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TPS709

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具有使能端的 150-mA 超低 Iq LDO

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产品详细信息

参数

Output options Fixed Output Iout (Max) (A) 0.15 Vin (Max) (V) 30 Vin (Min) (V) 2.7 Vout (Max) (V) 6 Vout (Min) (V) 1.2 Fixed output options (V) 1.2, 1.35, 1.5, 1.6, 1.8, 1.9, 2.5, 2.7, 2.8, 3, 3.3, 3.6, 3.8, 3.9, 5, 6 Noise (uVrms) 190 Iq (Typ) (mA) 0.001 Thermal resistance θJA (°C/W) 73 Load capacitance (Min) (µF) 2 Rating Catalog Regulated outputs (#) 1 Features Enable, Reverse Current Protection Accuracy (%) 2 PSRR @ 100 KHz (dB) 26 Dropout voltage (Vdo) (Typ) (mV) 300 Operating temperature range (C) -40 to 125 open-in-new 查找其它 线性稳压器（LDO）

封装|引脚|尺寸

SOT-23 (DBV) 5 5 mm² 2.9 x 1.6 WSON (DRV) 6 4 mm² 2 x 2 open-in-new 查找其它 线性稳压器（LDO）

特性

  • 超低 IQ：1μA
  • 反向电流保护
  • 低 ISHUTDOWN：150nA
  • 输入电压范围：2.7V 至 30V
  • 支持 200mA 峰值输出
  • 在温度范围内精度为 2%
  • 可提供固定输出电压：
    1.2V 至 6.5V
  • 热关断及过流保护功能
  • 封装：SOT-23-5、WSON-6

应用范围

  • Zigbee网络
  • 家庭自动化
  • 计量
  • 电子秤
  • 便携式功率工具
  • 遥控器件
  • 无线听筒，智能电话，掌上电脑 (PDA)，无线局域网 (WLAN)，和其它个人电脑 (PC) 扩展卡
  • 大型家电

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描述

TPS709 系列线性稳压器是针对功耗敏感型应用而设计的超低静态电流 器件。一个精密带隙和误差放大器在温度范围内的精度为 2%。这些器件的静态电流仅为 1µA，因此对于由电池供电、要求闲置状态功耗非常小的常开系统而言，这是非常理想的解决方案。为了增加安全性，这些器件还具有热关断、电流限制和反向电流保护功能。

关断模式通过将 EN 引脚拉为低电平进行使能。该模式的关断电流低至 150nA（典型值）。

TPS709 系列采用 WSON-6 和
SOT-23-5 封装。

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类型 标题 下载最新的英文版本 发布
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设计与开发

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硬件开发

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The ISO5852SDWEVM-017 is a compact, dual chanel isolated gate driver board providing drive, bias voltages, protection and diagnostic needed for half-bridge Sic MOSFET and IGBT Power Modules in standard 62-mm package. This TI EVM is based on 5.7-kVrms reinforced isolation driver IC ISO5852SDW in (...)

特性
  • 20-A peak, split output drive current with programmable drive voltages
  • Two 5-kVrms reinforced isolated channels to support up to 1700 V input rail
  • Short circuit protection with soft turn OFF and 2-A Miller clamp ability
  • Robust noise-immune solution with CMTI > 100 V/ns
  • Isolated module temperature and (...)
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LMG1020EVM-006 是一种具有集成电阻负载（不包括激光器）的小型易用功率级。它采用可进行缓冲（并进一步缩短）或直接传输到该功率级的短脉冲输入。
特性
  • 展示驱动器的 1ns 脉冲 >50A 的功能
  • 极短的传播延迟：典型值 2.5ns，最大值 4.5ns
  • 典型上升和下降时间 210ps
  • 施密特触发型 CMOS 输入，可增强稳定性
  • 先进的布局，具有 >500pH 的电感
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TI MULTIPKGLDOEVM-823 评估模块 (EVM) 可帮助设计工程师评估可能用于电路应用的多种常见线性稳压器封装的操作和性能。这种特殊的 EVM 配置包含一个 DRB、DRV、DQN 和 DBV 封装，便于工程师焊接和评估部件。

特性
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TPS70933 评估模块
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  • Shutdown current: 150 nA
  • Input voltage: 2.5 V to 30 V
  • Stable with cost-effective ceramic capacitors
  • 300-mV dropout at 50 mA
  • Protections: overcurrent, overtemperature and reverse-current
  • SOT23-5 DBV package
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UCC21710QDWEVM-025 是一个紧凑的单通道隔离式栅极驱动器板，可提供采用 150 x 62 x 17mm 和 106 x 62 x 30mm 封装的 SiC MOSFET 和 Si IGBT 电源模块所需的驱动电压、偏置电压、保护和诊断功能。此 TI EVM 以 5.7kVrms 增强型隔离驱动器 UCC21710 为基础，后者采用 SOIC-16DW 封装，具有 8.0mm 爬电距离和间隙。该 EVM 包含基于 SN6505B 的隔离式直流/直流变压器偏置电源。
特性
  • 10A 峰值分离输出驱动电流及可编程驱动电压
  • 两个 5.7kVrms 增强型隔离式通道，可支持高达 1700V 的输入轨
  • 带软关断的短路保护和带内部 FET 的米勒钳位
  • CMTI > 100V/ns 的强大抗噪解决方案
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UCC21732QDWEVM-025 是一个紧凑的单通道隔离式栅极驱动器板，可提供采用 150 x 62 x 17mm 和 106 x 62 x 30mm 封装的 SiC MOSFET 和 Si IGBT 电源模块所需的驱动电压、偏置电压、保护和诊断功能。此 TI EVM 以 5.7kVrms 增强型隔离驱动器 UCC21732 为基础，后者采用 SOIC-16DW 封装，具有 8.0mm 爬电距离和间隙。该 EVM 包含基于 SN6505B 的隔离式直流/直流变压器偏置电源。

特性
  • 10A 峰值分离输出驱动电流及可编程驱动电压
  • 5.7kVrms 增强型隔离式通道，可支持高达 1700V 的输入轨
  • CMTI > 100V/ns 的强大抗噪解决方案
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The UCC21750QDWEVM-025 is a compact, single channel isolated gate driver board providing drive, bias voltages, desat feature based protection and diagnostic needed for SiC MOSFET and Si IGBT Power Modules housed in 150 x 62 x 17 mm and 106 x 62 x 30 mm packages. This TI EVM is based on 5.7-kVrms (...)
特性
  • 10-A peak, split output drive current with programmable drive voltages
  • Two 5.7-kVrms reinforced isolated channels to support up to 1700 V input rail
  • Short circuit protection using desat signal with soft turn OFF and Miller clamp with internal FET
  • Robust noise-immune solution with CMTI > 100 V/ns
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