ZHCAFS8 September   2025 UCC57108-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2TI 非隔离式 SiC MOSFET 栅极驱动器概述
  6. 3SiC MOSFET 栅极驱动器设计考量因素
    1. 3.1 欠压锁定 (UVLO)
    2. 3.2 负偏置电源（双极性驱动）
    3. 3.3 短路保护
      1. 3.3.1 去饱和保护
      2. 3.3.2 过流保护
      3. 3.3.3 软关断
  7. 4PFC CCM 升压低侧栅极驱动器示例
    1. 4.1 栅极驱动器要求
    2. 4.2 栅极驱动器选择
    3. 4.3 栅极驱动器功耗
  8. 5总结
  9. 6参考资料

3.3.2 过流保护

过流保护 (OCP) 是另一种基于电流的短路保护。图 3-4 展示了 OCP 电路。分流电阻器用于测量 ID，进而得到分流电压。当发生短路时，过大的 ID 会导致分流电压上升至高电平。如果分流电压超过 OCP 电压阈值，则比较器会指示检测到短路。

分流电阻器阻值是根据触发 OCP 所需的漏极电流（通常略低于 SiC MOSFET 可处理的最大漏极电流）进行选择的，可通过方程式 3 计算得出。

方程式 3. R S = V O C T H / I D ( O C )
OCP 电路图 3-4 OCP 电路