIS = 1，则在故障条件不再存在时清除故障位 0h = CH2 上未发生故障 1h = CH2 上发生了故障
12	CH1_FLT	R	0h	通道 1 的故障状态。如果 FLT_LTCH_DIS = 0，则故障位将被锁存，仅当读取 FLT_STAT_CH1 寄存器且故障条件不再存在时才会被清除如果 FLT_LTCH_DIS = 1，则在故障条件不再存在时清除故障位 0h = CH1 上未发生故障 1h = CH1 上发生了故障
11	LPM_STATUS	R	0h	该位指示器件是处于 MANUAL_LPM 模式还是 AUTO_LPM 模式，并在器件未处于任何 LPM 模式时清除该位。 0h = 器件未处于 AUTO_LPM 或 MANUAL_LPM 状态 1h = 器件已进入 AUTO_LPM 或 MANUAL_LPM 状态
10	CHAN_OCP_I2T_TSD	R	0h	该位指示任何一条通道中是否发生了过流保护、I2T 保护或热关断故障。如果 FLT_LTCH_DIS = 0，则故障位将被锁存，仅当读取 FLT_STAT_CHx 寄存器且故障条件不再存在时才会被清除如果 FLT_LTCH_DIS = 1，则在故障条件不再存在时清除故障位 0h = 任何通道中均无过流保护、I2T 保护或热关断故障 1h = 一条或两条通道中存在过流保护、I2T 保护或热关断故障
9	OL_SHRT_VBB_OFF_FLT	R	0h	该位指示任何一条通道在关断状态故障下是否发生了 VBB 电源短路。如果 FLT_LTCH_DIS = 0，则故障位将被锁存，仅当读取 FLT_STAT_CHx 寄存器且故障条件不再存在时才会被清除 0h = 任何通道中均无关断状态 VBB 短路或开路负载故障 1h = 一条或两条通道中存在关断状态 VBB 短路或开路负载故障
8	GLOBAL_ERR_WRN	R	1h	该位指示 FLT_GLOBAL_TYPE[7:0] 位中是否报告了全局故障。通过该位报告的故障包括 LIMPHOME_STATE、POR、SPI_ERR、WD_ERR、VDD_UVLO、VBB_UV_WRN 或 VBB_UVLO。如果 FLT_LTCH_DIS = 0，则故障位将被锁存，仅当读取 GLOBAL_FAULT_TYPE 寄存器且故障条件不再存在时才会被清除如果 FLT_LTCH_DIS = 1，则在故障条件不再存在时清除故障位 0h = 未发生全局故障 1h = 发生了以下事件之一：LIMPHOME_STATE、POR、SPI_ERR、WD_ERR、VDD_UVLO、VBB_UV_WRN 或 VBB_UVLO
7	LIMPHOME_STAT	R/W1C	0h	该位指示器件是否由于 LHI 引脚变为高电平而处于 LIMP_HOME 状态。写入 1 以清除并退出 LIMP_HOME 状态。当该位设置为 1 时，LHI 引脚必须为低电平才能退出 LIMP_HOME 状态。 0h = 器件未处于 LIMP_HOME 状态 1h = 器件由于 LHI 引脚变为高电平而处于 LIMP_HOME 状态
6	POR	RC	1h	该位指示自上次读取后是否发生了上电复位 (POR) 该位在读取时清除，因此如果再次读取且该位为 0，则表示自上次读取后未发生上电复位。 0h = 自上次读取寄存器后未发生上电复位 (POR) 1h = 自上次读取寄存器后发生了上电复位。
5	LPM_STATUS_1	RC	0h	该位指示器件是处于 MANUAL_LPM 模式还是 AUTO_LPM 模式。该位将被锁存，仅当读取且器件不处于任何 LPM 模式时才会被清除。注意：如果不满足进入 MANUAL_LPM 的条件，该位将设置为 1 并在读取时清除。 0h = 器件未处于 AUTO_LPM 或 MANUAL_LPM 状态 1h = 器件已进入 AUTO_LPM 或 MANUAL_LPM 状态
4	SPI_ERR	RC	0h	该位指示是否发生了来自格式、时钟或 CRC 的 SPI 通信错误。故障位将被锁存，仅当读取后且错误不再存在时才会被清除。 0h = 未发生 SPI 通信错误故障 1h = 发生了格式、时钟或 CRC 导致的 SPI 通信错误
3	WD_ERR	RC	0h	如果 WD_EN = 1，则该位指示看门狗超时窗口中是否未收到可接受的 SPI 命令。故障位将被锁存，仅当读取后且错误不再存在时才会被清除 0h = 无 SPI 接口看门狗错误 1h = 发生了 SPI 看门狗超时错误
2	VDD_UVLO	RC	1h	该位指示 VDD 电源是否在任何时间低于 VDD_UVLOF。如果已读取 GLOBAL_FAULT_TYPE 寄存器且已消除 UVLO 条件，则故障位将被清除 0h = 未发生 VDD_UVLO 故障 1h = 发生了 VDD_UVLO 故障
1	VBB_UV_WRN	RC	1h	该位指示 VBB 电源是否在任何时间低于 V_{BB_UV_WRN}。如果 VBB 低于 V_{BB_UV_WRN}，则器件中的诊断会关闭如果已读取 GLOBAL_FAULT_TYPE 寄存器且 UV 条件不再存在，则故障位将被清除 0h = 未发生 VBB_UV_WRN 故障 1h = 发生了 VBB_UV_WRN 故障
0	VBB_UVLO	RC	1h	该位指示 VBB 电源是否在任何时间低于 V_{BB_UVLOF}。如果已读取 GLOBAL_FAULT_TYPE 寄存器且已消除 UVLO 条件，则故障位将被清除 0h = 未发生 VBB_UVLO 故障 1h = 发生了 VBB_UVLO 故障

8.5.6 FAULT_MASK 寄存器（偏移 = 5h）[复位 = FF80h]

FAULT_MASK 如表 8-20 所示。

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表 8-20 FAULT_MASK 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15-7	RESERVED	R	1FFh	保留
6	RESERVED	R/W	0h	保留
5	MASK_SHRT_VBB	R/W	0h	该位决定器件是否应屏蔽 FLT 引脚上的关断状态电池短路故障信号 0h = FLT 引脚上发出 VBB 短路故障信号 1h = FLT 引脚上不会发出（已屏蔽）VBB 短路故障信号
4	MASK_OL_OFF	R/W	0h	该位决定器件是否应屏蔽 FLT 引脚上的关断状态开路负载故障信号 0h = 通过诊断检测到故障时，FLT 引脚上会发出关断状态断线故障信号 1h = FLT 引脚上不会发出（已屏蔽）关断状态断线故障信号
3	RESERVED	R	0h	保留
2	MASK_SPI_ERR	R/W	0h	该位决定器件是否应屏蔽 FLT 引脚上和 GLOBAL_FAULT_TYPE 寄存器中的 SPI 错误 (SPI_ERR) 0h = SPI 错误在 FLT 引脚上和 GLOBAL_FAULT_TYPE 寄存器中发出信号 1h = SPI 错误不会在 FLT 引脚上或 GLOBAL_FAULT_TYPE 寄存器中发出错误信号
1	MASK_WD_ERR	R/W	0h	该位决定器件是否应屏蔽 FLT 引脚上和 GLOBAL_FAULT_TYPE 寄存器中的 SPI 看门狗错误 (WD_ERR) 0h = SPI 看门狗错误在 FLT 引脚上和 GLOBAL_FAULT_TYPE 寄存器中发出信号 1h = SPI 看门狗错误不会在 FLT 引脚上或 GLOBAL_FAULT_TYPE 寄存器中发出错误信号
0	MASK_VBB_UVLO	R/W	0h	该位决定器件是否应屏蔽 FLT 引脚上的电源电压 VBB UVLO 故障 0h = FLT 引脚上发出 VBB_UVLO 故障信号 1h = FLT 引脚上不会发出（已屏蔽）VBB_UVLO 故障信号

