TLV755P
- 采用 SOT-23-5 封装，具有 60.3°C/W RθJA
- 输入电压范围：1.45V 至 5.5V
- 低 IQ：25µA（典型值）
- 低压降：
- 在 500mA 下为 238mV（最大值）（VOUT 为 3.3V）
- 输出精度：1%（85°C 时为最大值）
- 内置软启动功能，具有单调 VOUT 上升
- 折返电流限制
- 有源输出放电
- 高 PSRR：100kHz 时为 46dB
- 与 1µF 的陶瓷输出电容器搭配使用时可保持稳定
- 封装：
- 2.9mm × 2.8mm SOT-23-5 (DBV)
- 带有散热焊盘的 2.9mm × 2.8mm SOT-23-5 (DYD)
- 1mm × 1mm X2SON-4 (DQN)
- 2mm × 2mm WSON-6 (DRV)
TLV755P 是一款超小型低静态电流、低压差稳压器 (LDO)，可提供 500mA 拉电流，具有良好的线路和负载瞬态性能。TLV755P 经过优化，可支持 1.45V 至 5.5V 的输入电压范围，可适用于各种应用。为更大限度地缩减成本和解决方案尺寸，该器件可在 0.6V 至 5V 范围内提供固定输出电压，以支持现代微控制器 (MCU) 更低的内核电压。此外，TLV755P 具备带有使能功能的低 IQ，从而可将待机功耗降至最低。此器件具有内部软启动功能，旨在降低浪涌电流，因此可为负载提供受控电压并在启动过程中最大限度地降低输入电压压降。关断时，该器件可主动下拉输出以使输出快速放电并实现已知的启动状态。
TLV755P 在与支持小尺寸总体解决方案的小型陶瓷输出电容器搭配使用时，可保持稳定。高精度带隙与误差放大器支持 1% 的典型精度。所有器件版本均具有集成的热关断保护、电流限制和低压锁定 (UVLO) 功能。TLV755P 具有内部折返电流限制，有助于在发生短路时减少热耗散。
TLV755 采用常见的 WSON、X2SON 和 SOT23-5（DRV、DQN 和 DBV）封装。该器件还提供带有散热焊盘的热增强型 SOT23-5 (DYD) 封装，与标准 SOT23-5 封装相比，热阻显著降低。
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| WSON (DRV) | 6 | Ultra Librarian |
| X2SON (DQN) | 4 | Ultra Librarian |
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