ZHCAAN6F April   2019  – December 2024 LM2901 , LM2901B , LM2901B-Q1 , LM2903 , LM2903-Q1 , LM2903B , LM2903B-Q1 , LM339 , LM339-N , LM393 , LM393-N , LM393B , LM397 , TL331 , TL331-Q1 , TL331B

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1 应用手册中包含的器件
    1. 1.1 基本器件型号
    2. 1.2 输入失调电压等级
    3. 1.3 最大电源电压
    4. 1.4 高可靠性选项
  5. 2 新的 TL331B、TL391B、LM339B、LM393B、LM2901B 和 LM2903B B 版本
  6. 3 PCN 之经典芯片更改为新芯片设计
    1. 3.1 针对单通道和双通道（TL331 和 LMx93/LM2903）的 PCN #1
    2. 3.2 针对单通道和双通道（TL331 和 LMx93/LM2903）的 PCN #2
    3. 3.3 针对四通道（LMx39、LM2901）的 PCN
    4. 3.4 用于 B 器件（包括 -Q1）的 PCN
    5. 3.5 器件 PCN 概要
    6. 3.6 确定使用的芯片版本
      1. 3.6.1 确定用于单通道 TL331 和双通道 LM293、LM393 和 LM2903 的芯片 — PCN #1 (Ji3)
      2. 3.6.2 确定用于单通道 TL331 和双通道 LM293、LM393 和 LM2903 的芯片 — PCN #2 (TiB)
      3. 3.6.3 确定用于四通道 LM139、LM239、LM339 和 LM2901 的芯片
      4. 3.6.4 确定用于 PCN 之后 B 器件的芯片
  7. 4 更改封装顶部标识
  8. 5 粗糙的引线框镀层
  9. 6 输入注意事项
    1. 6.1  输入级原理图 – 经典 LM339 系列
    2. 6.2  输入级原理图 — 新的“B”和 TiB 器件
    3. 6.3  经典、“B”和 TiB 芯片器件之间的差异
    4. 6.4  输入电压范围
    5. 6.5  输入电压范围与共模电压范围间的关系
    6. 6.6  输入范围余量限制的原因
    7. 6.7  输入电压范围特性
    8. 6.8  两个输入都高于输入范围的行为
    9. 6.9  负输入电压
      1. 6.9.1 最大输入电流
      2. 6.9.2 相位反转或反相
      3. 6.9.3 保护输入免受负电压的影响
        1. 6.9.3.1 简单电阻器和二极管钳位
        2. 6.9.3.2 带钳位的分压器
          1. 6.9.3.2.1 带钳位的分体式分压器
    10. 6.10 上电行为
    11. 6.11 电容器和迟滞
    12. 6.12 输出-输入串扰
  10. 7 输出级注意事项
    1. 7.1 输出 VOL 和 IOL
    2. 7.2 上拉电阻器选择
    3. 7.3 短路灌电流
    4. 7.4 将输出上拉至高于 Vcc
    5. 7.5 施加到输出的负电压
    6. 7.6 向输出端添加大型滤波电容器
  11. 8 电源注意事项
    1. 8.1 电源旁路
      1. 8.1.1 低 VCC 引导
      2. 8.1.2 双电源用法
  12. 9 比较器常规用法
    1. 9.1 比较器未使用通道的接线
      1. 9.1.1 禁止将输入端直接接地
      2. 9.1.2 比较器未使用输入的接线
      3. 9.1.3 保持输出悬空
      4. 9.1.4 原型设计
  13. 10PSpice 和 TINA TI 模型
  14. 11结语
  15. 12相关文档
    1. 12.1 相关链接
  16. 13修订历史记录

6.2 输入级原理图 — 新的“B”和 TiB 器件

对于新的 B、Ji3 和 TiB 器件，为了改善传播延迟和输出驱动能力，在经典 LM339 设计中添加了一个由 Q13 和 Q14 组成的额外增益级。

简化版“B”内部原理图 - Ji3 和四通道 TiB（第一个 PCN）图 6-2 简化版“B”内部原理图 - Ji3 和四通道 TiB（第一个 PCN）

虽然这个附加级确实改进了技术规格，但这个额外级的确反转了信号路径（请注意输入现在已反向）。该反相产生的一个影响是，节 6.8中的特性发生了反转，从而使 B 器件输出变为高电平。此外，还添加了专用的 ESD 保护结构，可实现更强大的 ESD 性能。

PCN 之后的简化版“B”和 TiB 内部原理图（带钳位）图 6-3 PCN 之后的简化版“B”和 TiB 内部原理图（带钳位）

对于采用新的 TiB 工艺的全新四通道 LM139/239/339/2901 和 PCN 之后的单通道和双通道，在 Q3 附近添加了一个钳位晶体管（Q15 以红色显示），以确保在输入级处于截止状态时，输出变为低电平。

通常情况下，除非 Q2 和 Q3 切断（当输入大于 Vcc-1V 时），否则 Q15 不会导通，然后 Q15 会导通并强制输出为低电平。最终，所有未来的器件和“B”器件都可以遵循此原理图。