ZHCSC15D December   2013  – August 2025 TPS709-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
    7. 5.7 开关特性
    8. 5.8 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 欠压锁定 (UVLO)
      2. 6.3.2 关断
      3. 6.3.3 反向电流保护
      4. 6.3.4 内部电流限制
      5. 6.3.5 热保护
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 正常运行
      2. 6.4.2 压降运行
      3. 6.4.3 禁用
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 输入和输出电容器注意事项
      2. 7.1.2 压降电压
      3. 7.1.3 瞬态响应
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
        1. 7.4.1.1 对于改进 PSRR 和噪声性能的电路板布局布线建议
        2. 7.4.1.2 功率耗散
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
        1. 8.1.1.1 评估模块
        2. 8.1.1.2 Spice 模型
      2. 8.1.2 器件命名规则
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DBV|5
  • DRV|6
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.4.1.2 功率耗散

不同封装类型的芯片散热能力是不同的，在印刷电路板 (PCB) 布局过程中应区别对待。器件周围没有其他组件的 PCB 区域会将器件的热量散发到周围空气中。热性能信息 中列出了 JEDEC 低 K 电路板和高 K 电路板的性能数据。使用较重的覆铜可提高器件的散热效率。在散热层上增加的电镀通风孔也能提升散热效率。

功耗取决于输入电压和负载情况。功率耗散 (PD) 等于输出电流乘以输出导通元件（VIN 至 VOUT）上的压降所得到的乘积，如方程式 1 所示。


方程式 1. PD = (VIN – VOUT) × IOUT


图 7-4 展示了 TPS709-Q1 的最高环境温度与功率耗散之间的关系。该图假设器件焊接在 JEDEC 标准高 K 布局上，电路板上没有气流。电路板的实际热阻抗差异很大。如果应用需要高功率耗散，则透彻了解电路板温度和热阻抗有助于确保 TPS709-Q1 不会在高于 125°C 的结温下运行。

TPS709-Q1 最高环境温度与功率耗散间的关系图 7-4 最高环境温度与功率耗散间的关系

可以使用 热性能信息 中所示的热指标 ΨJT 和 ΨJB 来估算结温。与 RθJA 相比，这些指标是芯片和封装热传递特性的更准确表示。可以使用方程式 2 来估算结温。

 

方程式 2. TPS709-Q1

其中：

  • PD 是功率耗散，如 方程式 1 所示，
  • TT 是器件封装顶部中间位置的温度，
  • TB 是在 PCB 表面 距器件封装 1mm 处测得的 PCB 温度。
注：

TT 和 TB 都可以使用实际测温仪（红外温度计）在实际应用板上进行测得。

有关测量 TT 和 TB 的详细信息，请参阅使用新的热指标应用手册（可从 www.ti.com 下载）。