ZHCAEX3 January 2025 DRV8376 , DRV8376-Q1
该器件集成了六个具有集成式栅极驱动器的 N 沟道 MOSFET。高侧栅极驱动器使用基于电荷泵的电源和一个集成式电容器,仅需使用一个外部电容器。集成式无分流电流检测、LDO 和多级保护消除了对外部元件的需求。所有集成均以 6x4mm 封装的形式提供。表 4-1 列出了相较于分立式方法的 DRV8376 集成,并说明了可节省 40 多个外部元件这一优势。
| DRV8376 集成 | 分立式实现中的元件数量 |
|---|---|
| 六个 N 沟道 MOSFET | 六个 N 沟道分立式 MOSFET |
| 具有集成式栅极电流控制选项的三相栅极驱动器 | 1 个三相栅极驱动器、12 个电阻器(6 个栅极电阻器和 6 个栅源电阻器) |
| 一个集成式电荷泵电容器和一个外部电容器 | 两个外部电容器 |
| 三无分流器电流检测 | 用于增益配置的 3 个分流电阻器、3 个电流检测放大器和超过 12 个电阻器 |
| 3.3V 和 5V LDO | 1 或 2 个外部 LDO |
| 多级保护 | 多个无源元件和比较器 |