下图显示了不同 PWM 占空比下 10kHz 和 100kHz PWM 的 AVDD 自举电源电压。自举电源使用 LMG2100R044 集成式自举二极管、外部自举电容器 C41 (100nF)、C40 (4.7µF) 和限流电阻器 R15 (3Ω) 实现。自举电源驱动 LMG2100R044 高侧 GaN-FET，其典型栅极电荷为7.3nC；并为 AMC0106M05 供电，5V 时其典型电源电流为 6.5mA。

作为最差条件，自举电源在 10kHz 和 100kHz PWM、50% 占空比和恒定 95% 占空比下进行了测试。

图 4-15 和 图 4-16 从 Tektronix MDO4104B-3 示波器的 csv 文件生成，使用 TMDP0200 差分探头在 75V 灵敏度和 5MHz 带宽下进行。

黑色迹线显示了以悬空模拟 GND (AGND) 为基准的 AVDD 电压。红色迹线显示了相对于系统 GND 的 AGND 共模电压。系统 GND 也等于 AMC0106M05 的逻辑 GND (DGND) 和 MCU GND。

图 4-17 显示，对于给定的限流电阻器 (R15)，平均自举电压随着 PWM 开关频率的降低而下降。在较低 PWM 频率下，自举电容器必须支持高侧 FET 的较长导通时间，因此平均电压降低。高占空比意味着高侧 FET 的导通时间较长、自举电容器的充电时间较短，在此条件下可以看到 R15 的影响。R15 可限制自举电容器的充电电流。因此，在占空比较长的情况下，自举电容器的电压会变低。可以通过降低 R15 的值来补偿此影响。

图 4-18 显展示了自举电容器两端的峰-峰值纹波电压与占空比的函数关系。同样，由于高侧 FET 的导通时间较长、自举电容器的刷新时间较短，纹波电压会随着 PWM 占空比而升高。在计算平均自举电压中，忽略了瞬态过冲和下冲。过冲和下冲由差分电压探头的有限共模抑制引起，而非由自举电源引起。

AMC0106M05 AVDD 电源的建议工作电压范围较宽，为 3V 至 5.5V。因此，上图中所示的自举电源始终满足 AMC0106M05 要求。但是，在由 LMG2100R044 GaN-FET 自举电源供电时，LMG2100R044 UVLO 功能的最大下降沿阈值为 3.7V。典型阈值为 3.0V。对于所需的 PWM 频率和相应的最大 PWM 周期，需要考虑这一点。

可以使用较小的自举电阻器来增加高占空比下的最小自举电压。但是，自举电阻器对峰值充电电流有影响。LMG2100R044 内部自举二极管信号路径的典型动态电阻为 1.85Ω。内部电阻必须增加到外部自举电阻 R15 以获得有效自举电阻。