ZHCAFS8 September   2025 UCC57102 , UCC57102-Q1 , UCC57102Z , UCC57102Z-Q1 , UCC57108 , UCC57108-Q1 , UCC57132 , UCC57132-Q1 , UCC57138 , UCC57138-Q1 , UCC57142 , UCC57142-Q1 , UCC57148 , UCC57148-Q1

 

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  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2TI 非隔离式 SiC MOSFET 栅极驱动器概述
  6. 3SiC MOSFET 栅极驱动器设计考量因素
    1. 3.1 欠压锁定 (UVLO)
    2. 3.2 负偏置电源（双极性驱动）
    3. 3.3 短路保护
      1. 3.3.1 去饱和保护
      2. 3.3.2 过流保护
      3. 3.3.3 软关断
  7. 4PFC CCM 升压低侧栅极驱动器示例
    1. 4.1 栅极驱动器要求
    2. 4.2 栅极驱动器选择
    3. 4.3 栅极驱动器功耗
  8. 5总结
  9. 6参考资料

3.2 负偏置电源（双极性驱动）

负偏置电源是驱动 SiC MOSFET 的另一项常见要求。在大功率应用中，较高的 dv/dt 可能通过 SiC MOSFET 的密勒电容感应出电流，进而对栅极充电。SiC MOSFET 可能会意外导通，引发毁灭性后果。负偏置电压可用于防止尖峰达到导通阈值，确保 SiC MOSFET 保持关断状态（此方式也称为双极性驱动）。图 3-2 展示了 2.5V 瞬态尖峰对栅源阈值电压为 2.5V 的 SiC MOSFET 的影响：采用 0V 关断会导致意外导通，而采用 - 5V 关断则可确保 SiC MOSFET 保持关断。

关断电平对比图 3-2 关断电平对比