检测到短路事件后，需要安全地关断 SiC MOSFET，以更大限度地减少对系统的损坏。

寄生电感可以与快速的 I_D 开关相互作用，从而在 $(V=L\times \frac{di}{dt})$ SiC MOSFET 两端产生电压。在 I_D 处于额定范围内的正常工况下，采用常规关断方式所感应的电压处于 SiC MOSFET 的耐受范围内。但在短路事件中，感应电压可能达到毁灭性水平，导致 SiC MOSFET 损坏。

软关断设计通过延长关断时间，降低 SiC MOSFET 关断过程中的开关速度。此举可减小 di/dt，从而将感应电压控制在最低水平。图 3-5 以曲线形式直观呈现，当通过 UCC5710x 中的 DESAT 保护检测到短路时，输出端如何实现缓慢关断的过程。图中包含与 DESAT 保护相关的其他概念性时序特性：t_DESLEB（前沿消隐时间，用于防止 SiC MOSFET 导通瞬态引起误触发）、t_DESFIL（抗尖峰脉冲滤波时间，防止 SiC MOSFET 导通时因噪声导致误触发）、t_DES2OUT（达到 DESAT 阈值与输出端下降至 90% 之间的时间）、t_DES2FLT（达到 DESAT 阈值与 FLT 下降之间的时间）。