ZHCSC15D December   2013  – August 2025 TPS709-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
    7. 5.7 开关特性
    8. 5.8 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 欠压锁定 (UVLO)
      2. 6.3.2 关断
      3. 6.3.3 反向电流保护
      4. 6.3.4 内部电流限制
      5. 6.3.5 热保护
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 正常运行
      2. 6.4.2 压降运行
      3. 6.4.3 禁用
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 输入和输出电容器注意事项
      2. 7.1.2 压降电压
      3. 7.1.3 瞬态响应
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
        1. 7.4.1.1 对于改进 PSRR 和噪声性能的电路板布局布线建议
        2. 7.4.1.2 功率耗散
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
        1. 8.1.1.1 评估模块
        2. 8.1.1.2 Spice 模型
      2. 8.1.2 器件命名规则
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DBV|5
  • DRV|6
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.1.2 压降电压

TPS709-Q1 使用一个 PMOS 导通晶体管来实现低压降。当 (VIN – VOUT) 低于压降电压 (VDO) 时，PMOS 导通晶体管处于其运行的线性区域并且输入到输出电阻是 PMOS 导通晶体管的 RDS(ON)。VDO 大致与输出电流成比例，因为 PMOS 晶体管的功能与压降中的电阻器类似。

当器件在压降下运行时，许多线性稳压器的接地引脚电流会大幅增加。在压降模式下运行时，接地引脚电流增加可能比器件未处于压降状态时大几个数量级。TPS709-Q1 采用特殊的控制环路，该环路限制在压降下运行时接地引脚电流的增加。此功能可在压降条件下实现高效运行，大幅延长电池运行时间。