ZHCAFP8A September   2025  – February 2026 AM2431 , AM2432 , AM2434 , AM3351 , AM3352 , AM3354 , AM3356 , AM3357 , AM3358 , AM3359 , AM620-Q1 , AM623 , AM625 , AM625-Q1 , AM625SIP , AM62A1-Q1 , AM62A3 , AM62A3-Q1 , AM62A7 , AM62A7-Q1 , AM62D-Q1 , AM62L , AM62P , AM62P-Q1 , AM6411 , AM6412 , AM6421 , AM6422 , AM6441 , AM6442 , AM67 , AM67A

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2电路板设计和布局指南
    1. 2.1 通用板设计指南
    2. 2.2 可提高信号完整性的电路板设计指南
    3. 2.3 定制电路板的设计仿真示例说明
  6. 3定制电路板的设计仿真
    1. 3.1 提取电路板模型
      1. 3.1.1 使用 IBIS 模型和已提取的电路板模型进行仿真
    2. 3.2 仿真设置
  7. 4定制电路板设计示例（含电路与示例）
    1. 4.1 模拟术语
    2. 4.2 不同用例的 OSPI 接口仿真示例
    3. 4.3 不同用例下发送数据信号的 RGMII 接口仿真示例
  8. 5总结
  9. 6参考资料
  10. 7修订历史记录

4 定制电路板设计示例（含电路与示例）

电路板修改内容包括：在数据信号和时钟信号上增设额外的接地电容器，此类电容器也称为 Δ 电容器。在 SoC 及其外接器件的 IBIS 模型中，C_Comp 值之和与 SoC 及外接器件引脚电容值的差值即为 Δ 电容值（计算方法见下表）。在信号线和时钟线上添加 Δ 电容器可以减少信号反射并最大限度地减少回铃违规现象。

使用 C_Comp（典型 (Typ) 值）的 Δ 电容值计算示例：

SoC IBIS 模型 连接器件（器件）IBIS 模型
C_pin (pF) C_Comp（典型值）pF 总 C 的 pF C_pin (pF) C_Comp（典型值）pF 总 C 的 pF C Δ pF
1.582 4.812 6.394 1.076 1.72 2.796 3.598