ZHCAFS8
September 2025
UCC57108-Q1
1
摘要
商标
1
简介
2
TI 非隔离式 SiC MOSFET 栅极驱动器概述
3
SiC MOSFET 栅极驱动器设计考量因素
3.1
欠压锁定 (UVLO)
3.2
负偏置电源(双极性驱动)
3.3
短路保护
3.3.1
去饱和保护
3.3.2
过流保护
3.3.3
软关断
4
PFC CCM 升压低侧栅极驱动器示例
4.1
栅极驱动器要求
4.2
栅极驱动器选择
4.3
栅极驱动器功耗
5
总结
6
参考资料
6
参考资料
德州仪器 (TI),
了解用于碳化硅 MOSFET 的短路保护
应用手册。
德州仪器 (TI),
高 UVLO 为何对于 IGBT 和 SiC MOSFET 电源开关的安全运行而言很重要?
应用手册。
德州仪器 (Ti),
适用于栅极驱动器的外部栅极电阻器设计指南
应用手册。
德州仪器 (TI),
如何使用低侧栅极驱动器(双极性驱动)通过负偏置驱动 SiC FET 或 IGBT?
E2E™ 设计支持论坛。
德州仪器 (TI),
SiC 栅极驱动器基础知识
电子书。
德州仪器 (TI)T,
栅极驱动器的功率损耗和热性能考量因素
视频。