ZHCAEY1 January   2025 AMC131M02 , AMC3330 , ISO7731

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1引言
  5. 2ESS 中的绝缘监测拓扑
    1. 2.1 单一开关拓扑
      1. 2.1.1 测试步骤
    2. 2.2 双路开关悬空采样拓扑
      1. 2.2.1 测试步骤
    3. 2.3 高压侧拓扑中的双路开关采样
    4. 2.4 交流注入拓扑
  6. 3设计比较
    1. 3.1 注入电阻对精度的影响
  7. 4电容对采样时间的影响
    1. 4.1 如何选择 Y 电容器
    2. 4.2 采样时间
  8. 5关键器件
    1. 5.1 BQ79731-Q1
    2. 5.2 UCC33421-Q1
    3. 5.3 AMC131M02
    4. 5.4 AMC3330
    5. 5.5 ISO773x
  9. 6Topos 仿真结果和结论
  10. 7总结
  11. 8参考资料

2.1 单一开关拓扑

使用 topo1-一个开关检测绝缘。在高压侧采样，S1 可使用能承受高电压的干簧继电器和信号继电器等。S2 可以选择固态继电器或 Photo MOS，并由 UIR 控制。

根据 ESS 法规，介电强度测试根据器件的耐受电压或隔离要求进行了细分，具体如下所示：

单开关拓扑 (topo1)图 2-1 单开关拓扑 (topo1)
Topo1- 通信和 PE②4380V图 2-3 Topo1- 通信和 PE②4380V
Topo1-高压和通信④4380V图 2-5 Topo1-高压和通信④4380V
Topo1-高压 (BAT+/BAT-) 和 PE①5880V图 2-2 Topo1-高压 (BAT+/BAT-) 和 PE①5880V
Topo1-高压和低压 (MCU)③4380V图 2-4 Topo1-高压和低压 (MCU)③4380V
Topo1-低压和通信⑤4380V图 2-6 Topo1-低压和通信⑤4380V
表 2-1 最大器件规格
器件规格 耐受电压(V)
干簧继电器 5880V
隔离器 4380V