8.5.7 SW_STATE 寄存器（偏移 = 7h）[复位 = FFFCh]

SW_STATE 如表 8-21 所示。

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表 8-21 SW_STATE 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15-2	RESERVED	R	3FFFh	保留
1	CH2_ON	R/W	0h	对于 TPS2HCS10A-Q1 版本，该位决定通道 2 的输出状态。 0h = CH2 输出设置为 OFF（FET 为 OFF） 1h = CH2 输出设置为 ON（FET 为 ON）注意：该位对 TPS2HCS10B-Q1 没有任何影响。对于 TPS2HCS10B-Q1，通道 2 输出控制仅通过 DI2 引脚决定。
0	CH1_ON	R/W	0h	对于 TPS2HCS10A-Q1 版本，该位决定通道 1 的输出状态。 0h = CH1 输出设置为 OFF（FET 为 OFF） 1h = CH1 输出设置为 ON（FET 为 ON）注意：该位对 TPS2HCS10B-Q1 版本没有任何影响。对于 TPS2HCS10B-Q1，通道 1 输出控制仅通过 DI1 引脚决定

8.5.8 DEV_CONFIG 寄存器（偏移 = 9h）[复位 = F800h]

DEV_CONFIG 如表 8-22 所示。

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表 8-22 DEV_CONFIG 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15-11	RESERVED	R	1Fh	保留
10-9	CH2_LH_IN	R/W	0h	这些位决定了对于 TPS2HCS10A-Q1 版本，通道 2 输出在 LIMP_HOME 状态下应如何响应。注意：这些位对 TPS2HCS10B-Q1 没有任何影响。TPS2HCS10B-Q1 中没有 LIMP_HOME 状态。 0h = 当处于 LIMP_HOME 状态时，DI 引脚控制输出 1h = 进入 LIMP_HOME 状态时，CH2_ON 位的输出状态保持不变 2h = 在 LIMP_HOME 模式下的输出将为 OFF 3h = 在 LIMP_HOME 模式下的输出将为 ON
8-7	CH1_LH_IN	R/W	0h	这些位决定了对于 TPS2HCS10A-Q1 版本，通道 1 输出在 LIMP_HOME 状态下应如何响应。注意：这些位对 TPS2HCS10B-Q1 没有任何影响。TPS2HCS10B-Q1 中没有 LIMP_HOME 状态。 0h = 当处于 LIMP_HOME 状态时，DI 引脚控制输出 1h = 进入 LIMP_HOME 状态时，CH1_ON 位的输出状态保持不变 2h = 在 LIMP_HOME 模式下的输出将为 OFF 3h = 在 LIMP_HOME 模式下的输出将为 ON
6	PWM_SHIFT_DIS	R/W	0h	该位决定通道之间的 PWM 开始时是否应存在偏移。 0h = PWM 上升沿在第一个上升沿延迟 100µs 1h = 禁用 PWM 延迟（偏移）以使上升沿对齐
5	AUTO_LPM_ENTRY	R/W	0h	该位决定满足进入 AUTO_LPM 模式的所有条件时器件是否应进入 AUTO_LPM 模式。 0h = 禁用进入 AUTO_LPM 模式 1h = 使能进入 AUTO_LPM 模式，满足所有条件时，器件会进入该模式
4	PARALLEL_12	R/W	0h	该位向器件发出信号，指示通道 1 (CH1) 和通道 2 (CH2) 在系统中并联。 0h = CH1 和 CH2 未并联 1h = CH1 和 CH2 已并联注意：仅当 SW_STATE 寄存器中的 CH1_ON 和 CH2_ON 位为 0 时，对该位的写入才有效。
3	WD_EN	R/W	0h	该位决定是否使能 SPI 看门狗功能。如果使能，当看门狗超时窗口中没有收到有效的 SPI 命令时，会触发看门狗超时 0h = 看门狗已禁用 1h = 看门狗功能已使能
2-1	WD_TO	R/W	0h	该位决定 SPI 看门狗功能（如果已使能）的超时周期。当看门狗超时窗口中没有收到有效的 SPI 命令时，会触发看门狗超时。 0h = 看门狗超时周期为 400µs 1h = 看门狗超时周期为 400ms 2h = 看门狗超时周期为 800ms 3h = 看门狗超时周期为 1200ms
0	FLT_LTCH_DIS	R/W	0h	该位决定发生故障时，是否应该锁存 FAULT_GLOBAL_TYPE [13:8] 中的故障位。 0h = FAULT_GLOBAL_TYPE 寄存器中的故障位 [13:8] 将被锁存，仅当读取相关寄存器时才能清除 1h = FAULT_GLOBAL_TYPE 寄存器中的故障位 [13:8] 不会被锁存，当故障不再存在时将被清除注意：有关如何在 FLT_LTCH_DIS = 0 时清除各个故障位的更多详细信息，请参阅每个故障位的说明。LPM_STATUS[0] 为只读。

