去饱和 (DESAT) 保护是一种基于电压的短路保护。图 3-3 展示了一个典型的 DESAT 电路。

正常工作状态下，当 SiC MOSFET 导通时，I_D 会处于规格范围内，漏极电压维持在较低水平 $(V_{DS}=I_D\times R_{DS\left(on\right)})$ 。此时高压阻断二极管 (D_HV) 保处于正向偏置状态，使得从 I_CHG 流出的电流（如图中 VDD 的向下箭头所示）可以通过 D_HV，而不会对消隐电容器 (C_BLK) 充电。

当发生短路时，过大的 I_D 会导致漏极电压上升至高电平。这会导致 D_HV 进入反向偏置状态，从而阻断从 I_CHG 流出的电流。此时充电电流会对 C_BLK 充电；当 C_BLK 两端电压超过内部 DESAT 电压阈值 (V_DESAT) 时，比较器会指示检测到短路。

电容充电所需时间即为消隐时间，可通过使用内部 V_DESAT 和 I_CHG 在方程式 1 中计算得出。减小电容容值可缩短 DESAT 保护的触发时间，这一点在 SiC MOSFET 应用中十分实用。

尽管内部 V_DESAT 是由设计决定的，但触发 DESAT 保护所需的漏极电压可通过修改 DESAT 引脚与 SiC MOSFET 漏极之间的串联元件进行调整，而该漏极电压可通过方程式 2 计算得出。V_{DESAT(actual)} 是指触发 DESAT 的漏极电压。