4 设计 3：LM749x0-Q1 作为具有欠压、过压和过流保护的高侧驱动器

在汽车负载驱动应用中，基于 N 沟道 MOSFET 的高侧开关常用于在发生过压、过流事件等故障时断开负载与电源线的连接。LM749x0-Q1 可用于驱动外部 MOSFET，以实现具有故障保护功能的简单高侧开关。图 4-1 显示了一个典型应用电路，其中 LM749x0-Q1 作为主电源路径连接和断开开关，用于驱动外部 MOSFET Q2。器件特性说明中详细介绍了用于设置过压 (OV)、断路器过流（ILIM、TMR）、短路 (ISCP) 和欠压阈值的引脚配置。

图 4-1 作为高侧驱动器的 LM749x0-Q1 的典型应用电路

LM749x0-Q1 仅用于驱动高侧 FET 时，DGATE 需要保持悬空，而 A、C 可以短接在一起。

当用作高侧开关控制器来驱动外部 MOSFET 时，器件能够在 SLEEP 模式（SLEEP = 0、EN = 1）下运行，从而确保超低功耗（典型值为 5μA），同时通过导通电阻为 10Ω 的内部旁路开关为常开负载提供负载电流。在 SLEEP 模式下，器件能够提供过流（典型值为 250mA）和过压（典型阈值为 21V）保护。

图 4-2 LM749x0-Q1 SLEEP 模式