8.5.9 ADC_CONFIG 寄存器（偏移 = Ah）[复位 = FF3Ah]

ADC_CONFIG 如表 8-23 所示。

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表 8-23 ADC_CONFIG 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15-8	RESERVED	R	FFh	保留
7-6	ADC_ISNS_SAMPLE_CONFIG	R/W	0h	这些位决定电流检测 (ISNS) 的采样率和转换率。采样率和转换率越低，IQ 消耗越低。 0h = 以最大速率进行电流检测和 ADC 转换 1h = 以最大速率进行电流检测和 ADC 转换 2h = 以最大速率的一半进行电流检测和 ADC 转换 3h = 以最大速率的四分之一进行电流检测和 ADC 转换
5	ADC_VDS_DIS	R/W	1h	该位决定是否应禁用所有通道的 VDS 检测功能。如果禁用，则 ADC 转换序列中不包含所有通道的 VDS 转换。注意：也可以通过 CHx_CONFIG 寄存器中的 VDS_SNS_DIS_CHx 位使能或禁用每条通道的 VDS 检测功能。该位必须设置为 0 才能基于通道使能/禁用该功能。 0h = VDS_SNS ADC 功能已使能 1h = 禁用所有通道的 VDS SNS ADC 功能，所有通道的 ADC 转换序列中不包含 VDS_SNS ADC 转换
4	ADC_VSNS_DIS	R/W	1h	该位决定是否应禁用所有通道的 VOUT 检测 (VSNS) 功能。如果禁用，则 ADC 转换序列中不包含所有通道的 VOUT 转换。注意：也可以通过 CHx_CONFIG 寄存器中的 VSNS_DIS_CHx 位使能或禁用每条通道的 VSNS 功能。该位必须设置为 0 才能基于通道使能/禁用该功能。 0h = VSNS ADC 功能已使能 1h = 禁用所有通道的 VSNS ADC 功能，所有通道的 ADC 转换序列中不包含 VSNS ADC 转换
3	ADC_TSNS_DIS	R/W	1h	该位决定是否禁用所有通道的温度检测功能。如果禁用，则 ADC 转换序列中不包含所有通道的温度检测转换。注意：温度检测功能只能全局使能或禁用 0h = TSNS ADC 功能已使能 1h = 禁用所有通道的 TSNS ADC 功能，所有通道的 ADC 转换序列中不包含 TSNS ADC 转换
2	ADC_ISNS_DIS	R/W	0h	该位决定是否禁用所有通道的电流检测 (ISNS) 功能。如果禁用，则 ADC 转换序列中不包含所有通道的 ISNS 转换注意：也可以通过 CHx_CONFIG 寄存器中的 ISNS_DIS_CHx 位使能或禁用每条通道的 ISNS 功能。该位必须设置为 0 才能基于通道使能/禁用该功能。 0h = ISNS ADC 功能已使能 1h = 禁用所有通道的 ISNS ADC 功能，所有通道的 ADC 转换序列中不包含 ISNS ADC 转换
1	ADC_VBB_DIS	R/W	1h	该位决定是否禁用 VBB_SNS 功能。如果禁用，则 ADC 转换序列中不包含电源电压 VBB 转换。 0h = VBB_SNS ADC 功能已使能，ADC 转换序列中包含 VBB_SNS ADC 转换 1h = VBB_SNS ADC 功能已禁用，ADC 转换序列中不包含 VBB_SNS ADC 转换
0	ADC_DIS	R/W	0h	该位决定是否应禁用 ADC 功能。如果禁用，则无法使用 VDS_SNS、VSNS、TSNS 或 ISNS。ADC 默认已使能。 0h = 启用 ADC 功能 1h = 禁用所有 ADC 功能

8.5.10 ADC_RESULT_VBB 寄存器（偏移 = Bh）[复位 = F800h]

ADC_RESULT_VBB 如表 8-24 所示。

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表 8-24 ADC_RESULT_VBB 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15-11	RESERVED	R	1Fh	保留
10	VBB_RDY	R	0h	该位指示自上次读取后是否有 VBB 电压转换的新 ADC 结果可用 0h = VBB ADC 值未更新 1h = 自上次读取后新的 VBB ADC 值已就绪
9-0	ADC_RESULT_VBB	R	0h	转换 VBB 电压得到的 10 位 ADC 结果

8.5.11 FLT_STAT_CH1 寄存器（偏移 = Dh）[复位 = E000h]

FLT_STAT_CH1 如表 8-25 所示。

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表 8-25 FLT_STAT_CH1 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15-13	RESERVED	R	7h	保留
12	I2T_MOD_CH1	R	0h	该位指示通道 1 是否处于 I2T 循环中且正在累加或递减。当通道 1 不在 I2T 循环中时，该值将为 0 0h = I2T 关断或该通道不在 I2T 循环中 1h = 通道在 I2T 循环中且正在累加
11	LATCH_STAT_CH1	R	0h	该位指示通道 1 是否由于过流保护或热关断故障而被锁存。当通道关闭再重新开启时，该位将被清除。注意：当由于 I2T 而发生关断时，该位不会发出信号 0h = 该通道不会被锁存 1h = 该通道当前已被锁闭
10	FLT_CH1	R	0h	该位指示通道 1 当前是否处于自动重试等待时间周期 (2ms)、锁存或 I2T 冷却状态 0h = 该通道当前未处于自动重试等待时间、锁存状态或 I2T 冷却状态 1h = 该通道当前处于自动重试等待时间、锁存状态或 I2T 冷却状态
9	SW_STATE_STAT_CH1	R	0h	无论器件处于哪种模式，只要 SPI 正常工作，该位都会指示通道 1 的当前状态 0h = CH1 已关闭 1h = CH1 已开启
8	VOUT_ERR_CH1	R	0h	该位指示在经过 INRUSH_DURATION 周期后，如果已使能，通道 1 输出的漏源电压 (VDS) 是否小于 2V。 0h = 使能该通道时，输出电压正确 (< 2V) 1h = 应使能或禁用该通道时，输出电压不正确 (>2V)
7	I2T_FLT_CH1	RC	0h	该位指示通道 1 上是否发生了 I2T 故障。I2T_EN 必须设置为 1，才能使该位指示 I2T 故障。该故障将被锁存，当读取 FLT_STAT_CH1 寄存器且故障条件不再存在时将被清除注意：该位不指示过流保护或热关断故障 0h = 未发生 I2T 故障或 I2T 未使能 1h = 该通道上发生了 I2T 故障
6	LPM_WAKE_CH1	RC	0h	该位指示通道 1 是否是器件退出 MANUAL_LPM 的原因，无论原因是什么（负载阶跃、短路） 0h = 器件未处于 LPM 或该通道并非器件退出 MANUAL_LPM 模式的原因 1h = 该通道是器件退出 MANUAL_LPM 的原因
5	THERMAL_SD_CH1	RC	0h	该位指示通道 1 上是否发生了热关断故障。该故障将被锁存，当读取 FLT_STAT_CH1 寄存器且通道温度降至低于热关断迟滞阈值时将被清除 0h = 该通道上未发生热关断故障 1h = 该通道上发生了热关断故障
4	ILIMIT_CH1	RC	0h	该位指示通道 1 上是否发生了过流保护故障该故障将被锁存，当读取 FLT_STAT_CH1 寄存器且故障条件不再存在时将被清除 0h = 该通道上未发生过流保护故障 1h = 该通道上发生了过流保护故障
3	SHRT_VBB_CH1	RC	0h	该位指示通道 1 在关断状态下是否发生了 VBB 短路。通道 2 的输出通过 RSHRT_VBB 内部电阻器下拉。该故障将被锁存，当读取 FLT_STAT_CH1 寄存器且故障条件不再存在时将被清除 0h = 该通道在关断状态下未发生 VBB 短路故障，或未使能关断状态下的 VBB 短路 1h = 该通道上发生了关断状态下的 VBB 短路故障
2	OL_OFF_CH1	RC	0h	该位指示通道 1 在关断状态下是否存在开路负载。通道 1 的输出通过 OL_PULLUP_STR 设置上拉。该故障将被锁存，当读取 FLT_STAT_CH1 寄存器且故障条件不再存在时将被清除 0h = 该通道上未发生关断状态开路负载故障，或未使能关断状态开路负载检测 1h = 该通道上发生了关断状态开路负载故障
1	RESERVED	R	0h	保留
0	THERMAL_WRN_CH1	RC	0h	该位指示通道 1 的 FET 温度是否高于过热警告阈值。该故障将被锁存，当读取 FLT_STAT_CH1 寄存器且故障条件不再存在时将被清除 0h = 该通道中的 FET 温度低于过热警告阈值 1h = 该通道中的 FET 温度高于过热警告阈值

