ZHCAFS8 September   2025 UCC57102 , UCC57102-Q1 , UCC57102Z , UCC57102Z-Q1 , UCC57108 , UCC57108-Q1 , UCC57132 , UCC57132-Q1 , UCC57138 , UCC57138-Q1 , UCC57142 , UCC57142-Q1 , UCC57148 , UCC57148-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2TI 非隔离式 SiC MOSFET 栅极驱动器概述
  6. 3SiC MOSFET 栅极驱动器设计考量因素
    1. 3.1 欠压锁定 (UVLO)
    2. 3.2 负偏置电源（双极性驱动）
    3. 3.3 短路保护
      1. 3.3.1 去饱和保护
      2. 3.3.2 过流保护
      3. 3.3.3 软关断
  7. 4PFC CCM 升压低侧栅极驱动器示例
    1. 4.1 栅极驱动器要求
    2. 4.2 栅极驱动器选择
    3. 4.3 栅极驱动器功耗
  8. 5总结
  9. 6参考资料

摘要

人们对以更小的外形尺寸实现更高功率密度的需求推动了碳化硅 (SiC) 等宽带隙半导体技术的普及。传统上，这类开关多用于 10kW 以上的大功率设计，通常需要隔离式栅极驱动器，尤其在电动汽车和充电站应用中。随着 SiC 技术的不断扩展，越来越多的工业客户开始考虑将其用于小功率、非隔离式应用场景。本应用手册概述了德州仪器 (TI) 适用于 SiC MOSFET 的非隔离式低侧栅极驱动器产品组合，包括合理系统设计的关键考量因素及一个功率因数校正 (PFC) 设计示例。