UVLO 是栅极驱动器的一项关键特性，其作用是当偏置电源电压低于预期值时，通过关断栅极驱动器的输出来保护 SiC MOSFET。如果栅极驱动器未配备 UVLO 功能，当其偏置电源电压下降时，栅极驱动器输出的电压可能仍能达到 SiC MOSFET 的栅源极导通阈值电压 (V_GS)，但此时器件并未完全导通，会导致严重的导通损耗。

这种导通损耗可以通过 SiC MOSFET 的漏极电流 (I_D) 与漏源极电压 (V_DS) 随 V_GS 变化的 I-V 曲线关系体现。V_GS 过低会使 SiC MOSFET 提前进入饱和状态，且由于漏源极导通电阻 (R_DS(on)) 较大，器件无法完全导通。

图 3-1 展示了 Si MOSFET 与 SiC MOSFET 的典型 I-V 曲线；V_GS 越低，MOSFET 饱和速度越快。对于 Si MOSFET 和 SiC MOSFET 而言，当 V_GS < 10V 时，各曲线之间差距显著，表明 MOSFET 未完全导通。V_GS 越低，R_DS(on) 就越大，进而导致导通损耗越高。

但是，当 V_GS≥10V 时，Si MOSFET 和 SiC MOSFET 之间的差异更加明显。对于 Si MOSFET，V_GS = 10V 和 V_GS = 15V 时的曲线几乎重合，表明 Si MOSFET 在 V_GS =10V 时已完全导通。将 Si MOSFET 的 V_GS 提高到 10V 以上，对降低导通损耗的作用微乎其微。而 SiC MOSFET 在 V_GS = 10V 和 V_GS = 15V 时的曲线仍有较大差距，这表明与 Si MOSFET 同类器件不同，SiC MOSFET 在 V_GS = 10V 时并未完全导通。与 V_GS = 15V 的工况相比，在 V_GS = 10V 下运行 SiC MOSFET 会导致更多的导通损耗。

因此，为了在偏置电源启动或关断过程中最大限度降低导通损耗，SiC MOSFET 通常要求配备高 UVLO 功能。