8.5.12 PWM_CH1 寄存器（偏移 = Eh）[复位 = F000h]

PWM_CH1 如表 8-26 所示。

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表 8-26 PWM_CH1 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15-12	RESERVED	R	Fh	保留
11-9	PWM_FREQ_CH1	R/W	0h	设置 PWM 频率 0h = 0.8Hz 1h = 3.4Hz 2h = 13.8Hz 3h = 111Hz 4h = 221Hz 5h = 425Hz 6h = 885Hz 7h = 1770Hz
8-1	PWM_DTY_CH1	R/W	0h	这些位用于设置通道 1 PWM 操作的占空比。每个位的占空比约为 0.39%，线性上升至 100% 占空比
0	PWM_EN_CH1	R/W	0h	该位使能通道 1 的 PWM 操作。注意：PWM 占空比 > 200us。是否发生故障将在 FLT_STAT_CH1 寄存器中反映。仅当 CAP_CHRG_CH1[1:0] = 0 时，才能使能 PWM 模式 0h = 输出跟随 CH1_ON 设置 1h = 如果 CH1_ON 为高电平，则输出为根据占空比和频率设置的 PWM

8.5.13 ILIM_CONFIG_CH1 寄存器（偏移 = Fh）[复位 = 0066h]

ILIM_CONFIG_CH1 如表 8-27 所示。

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表 8-27 ILIM_CONFIG_CH1 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15-14	RESERVED	R/W	0h	保留
13-12	CAP_CHRG_CH1	R/W	0h	这些位将在开启后的浪涌周期内设置电容充电模式。当 CAP_CHRG_CH1 = 00 时，这些位在 INRUSH_DURATION_CH1 周期内编程为过流保护阈值。如果达到阈值，通道将立即关断。当 CAP_CHRG_CH1 = 10 时，这些位编程为电流限制调节阈值。通道将开启进入电流限制状态，并持续调节电流，直到输出充满电或出现热关断事件。注意：在 INRUSH_DURATION 期间未使能 PWM 和 I2T。 0h = 无电容充电模式，IOCP 值通过 INRUSH_LIMIT_CH1 位设置 1h = 不支持 2h = 电流限制调节模式，值通过 INRUSH_LIMIT_CH1 位设置 3h = 不支持
11	I2T_EN_CH1	R/W	0h	使能通道 1 的 I2T 功能。I2T 可在使能通道之前或使能通道期间使能，但 I2T 计算仅在浪涌周期结束后开始。 0h = I2T 功能未使能 1h = I2T 功能已使能
10-8	INRUSH_DURATION_CH1	R/W	0h	这些位决定浪涌周期持续时间，在此期间 INRUSH_LIMIT_CH1 电平有效。 0h = 0ms 1h = 2ms 2h = 4ms 3h = 6ms 4h = 10ms 5h = 20ms 6h = 50ms 7h = 100ms
7-4	INRUSH_LIMIT_CH1	R/W	6h	这些位决定了通过 CAP_CHRG_CH1 位设置的不同电容充电模式下，通道 1 上的浪涌电流限制。如果未使用电容充电模式 (CAP_CHRG_CH1 = 00)，则值为： 0h = 10A 1h = 12.5A 2h = 15A 3h = 17.5A 4h = 20A 5h = 22.5A 6h = 25A 注意：CAP_CHRG_CH1 = 00 时，并联模式下支持的最大 INRUSH_LIMIT_CH1 值为 20A。如果使用电流调节模式 (CAP_CHRG_CH1 = 10)，则值为： 0h = 1.5A 1h = 1.85A 2h = 2.25A 3h = 2.6A 4h = 3A 5h = 3.4A 6h = 3.8A 7h = 5A 8h = 6.25A 9h = 7.5A Ah = 8.7A Bh = 10.1A Ch = 11.3A 不支持其他设置。
3-0	ILIMIT_SET_CH1	R/W	6h	这些位决定 INRUSH_DURATION 周期过期后通道 1 稳态运行时的过流保护 (I_OCP) 阈值。注意：CAP_CHRG_CH1 = 00 时，并联模式下支持的最大 ILIMIT_SET_CH1 值为 20A。 0h = 10A 1h = 12.5A 2h = 15A 3h = 17.5A 4h = 20A 5h = 22.5A 6h = 25A 不支持其他设置。

