为 SiC MOSFET 选择合适的栅极驱动器时，需重点考虑偏置电压额定值、峰值电流能力、保护功能、栅极电阻器及功耗等参数。

为了最大限度地降低导通损耗，偏置电压设定为 20V；同时设定 -5V 的负偏置，以防止瞬态信号导致的误导通。由上述电压差值可知，栅极驱动器的 V_DD 要求至少为 25V。

为了最大限度地降低开关损耗，栅极驱动器还必须能够提供所需的峰值电流以实现目标开关速度。系统对开关速度的要求通常通过压摆率来表示。在本示例的 PFC 电路中，设计要求明确规定：在 400V 直流母线电压下，SiC MOSFET 的导通电压压摆率需达到 20V/ns 或更高。这意味着 SiC MOSFET 导通期间 V_DS 的完整摆幅变化需要在 20ns $(=400V/20\frac{V}{ns})$ 或更短时间内完成。在 V_DS 摆幅期间，SiC MOSFET 的密勒电荷（对于所选的 SiC MOSFET，Q_GD 参数为 27nC）由栅极驱动器的峰值电流充电；峰值电流需要在 20ns 或更短的时间内为 Q_GD 充电。由此可算出，所需峰值电流至少为 1.35A $(=27nC/20ns)$ 。

UVLO 是一项关键保护功能，可在电源故障情况下最大限度地减少 SiC MOSFET 的损坏。如果故障导致 V_GS 降至不安全的水平，那么 SiC MOSFET 可能会出现传导损耗。这会降低 SiC MOSFET 的效率，增加发热并缩短其寿命。在该应用场景中，采用具有高 UVLO 额定值的栅极驱动器颇具优势。

具备某种形式的短路检测功能，是 SiC MOSFET 的另一项重要保护特性。由于 SiC MOSFET 并不存在像 IGBT 中饱和区到有源区那样清晰的线性区到饱和区过渡，因此若不对 DESAT 保护这类单电压阈值检测方式进行大幅改进，就无法实现精准保护。OCP 是更理想的选择，它使用分流电阻器来测量电流。