ZHCAFS8 September   2025 UCC57108-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2TI 非隔离式 SiC MOSFET 栅极驱动器概述
  6. 3SiC MOSFET 栅极驱动器设计考量因素
    1. 3.1 欠压锁定 (UVLO)
    2. 3.2 负偏置电源（双极性驱动）
    3. 3.3 短路保护
      1. 3.3.1 去饱和保护
      2. 3.3.2 过流保护
      3. 3.3.3 软关断
  7. 4PFC CCM 升压低侧栅极驱动器示例
    1. 4.1 栅极驱动器要求
    2. 4.2 栅极驱动器选择
    3. 4.3 栅极驱动器功耗
  8. 5总结
  9. 6参考资料

1 简介

碳化硅 (SiC) 电源开关因支持高开关频率、高电压和大电流，在工业和汽车应用中日益普及。SiC MOSFET 设计在高频与大功率应用场景之间实现了良好平衡。栅极驱动器在有效控制 SiC MOSFET 方面发挥着关键作用，精心设计栅极驱动器系统对于确保 SiC MOSFET 保持在其安全工作区内至关重要。

电源开关技术和常见应用图 1-1 电源开关技术和常见应用

本应用手册探讨了德州仪器 (TI) 的非隔离式低侧栅极驱动器产品，包括欠压锁定 (UVLO)、短路保护和负偏置电源支持等功能的设计详细信息。文中还针对功率因数校正 (PFC) 连续导通模式 (CCM) 升压拓扑提供了栅极驱动器设计示例。本文从最大电源电压 (VDD) 额定值、峰值电流能力、UVLO 阈值、短路保护设计、外部栅极驱动电阻器和功耗等方面，探讨了栅极驱动器的设计要求。