8.5.14 CH1_CONFIG 寄存器（偏移 = 10h）[复位 = C002h]

CH1_CONFIG 如表 8-28 所示。

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表 8-28 CH1_CONFIG 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15	VSNS_DIS_CH1	R/W	1h	该位决定是否使能通道 1 的 VOUT VSNS ADC 功能。 0h = CH1 VOUT VSNS ADC 功能已使能 1h = CH1 VOUT VSNS ADC 功能已禁用
14	VDS_SNS_DIS_CH1	R/W	1h	该位决定是否使能通道 1 的 VDS_SNS ADC 功能。 0h = CH1 VDS_SNS ADC 功能已使能 1h = CH1 VDS_SNS ADC 功能已禁用
13	ISNS_DIS_CH1	R/W	0h	该位决定是否使能通道 1 的 ISNS ADC 功能。 0h = CH1 ISNS ADC 功能已使能 1h = CH1 ISNS ADC 功能已禁用
12-11	RESERVED	R/W	0h	保留
10	ISNS_SCALE_CH1	R/W	0h	该位决定 ADC 输入的通道 1 ISNS 的电压调节注意：建议仅在 OL_ON_EN_CH1 = 1 模式下且 I2T 已禁用 (I2T_EN_CH1 = 0) 时使用 8 倍电压调节选项。如果 I2T 已使能 (I2T_EN_CH1 = 1) 且 ISNS_SCALE_CH1 = 1，则对 I2T 算法应用 8 倍电压调节，这将提供不同的 I2T 跳闸阈值，并可能导致通道在较低的 I2T 阈值关断。 0h = ADC 输入电压调整比例等于 1 倍 1h = ADC 输入电压调整比例等于 8 倍
9	OL_ON_EN_CH1	R/W	0h	该位决定通道 1 是否应进入具有较高 RON 和较低 KSNS 值的模式，以更准确地测量较低的输出电流。注意：建议仅在 I2T 已禁用 (I2T_EN_CH1 = 0) 时使用 OL_ON_EN_CH1 = 1 模式。如果 I2T 已使能 (I2T_EN_CH1 = 1) 且 OL_ON_EN_CH1 = 1，则对 I2T 算法应用较低的 K_SNS2，这将提供不同的 I2T 跳闸阈值，并可能导致通道在较低的 I2T 阈值关断。仅当通道上没有现有故障且输出电流低于 I_{ENTRY_OL_ON} 时，器件才能进入此模式。 0h = KSNS1 比率且 RON = RON 1h = KSNS2 比率且 RON = RON_OL
8-7	OL_SVBB_BLANK_CH1	R/W	0h	这些位决定通道 1 在 OFF 状态下开路负载或 VBB 短路故障的消隐时间 0h = 消隐时间为 0.4ms 1h = 消隐时间为 1.0ms 2h = 消隐时间为 2.0ms 3h = 消隐时间为 4.0ms
6-5	OL_PU_STR_CH1	R/W	0h	这些位决定关断状态开路负载检测电路在 VOUT1 处的上拉电流 (I_pu)。 0h = I_pu 为 26.5µA 1h = I_pu 为 60µA 2h = I_pu 为 127µA 3h = I_pu 为 260µA
4-3	OL_SVBB_EN_CH1	R/W	0h	这些位用于在 OFF 状态下使能开路负载和电源短路检测。将这些位设置为 10 会导通上拉电阻，通过输出比较器检测在关断状态下是否存在开路负载或电源短路。如果 OL_OFF_CH1 = 1，则存在电源短路或开路负载故障。此后，这些位可设置为 01，导通下拉电阻以区分关断状态下的电源短路与开路负载。如果发生电源短路，则 SHRT_VBB_CH1 = 1；否则，SHRT_VBB_CH1 = 0 并存在开路负载。“开关禁用时的检测”部分详述了上述顺序 0h = 禁用 1h = 使能输出下拉电阻以区分电源短路与开路负载。 2h = 使能从 VBB 电源到输出的上拉电阻，以检测是否存在开路负载或电池短路。 3h = 仅使能输出比较器，使用外部开关和上拉/下拉电阻以检测开路负载或电源短路。
2	LATCH_CH1	R/W	0h	该位决定发生过流或热关断事件后通道 1 应自动重试还是锁存。 0h = 通道 1 将在 tRETRY 到期且达到 THYS 后自动重试 1h = 通道 1 会锁存，直到再次写入 SW_STATE 寄存器
1-0	SLRT_CH1	R/W	2h	这些位决定通道 1 的导通和关断压摆率。 0h = 0.14 V/µs 1h = 0.2 V/µs 2h = 0.25 V/µs 3h = 0.32 V/µs

8.5.15 ADC_RESULT_CH1_I 寄存器（偏移 = 11h）[复位 = F000h]

ADC_RESULT_CH1_I 如表 8-29 所示。

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表 8-29 ADC_RESULT_CH1_I 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15-12	RESERVED	R	Fh	保留
11	ISNS_SCALE_EFF_CH1	R	0h	该位指示用于转换的电压调节系数 0h = 1 倍 ISNS1 电压调节 1h = 8 倍 ISNS1 电压调节
10	ISNS_RDY_CH1	R	0h	确保自上次读取此项时后 ADC 转换为新值 0h = ADC 值未更新 1h = 自上次读取后 ADC 值已就绪
9-0	ADC_RESULT_CH1_I	R	0h	CH1 中电流转换的 ADC 结果（10 位）

8.5.16 ADC_RESULT_CH1_T 寄存器（偏移 = 12h）[复位 = F800h]

ADC_RESULT_CH1_T 如表 8-30 所示。

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表 8-30 ADC_RESULT_CH1_T 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15-11	RESERVED	R	1Fh	保留
10	TSNS_RDY_CH1	R	0h	该位指示自上次读取后是否有通道 1 TSNS转换的新 ADC 结果可用 0h = ADC 值未更新 1h = 自上次读取后 ADC 值已就绪
9-0	ADC_RESULT_CH1_T	R	0h	转换通道 1 FET 温度得到的 10 位 ADC 结果 (TSNS)

8.5.17 ADC_RESULT_CH1_V 寄存器（偏移 = 13h）[复位 = F800h]

ADC_RESULT_CH1_V 如表 8-31 所示。

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表 8-31 ADC_RESULT_CH1_V 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15-11	RESERVED	R	1Fh	保留
10	VSNS_RDY_CH1	R	0h	该位指示自上次读取后是否有通道 1 VOUT 电压 (VSNS) 转换的新 ADC 结果可用 0h = ADC 值未更新 1h = 自上次读取后 ADC 值已就绪
9-0	ADC_RESULT_CH1_V	R	0h	转换通道 1 VOUT 电压得到的 10 位 ADC 结果 (VSNS)

8.5.18 ADC_RESULT_CH1_VDS 寄存器（偏移 = 14h）[复位 = F800h]

ADC_RESULT_CH1_VDS 如表 8-32 所示。

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表 8-32 ADC_RESULT_CH1_VDS 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15-11	RESERVED	R	1Fh	保留
10	VDSSNS_RDY_CH1	R	0h	该位指示自上次读取后是否有通道 1 VDS 电压 (VDSSNS) 转换的新 ADC 结果可用 0h = ADC 值未更新 1h = 自上次读取后 ADC 值已就绪
9-0	ADC_RESULT_CH1_VDS	R	0h	转换通道 1 VDS 电压得到的 10 位 ADC 结果 (VDSSNS)

8.5.19 I2T_CONFIG_CH1 寄存器（偏移 = 15h）[复位 = 0000h]

I2T_CONFIG_CH1 如表 8-33 所示。

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表 8-33 I2T_CONFIG_CH1 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15-14	TCLDN_CH1	R/W	0h	这些位设置通道 1 在 I2T 关断后的冷却时间（或重试时间）。注意：如果使用设置 0x0，则通道将在 I2T 关断后保持关断状态而不会重试。要在此设置中重试，请将这些位更改为 0.8s、2.0s 或 4.0s 选项，以允许器件在 I2T 关断后重试。 0h = 无限期冷却 1h = 0.8s 2h = 2.0s 3h = 4.0s
13-11	RESERVED	R/W	0h	保留
10-9	SWCL_DLY_TMR_CH1	R/W	0h	这些位将设置计时器，如果 IOUT 电流持续超过 ISWCL 电平达到配置的时间，通道 1 将关断。 0h = 0.2ms 1h = 0.4ms 2h = 1.0ms 3h = 2.0ms
8-7	ISWCL_CH1	R/W	0h	这些位设置通道 1 的延迟关断电流检测值 (I_SWCL,700)。IOUT 电流超过 I_SWCL,700 值后，计时器将启动；如果电流保持高于 I_SWCL,700 阈值的持续时间达到 SWCL_DLY_TMR_CH1，将关断通道。该阈值应设置为低于电流检测饱和值 (I_{OUT_SAT} = K_SNS1 * I_{SNS_SAT})。以下电流阈值假设 R_SNS = 700Ω。要根据不同的 R_SNS 值计算新的 I_SWCL,700 阈值，可使用以下公式： I_SWCL,ADJ = I_SWCL,700 * (700/R_SNS) 0h = 19.55A 1h = 17.6A 2h = 16.05A 3h = 13.3A
6-3	I2T_TRIP_CH1	R/W	0h	这些位设置通道 1 的 I2T 跳闸值。注意：I2T 跳闸值的参考公式如下：I2T = (I_OUT1² - NOM_CUR_CH1²) * t 以下值假设 R_SNS = 700Ω。要根据不同的 R_SNS 值计算新的 I2T 跳闸值，可使用以下公式： I2T_ADJ = I2T₇₀₀ * (700/R_SNS)² 注意：器件处于冷却周期时，无法修改 I2T_TRIP_CH1 值。 0h = 8.8 A2s 1h = 13.1 A2s 2h = 26.3 A2s 3h = 39.4 A2s 4h = 52.5 A2s 5h = 65.6 A2s 6h = 78.8 A2s 7h = 91.9 A2s 8h = 109.4 A2s 9h = 126.9 A2s Ah = 144.4 A2s Bh = 166.3 A2s Ch = 192.5 A2s Dh = 218.8 A2s Eh = 262.5 A2s Fh = 350 A2s
2-0	NOM_CUR_CH1	R/W	0h	这些位设置 I2T 功能通道 1 的标称电流值。如果为通道 1 使能 I2T 功能，则高于该值时，器件将进入 I2T 累加模式。下面的标称电流值假设 R_SNS = 700Ω。要根据不同的 R_SNS 值计算新的 I2T 跳闸值，可使用以下公式： NOM_CUR_CH1_ADJ = NOM_CUR_CH1₇₀₀ * (700 / R_SNS) 注意：器件处于冷却周期时，无法修改 NOM_CUR_CH1 值。 0h = 4.0A 1h = 5.0A 2h = 5.7A 3h = 6.5A 4h = 7.5A 5h = 9.0A 6h = 12.0A 7h = 15.0A

