ZHCAFS1A February   2019  – September 2025 LM1117-Q1 , LM317 , LP2951 , LP2951-Q1 , LP2985 , TL1963A , TL1963A-Q1 , TLV1117 , TLV709 , TLV755P , TLV761 , TLV766-Q1 , TLV767 , TLV767-Q1 , TPS709 , TPS709-Q1 , TPS715 , TPS745 , TPS7A16A , TPS7A16A-Q1 , TPS7A25 , TPS7A26 , TPS7A43 , TPS7A44 , TPS7A47 , TPS7A47-Q1 , TPS7A49 , TPS7B63-Q1 , TPS7B68-Q1 , TPS7B69-Q1 , TPS7B81 , TPS7B81-Q1 , TPS7B82-Q1 , TPS7B83-Q1 , TPS7B84-Q1 , TPS7B85-Q1 , TPS7B86-Q1 , TPS7B87-Q1 , TPS7B88-Q1 , TPS7B91 , TPS7B92 , TPS7C84-Q1 , UA78L , UA78M , UA78M-Q1

 

  1.   1
  2.   电路板布局对 LDO 热性能影响的经验分析
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2过程
  6. 3测试结果与讨论
  7. 4结语
  8. 5未来研究方向
  9. 6参考资料
  10. 7修订历史记录
  11.   A 热测试电路板布局
    1.     A.1 TPS745 (WSON) 图
      1.      A.1.1 1S0P 近似布局图
      2.      A.1.2 内部断开布局图
      3.      A.1.3 JEDEC 高 K 近似布局图
      4.      A.1.4 热增强型布局图
      5.      A.1.5 热饱和型布局图
    2.     A.2 TPS7B82-Q1 (TO-252) 图
      1.      A.2.1 1S0P 近似布局图
      2.      A.2.2 内部断开布局图
      3.      A.2.3 JEDEC 高 K 近似布局图
      4.      A.2.4 热增强型布局图
      5.      A.2.5 热饱和型布局图
    3.     A.3 TLV755P (SOT-23) 图
      1.      A.3.1 1S0P 近似布局图
      2.      A.3.2 内部断开布局图
      3.      A.3.3 JEDEC 高 K 近似布局图
      4.      A.3.4 热增强型图
      5.      A.3.5 热饱和型布局图
  12.   B 热测试结果
    1.     B.1 热性能数据

摘要

本应用报告研究了印刷电路板 (PCB) 布局对低压降 (LDO) 稳压器热性能的影响，特别是结至环境热阻 θJA。此参数是针对 TPS745（WSON 封装）、TPS7B82-Q1（TO-252 封装）和 TLV755P（SOT-23 封装）器件测量的。每款器件均在五种布局下进行测试，这五种布局的内层与外层铜覆盖率依次递增。增加铜覆盖量会降低 θJA，但这种改善效果会达到一个收益递减的临界点。铜覆盖对于具有散热焊盘的封装更有效。这些结果旨在为系统设计人员提供布局技巧，从而提高热性能。尽管本研究测试的器件仅为 LDO，但报告中关于 PCB 布局的影响分析及结论，同样适用于其他存在功耗的器件。