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产品详细信息

参数

Output options Fixed Output Iout (Max) (A) 0.15 Vin (Max) (V) 30 Vin (Min) (V) 2.7 Vout (Max) (V) 5 Vout (Min) (V) 1.2 Fixed output options (V) 1.2, 1.5, 1.8, 2.5, 2.8, 3, 3.3, 3.6, 5 Noise (uVrms) 190 Iq (Typ) (mA) 0.001 Thermal resistance θJA (°C/W) 73 TI functional safety category Functional Safety-Capable Load capacitance (Min) (µF) 2 Rating Automotive Regulated outputs (#) 1 Features Enable, Reverse Current Protection Accuracy (%) 2 PSRR @ 100 KHz (dB) 31 Dropout voltage (Vdo) (Typ) (mV) 245 Operating temperature range (C) -40 to 125 open-in-new 查找其它 线性稳压器(LDO)

封装|引脚|尺寸

SOT-23 (DBV) 5 5 mm² 2.9 x 1.6 WSON (DRV) 6 4 mm² 2 x 2 open-in-new 查找其它 线性稳压器(LDO)

特性

  • 符合汽车应用 标准
  • 具有符合 AEC Q100 标准的下列结果:
    • 器件温度等级 1:环境工作温度范围为 –40°C 至 125°C
    • 器件人体放电模式 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 输入电压范围:2.7V 至 30V
  • 超低 IQ:1µA
  • 反向电流保护
  • 低 ISHUTDOWN:150nA
  • 支持 200mA 峰值输出
  • 在温度范围内精度为 2%
  • 可提供固定输出电压:
    1.2V 至 6.5V
  • 热关断及过流保护
  • 封装:小外形尺寸晶体管 (SOT)-23-5 封装、晶圆级小外形无引线 (WSON)

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描述

TPS709-Q1 系列线性稳压器是针对功耗敏感型应用设计的超低静态电流 器件。一个精密带隙和误差放大器在温度范围内的精度为 2%。只有 1µA 的静态电流使得此器件成为由电池供电、要求非常小闲置状态功率耗散的常开系统的理想解决方案。为了增加安全性,这些器件还具有热关断、电流限制和反向电流保护功能。

通过将 EN 引脚拉为低电平,可将该系列稳压器置于关断模式。这个模式的关断电流低至 150nA(典型值)。

TPS709-Q1 系列可提供 WSON-6 和 SOT-23-5 封装。

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技术文档

= 特色
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类型 标题 下载最新的英文版本 发布
* 数据表 具有使能功能的 TPS709-Q1 150mA、30V、1µA IQ 稳压器 数据表 (Rev. C) 下载英文版本 (Rev.C) 2018年 6月 27日
应用手册 TPS709-Q1 FIT Rate and Failure Mode Distribution 2019年 12月 17日
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用户指南 TPS709xxEVM-110 Evaluation Module 2012年 9月 5日

设计与开发

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硬件开发

评估板 下载
TPS70933 评估模块
TPS70933EVM-110
document-generic 用户指南
$20.00
说明
The Texas Instruments TPS70933EVM-110 evaluation module (EVM) is a fully-assembled and tested circuit for evaluating the TPS79033 low-dropout regulator. This stand alone EVM has a low-dropout regulator IC for positive fixed-voltage regulation at 150-mA, input and output capacitors for stable (...)
特性
  • 2% accuracy over temperature
  • Ultra-low IQ: 1 µA
  • Shutdown current: 150 nA
  • Input voltage: 2.5 V to 30 V
  • Stable with cost-effective ceramic capacitors
  • 300-mV dropout at 50 mA
  • Protections: overcurrent, overtemperature and reverse-current
  • SOT23-5 DBV package

设计工具和仿真

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SBVM293.ZIP (19 KB) - PSpice Model
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参考设计

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SiC/IGBT isolated gate driver reference design with thermal diode and sensing FET
TIDA-020030 — 此参考设计是一款具有高级保护功能、驱动 IGBT 模块的 IGBT 或 SiC 隔离式栅极驱动器功率级。该设计包含牵引逆变器的单相功率级,可提供高级安全功能。IGBT 模块具有用于温度监测的集成式热敏二极管和用于过流保护的感应 FET,可快速提供精确保护。它包含偏置电源及其输出电压监控、冗余电路上的隔离式直流总线感应、高低侧驱动器温度感应、PWM 栅极信号监控和故障信号注入诊断。该电源可接受 4.5V 至 65V 直流的宽输入范围,可提供高达 180mA 的输出电流。该隔离式栅极驱动器具有高达 ±10A 的驱动强度,还包含一个用于温度和电压感应的模拟至 PWM 转换器。
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