8.5.20 FLT_STAT_CH2 寄存器（偏移 = 16h）[复位 = E000h]

FLT_STAT_CH2 如表 8-34 所示。

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表 8-34 FLT_STAT_CH2 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15-13	RESERVED	R	7h	保留
12	I2T_MOD_CH2	R	0h	该位指示通道 2 是否处于 I2T 循环中且正在累加或递减。当通道 2 不在 I2T 循环中时，该值将为 0 0h = I2T 关断或该通道不在 I2T 循环中 1h = 通道在 I2T 循环中且正在累加
11	LATCH_STAT_CH2	R	0h	该位指示通道 2 是否由于过流保护或热关断故障而被锁存。当通道关闭再重新开启时，该位将被清除。注意：当由于 I2T 而发生关断时，该位不会发出信号 0h = 该通道不会被锁存 1h = 该通道当前已被锁闭
10	FLT_CH2	R	0h	该位指示通道 2 当前是否处于自动重试等待时间周期 (2ms)、锁存或 I2T 冷却状态 0h = 该通道当前未处于自动重试等待时间、锁存状态或 I2T 冷却状态 1h = 该通道当前处于自动重试等待时间、锁存状态或 I2T 冷却状态
9	SW_STATE_STAT_CH2	R	0h	无论器件处于哪种模式，只要 SPI 正常工作，该位都会指示通道 2 的当前状态 0h = CH2 已关闭 1h = CH2 已开启
8	VOUT_ERR_CH2	R	0h	该位指示在经过 INRUSH_DURATION 周期后，如果已使能，通道 2 输出的漏源电压 (VDS) 是否小于 2V。 0h = 使能该通道时，输出电压正确 (< 2V) 1h = 应使能或禁用该通道时，输出电压不正确 (>2V)
7	I2T_FLT_CH2	RC	0h	该位指示通道 2 上是否发生了 I2T 故障。I2T_EN 必须设置为 1，才能使该位指示 I2T 故障。该故障将被锁存，当读取 FLT_STAT_CH2 寄存器且故障条件不再存在时将被清除注意：该位不指示过流保护或热关断故障 0h = 未发生 I2T 故障或 I2T 未使能 1h = 该通道上发生了 I2T 故障
6	LPM_WAKE_CH2	RC	0h	该位指示通道 2 是否是器件退出 MANUAL_LPM 的原因，无论原因是什么（负载阶跃、短路） 0h = 器件未处于 LPM 或该通道并非器件退出 MANUAL_LPM 模式的原因 1h = 该通道是器件退出 MANUAL_LPM 的原因
5	THERMAL_SD_CH2	RC	0h	该位指示通道 2 上是否发生了热关断故障。该故障将被锁存，当读取 FLT_STAT_CH2 寄存器且通道温度降至低于热关断迟滞阈值时将被清除 0h = 该通道上未发生热关断故障 1h = 该通道上发生了热关断故障
4	ILIMIT_CH2	RC	0h	该位指示通道 2 上是否发生了过流保护故障该故障将被锁存，当读取 FLT_STAT_CH2 寄存器且故障条件不再存在时将被清除 0h = 该通道上未发生过流保护故障 1h = 该通道上发生了过流保护故障
3	SHRT_VBB_CH2	RC	0h	该位指示通道 2 在关断状态下是否发生了 VBB 短路。通道 2 的输出通过 RSHRT_VBB 内部电阻器下拉。该故障将被锁存，当读取 FLT_STAT_CH2 寄存器且故障条件不再存在时将被清除 0h = 该通道在关断状态下未发生 VBB 短路故障，或未使能关断状态下的 VBB 短路 1h = 该通道上发生了关断状态下的 VBB 短路故障
2	OL_OFF_CH2	RC	0h	该位指示通道 2 在关断状态下是否存在开路负载。通道 2 的输出通过 OL_PULLUP_STR 设置上拉。该故障将被锁存，当读取 FLT_STAT_CH2 寄存器且故障条件不再存在时将被清除 0h = 该通道上未发生关断状态开路负载故障，或未使能关断状态开路负载检测 1h = 该通道上发生了关断状态开路负载故障
1	RESERVED	R	0h	保留
0	THERMAL_WRN_CH2	RC	0h	该位指示通道 2 的 FET 温度是否高于过热警告阈值。该故障将被锁存，当读取 FLT_STAT_CH2 寄存器且故障条件不再存在时将被清除 0h = 该通道中的 FET 温度低于过热警告阈值 1h = 该通道中的 FET 温度高于过热警告阈值

8.5.21 PWM_CH2 寄存器（偏移 = 17h）[复位 = F000h]

PWM_CH2 如表 8-35 所示。

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表 8-35 PWM_CH2 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15-12	RESERVED	R	Fh	保留
11-9	PWM_FREQ_CH2	R/W	0h	设置 PWM 频率 0h = 0.8Hz 1h = 3.4Hz 2h = 13.8Hz 3h = 111Hz 4h = 221Hz 5h = 425Hz 6h = 885Hz 7h = 1770Hz
8-1	PWM_DTY_CH2	R/W	0h	这些位用于设置通道 2 PWM 操作的占空比。每个位的占空比约为 0.39%，线性上升至 100% 占空比
0	PWM_EN_CH2	R/W	0h	该位使能通道 2 的 PWM 操作。注意：PWM 占空比 > 200us。是否发生故障将在 FLT_STAT_CH2 寄存器中反映。仅当 CAP_CHRG_CH2[1:0] = 0 时，才能使能 PWM 模式 0h = 输出跟随 CH2_ON 设置 1h = 如果 CH2_ON 为高电平，则输出为根据占空比和频率设置的 PWM

