ZHCAEY1
January 2025
AMC131M02
,
AMC3330
,
ISO7731
1
摘要
商标
1
引言
2
ESS 中的绝缘监测拓扑
2.1
单一开关拓扑
2.1.1
测试步骤
2.2
双路开关悬空采样拓扑
2.2.1
测试步骤
2.3
高压侧拓扑中的双路开关采样
2.4
交流注入拓扑
3
设计比较
3.1
注入电阻对精度的影响
4
电容对采样时间的影响
4.1
如何选择 Y 电容器
4.2
采样时间
5
关键器件
5.1
BQ79731-Q1
5.2
UCC33421-Q1
5.3
AMC131M02
5.4
AMC3330
5.5
ISO773x
6
Topos 仿真结果和结论
7
总结
8
参考资料
2.1.1
测试步骤
关闭 S1、S2 并等待 ADC 上的电压稳定(500us)、获得
VN
1
、
V
DC
=2
VN
1
。
打开 SW1 并关闭 SW2、SW3 (400us 延迟)、等待 ADC 的电压稳定(500us)、获得
VN
off
。
关闭 SW1、等待 ADC 上的电压稳定(500us ),获得
VN
on
。
计算
Riso
P 和
Riso
N (使用以下公式)。
方程式 1.
R
i
s
o
P
=
V
D
C
(
V
N
o
n
-
V
N
o
f
f
)
V
D
C
-
V
N
o
n
×
V
N
o
f
f
R
1
-
V
D
C
-
V
N
o
f
f
×
V
N
o
n
R
1
+
R
L
方程式 2.
R
i
s
o
N
=
V
N
o
n
V
D
C
-
V
N
o
n
1
R
1
+
1
R
i
s
o
P
-
V
N
o
n
(
1
R
34
+
R
2
)
在计算公式中将注入电阻误差、采样电阻误差和高电压检测误差考虑在内,得到最差的精度:
图 2-7
Topo 1 的最坏情况