ZHCAFS8 September   2025 UCC57108-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2TI 非隔离式 SiC MOSFET 栅极驱动器概述
  6. 3SiC MOSFET 栅极驱动器设计考量因素
    1. 3.1 欠压锁定 (UVLO)
    2. 3.2 负偏置电源（双极性驱动）
    3. 3.3 短路保护
      1. 3.3.1 去饱和保护
      2. 3.3.2 过流保护
      3. 3.3.3 软关断
  7. 4PFC CCM 升压低侧栅极驱动器示例
    1. 4.1 栅极驱动器要求
    2. 4.2 栅极驱动器选择
    3. 4.3 栅极驱动器功耗
  8. 5总结
  9. 6参考资料

3.3 短路保护

大功率应用存在较高的短路风险，短路事件可能严重损坏 SiC MOSFET 及系统中的其他元件。可采用多种短路保护方式，通过快速检测和低误触发特性，减轻短路事件造成的损坏。