8.5.22 ILIM_CONFIG_CH2 寄存器（偏移 = 18h）[复位 = 0066h]

ILIM_CONFIG_CH2 如表 8-36 所示。

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表 8-36 ILIM_CONFIG_CH2 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15-14	RESERVED	R/W	0h	保留
13-12	CAP_CHRG_CH2	R/W	0h	这些位将在开启后的浪涌周期内设置电容充电模式。当 CAP_CHRG_CH1 = 00 时，这些位在 INRUSH_DURATION_CH1 周期内编程为过流保护阈值。如果达到阈值，通道将立即关断。当 CAP_CHRG_CH1 = 10 时，这些位编程为电流限制调节阈值。通道将开启进入电流限制状态，并持续调节电流，直到输出充满电或出现热关断事件。注意：在 INRUSH_DURATION 期间未使能 PWM 和 I2T。 0h = 无电容充电模式，IOCP 值通过 INRUSH_LIMIT_CH1 位设置 1h = 不支持 2h = 电流限制调节模式，值通过 INRUSH_LIMIT_CH1 位设置 3h = 不支持
11	I2T_EN_CH2	R/W	0h	使能通道 2 的 I2T 功能。I2T 可在使能通道之前或使能通道期间使能，但 I2T 计算仅在浪涌周期结束后开始。 0h = I2T 功能未使能 1h = I2T 功能已使能
10-8	INRUSH_DURATION_CH2	R/W	0h	这些位决定浪涌周期持续时间，在此期间 INRUSH_LIMIT_CH2 电平有效。 0h = 0ms 1h = 2ms 2h = 4ms 3h = 6ms 4h = 10ms 5h = 20ms 6h = 50ms 7h = 100ms
7-4	INRUSH_LIMIT_CH2	R/W	6h	这些位决定了通过 CAP_CHRG_CH1 位设置的不同电容充电模式下，通道 2 上的浪涌电流限制。如果未使用电容充电模式 (CAP_CHRG_CH2 = 00)，则值为： 0h = 10A 1h = 12.5A 2h = 15A 3h = 17.5A 4h = 20A 5h = 22.5A 6h = 25A 如果使用电流调节模式 (CAP_CHRG_CH2 = 10)，则值为： 0h = 1.5A 1h = 1.85A 2h = 2.25A 3h = 2.6A 4h = 3A 5h = 3.4A 6h = 3.8A 7h = 5A 8h = 6.25A 9h = 7.5A Ah = 8.7A Bh = 10.1A Ch = 11.3A 不支持其他设置。
3-0	ILIMIT_SET_CH2	R/W	6h	这些位决定 INRUSH_DURATION 周期过期后通道 2 稳态运行时的过流保护 (I_OCP) 阈值。 0h = 10A 1h = 12.5A 2h = 15A 3h = 17.5A 4h = 20A 5h = 22.5A 6h = 25A 不支持其他设置。

8.5.23 CH2_CONFIG 寄存器（偏移 = 19h）[复位 = C002h]

CH2_CONFIG 如表 8-37 所示。

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表 8-37 CH2_CONFIG 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15	VSNS_DIS_CH2	R/W	1h	该位决定是否使能通道 2 的 VOUT VSNS ADC 功能。 0h = CH2 VOUT VSNS ADC 功能已使能 1h = CH2 VOUT VSNS ADC 功能已禁用
14	VDSSNS_DIS_CH2	R/W	1h	该位决定是否使能通道 2 的 VDS_SNS ADC 功能。 0h = CH2 VDS_SNS ADC 功能已使能 1h = CH2 VDS_SNS ADC 功能已禁用
13	ISNS_DIS_CH2	R/W	0h	该位决定是否使能通道 2 的 ISNS ADC 功能。 0h = CH2 ISNS ADC 功能已使能 1h = CH2 ISNS ADC 功能已禁用
12-11	RESERVED	R/W	0h	保留
10	ISNS_SCALE_CH2	R/W	0h	该位决定 ADC 输入的通道 2 ISNS 的电压调节注意：建议仅在 OL_ON_EN_CH2 = 1 模式下且 I2T 已禁用 (I2T_EN_CH2 = 0) 时使用 8 倍电压调节选项。如果 I2T 已使能 (I2T_EN_CH2 = 1) 且 ISNS_SCALE_CH2 = 1，则对 I2T 算法应用 8 倍电压调节，这将提供不同的 I2T 跳闸阈值，并可能导致通道在较低的 I2T 阈值关断。 0h = ADC 输入电压调整比例等于 1 倍 1h = ADC 输入电压调整比例等于 8 倍
9	OL_ON_EN_CH2	R/W	0h	该位决定通道 2 是否应进入具有较高 RON 和较低 KSNS 值的模式，以更准确地测量较低的输出电流。注意：建议仅在 I2T 已禁用 (I2T_EN_CH2 = 0) 时使用 OL_ON_EN_CH2 = 1 模式。如果 I2T 已使能 (I2T_EN_CH2 = 1) 且 OL_ON_EN_CH2 = 1，则对 I2T 算法应用较低的 K_SNS2，这将提供不同的 I2T 跳闸阈值，并可能导致通道在较低的 I2T 阈值关断。仅当通道上没有现有故障且输出电流低于 I_{ENTRY_OL_ON} 时，器件才能进入此模式。 0h = KSNS1 比率且 RON = RON 1h = KSNS2 比率且 RON = RON_OL
8-7	OL_SVBB_BLANK_CH2	R/W	0h	这些位决定通道 2 在 OFF 状态下开路负载或 VBB 短路故障的消隐时间 0h = 消隐时间为 0.4ms 1h = 消隐时间为 1.0ms 2h = 消隐时间为 2.0ms 3h = 消隐时间为 4.0ms
6-5	OL_PU_STR_CH2	R/W	0h	这些位决定关断状态开路负载检测电路在 VOUT1 处的上拉电流 (I_pu)。 0h = I_pu 为 26.5µA 1h = I_pu 为 60µA 2h = I_pu 为 127µA 3h = I_pu 为 260µA
4-3	OL_SVBB_EN_CH2	R/W	0h	这些位用于在 OFF 状态下使能开路负载和电源短路检测。将这些位设置为 10 会导通上拉电阻，通过输出比较器检测在关断状态下是否存在开路负载或电源短路。如果 OL_OFF_CH2 = 1，则存在电源短路或开路负载故障。此后，这些位可设置为 01，导通下拉电阻以区分关断状态下的电源短路与开路负载。如果发生电源短路，则 SHRT_VBB_CH2 = 1；否则，SHRT_VBB_CH2 = 0 并存在开路负载。“开关禁用时的检测”部分详述了上述顺序 0h = 禁用 1h = 导通输出下拉电阻以区分电源短路与开路负载。 2h = 导通从 VBB 电源到输出的上拉电阻，以检测是否存在开路负载或电池短路。 3h = 使能输出比较器，使用外部开关和上拉/下拉电阻以检测开路负载或电源短路。
2	LATCH_CH2	R/W	0h	该位决定发生过流或热关断事件后通道 2 应自动重试还是锁存。 0h = 通道 2 将在 tRETRY 到期且达到 THYS 后自动重试 1h = 通道 2 会锁存，直到再次写入 SW_STATE 寄存器
1-0	SLRT_CH2	R/W	2h	这些位决定通道 2 的导通和关断压摆率。 0h = 0.14 V/µs 1h = 0.2 V/µs 2h = 0.25 V/µs 3h = 0.32 V/µs

