1 LM749x0-Q1 理想二极管控制器概述

LM749x0-Q1 系列理想二极管控制器可驱动背对背外部 N 沟道 MOSFET，从而通过断路器、欠压和过压保护功能实现低损耗电源路径保护。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许负载断开（开/关控制）并使用 HGATE 控制提供过压保护。该器件具有可调节过压切断保护功能。通过功率 MOSFET 的共漏极配置，可以使用另一个理想二极管将中点用于 OR-ing 设计。LM749x0-Q1 的最大额定电压为 65V。该器件具有精确的电流检测输出 (IMON) 支持系统，其典型精度为 (+/-10%)，可用于能源管理。该器件集成了具有 FLT 输出的两级过流保护，具有完全可调的阈值和响应时间。可以配置自动重试和锁存故障行为。该器件提供可调节过压和欠压保护，可在发生电压瞬态事件时提供稳健的负载断开功能。

LM749x0-Q1 具有两种不同的低功耗模式，具体取决于 EN 和 SLEEP 引脚的状态。在 SLEEP 模式（SLEEP=低电平、EN=高电平）下，该器件通过关闭外部 MOSFET 栅极驱动器和内部电荷泵而仅消耗 6μA 电流，但同时提供内部旁路路径，以便为电流容量有限的常开负载供电。当使能引脚处于低电平时，器件通过完全切断负载进入超低功耗模式，典型流耗为 2.87μA。LM749x0-Q1 的高电压额定值有助于简化满足 ISO7637 汽车保护测试标准的系统设计。LM749x0-Q1 还适用于 ORing 和优先级电源多路复用器应用。