8.5.24 ADC_RESULT_CH2_I 寄存器（偏移 = 1Ah）[复位 = F000h]

ADC_RESULT_CH2_I 如表 8-38 所示。

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表 8-38 ADC_RESULT_CH2_I 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15-12	RESERVED	R	Fh	保留
11	ISNS_SCALE_EFF_CH2	R	0h	该位指示用于转换的电压调节系数 0h = 1 倍 ISNS2 电压调节 1h = 8 倍 ISNS2 电压调节
10	ISNS_RDY_CH2	R	0h	确保自上次读取此项时后 ADC 转换为新值 0h = ADC 值未更新 1h = 自上次读取后 ADC 值已就绪
9-0	ADC_RESULT_CH2_I	R	0h	CH2 中电流转换的 ADC 结果（10 位）

8.5.25 ADC_RESULT_CH2_T 寄存器（偏移 = 1Bh）[复位 = F800h]

ADC_RESULT_CH2_T 如表 8-39 所示。

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表 8-39 ADC_RESULT_CH2_T 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15-11	RESERVED	R	1Fh	保留
10	TSNS_RDY_CH2	R	0h	该位指示自上次读取后是否有通道 2 TSNS转换的新 ADC 结果可用 0h = ADC 值未更新 1h = 自上次读取后 ADC 值已就绪
9-0	ADC_RESULT_CH2_T	R	0h	转换通道 2 FET 温度得到的 10 位 ADC 结果 (TSNS)

8.5.26 ADC_RESULT_CH2_V 寄存器（偏移 = 1Ch）[复位 = F800h]

ADC_RESULT_CH2_V 如表 8-40 所示。

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表 8-40 ADC_RESULT_CH2_V 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15-11	RESERVED	R	1Fh	保留
10	VSNS_RDY_CH2	R	0h	该位指示自上次读取后是否有通道 2 VOUT 电压 (VSNS) 转换的新 ADC 结果可用 0h = ADC 值未更新 1h = 自上次读取后 ADC 值已就绪
9-0	ADC_RESULT_CH2_V	R	0h	转换通道 2 VOUT 电压得到的 10 位 ADC 结果 (VSNS)

8.5.27 ADC_RESULT_CH2_VDS 寄存器（偏移 = 1Dh）[复位 = F800h]

ADC_RESULT_CH2_VDS 如表 8-41 所示。

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表 8-41 ADC_RESULT_CH2_VDS 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15-11	RESERVED	R	1Fh	保留
10	VDSSNS_RDY_CH2	R	0h	该位指示自上次读取后是否有通道 2 VDS 电压 (VDSSNS) 转换的新 ADC 结果可用 0h = ADC 值未更新 1h = 自上次读取后 ADC 值已就绪
9-0	ADC_RESULT_CH2_VDS	R	0h	转换通道 2 VDS 电压得到的 10 位 ADC 结果 (VDSSNS)

8.5.28 I2T_CONFIG_CH2 寄存器（偏移 = 1Eh）[复位 = 0000h]

I2T_CONFIG_CH2 如表 8-42 所示。

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表 8-42 I2T_CONFIG_CH2 寄存器字段说明

位	字段	类型	复位	说明
15-14	TCLDN_CH2	R/W	0h	这些位设置通道 2 在 I2T 关断后的冷却时间（或重试时间）。注意：如果使用设置 0x0，则通道将在 I2T 关断后保持关断状态而不会重试。要在此设置中重试，请将这些位更改为 0.8s、2.0s 或 4.0s 选项，以允许器件在 I2T 关断后重试。 0h = 无限期冷却 1h = 0.8s 2h = 2.0s 3h = 4.0s
13-11	RESERVED	R/W	0h	保留
10-9	SWCL_DLY_TMR_CH2	R/W	0h	这些位将设置计时器，如果 I_OUT 电流持续超过 ISWCL 电平达到配置的时间，通道 2 将关断。 0h = 0.2ms 1h = 0.4ms 2h = 1.0ms 3h = 2.0ms
8-7	ISWCL_CH2	R/W	0h	这些位设置通道 2 的延迟关断电流检测值 (I_SWCL,700)。I_OUT 电流超过 I_SWCL,700 值后，计时器将启动；如果电流保持高于 I_SWCL,700 阈值的持续时间达到 SWCL_DLY_TMR_CH2，将关断通道。该阈值应设置为低于电流检测饱和值 (I_{OUT_SAT} = K_SNS1 * I_{SNS_SAT})。以下电流阈值假设 R_SNS = 700Ω。要根据不同的 R_SNS 值计算新的 I_SWCL,700 阈值，可使用以下公式： I_SWCL,ADJ = I_SWCL,700 * (700/R_SNS) 0h = 19.55A 1h = 17.6A 2h = 16.05A 3h = 13.3A
6-3	I2T_TRIP_CH2	R/W	0h	这些位设置通道 2 的 I2T 跳闸值。注意：I2T 跳闸值的参考公式如下：I2T = (I_OUT2² - NOM_CUR_CH2²) * t 以下值假设 R_SNS = 700Ω。要根据不同的 R_SNS 值计算新的 I2T 跳闸值，可使用以下公式： I2T_ADJ = I2T₇₀₀ * (700/R_SNS)² 注意：器件处于冷却周期时，无法修改 I2T_TRIP_CH2 值。 0h = 8.8 A2s 1h = 13.1 A2s 2h = 26.3 A2s 3h = 39.4 A2s 4h = 52.5 A2s 5h = 65.6 A2s 6h = 78.8 A2s 7h = 91.9 A2s 8h = 109.4 A2s 9h = 126.9 A2s Ah = 144.4 A2s Bh = 166.3 A2s Ch = 192.5 A2s Dh = 218.8 A2s Eh = 262.5 A2s Fh = 350 A2s
2-0	NOM_CUR_CH2	R/W	0h	这些位设置 I2T 功能通道 2 的标称电流值。如果为通道 2 使能 I2T 功能，则高于该值时，器件将进入 I2T 累加模式。下面的标称电流值假设 R_SNS = 700Ω。要根据不同的 R_SNS 值计算新的 I2T 跳闸值，可使用以下公式： NOM_CUR_CH2_ADJ = NOM_CUR_CH2₇₀₀ * (700 / R_SNS) 注意：器件处于冷却周期时，无法修改 NOM_CUR_CH2 值。 0h = 4.0A 1h = 5.0A 2h = 5.7A 3h = 6.5A 4h = 7.5A 5h = 9.0A 6h = 12.0A 7h = 15.0A