ZHCSYL7 July   2025 TPS546B25

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  D-CAP4 控制
        1. 6.3.1.1 环路补偿
      2. 6.3.2  内部 VCC LDO 以及在 VDRV 引脚上使用外部偏置电源
      3. 6.3.3  输入欠压锁定 (UVLO)
        1. 6.3.3.1 固定 VCC_OK UVLO
        2. 6.3.3.2 固定 VDRV UVLO
        3. 6.3.3.3 可编程 PVIN UVLO
        4. 6.3.3.4 控制 (CNTL) 使能
      4. 6.3.4  差分遥感和内部、外部反馈分压器
      5. 6.3.5  设置输出电压和 VORST#
      6. 6.3.6  启动和关断
      7. 6.3.7  动态电压压摆率
      8. 6.3.8  设置开关频率
      9. 6.3.9  开关节点 (SW)
      10. 6.3.10 过流限制和低侧电流检测
      11. 6.3.11 负过流限制
      12. 6.3.12 零交叉检测
      13. 6.3.13 输入过压保护
      14. 6.3.14 输出过压和欠压保护
      15. 6.3.15 过热保护
      16. 6.3.16 遥测
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 强制连续导通模式
      2. 6.4.2 DCM 轻负载运行
      3. 6.4.3 通过 12V 总线为该器件供电
      4. 6.4.4 通过分离轨配置为该器件供电
      5. 6.4.5 引脚配置
        1. 6.4.5.1 对 MSEL1 进行编程
        2. 6.4.5.2 对 PMB_ADDR 进行编程
        3. 6.4.5.3 对 MSEL2 进行编程
        4. 6.4.5.4 对 VSEL\FB 进行编程
    5. 6.5 编程
      1. 6.5.1 支持的 PMBus® 命令
  8. 7 寄存器映射
    1. 7.1  记录块命令的约定
    2. 7.2  (01h) OPERATION
    3. 7.3  (02h) ON_OFF_CONFIG
    4. 7.4  (03h) CLEAR_FAULTS
    5. 7.5  (04h) PHASE
    6. 7.6  (09h) P2_PLUS_WRITE
    7. 7.7  (0Ah) P2_PLUS_READ
    8. 7.8  (0Eh) PASSKEY
    9. 7.9  (10h) WRITE_PROTECT
    10. 7.10 (15h) STORE_USER_ALL
    11. 7.11 (16h) RESTORE_USER_ALL
    12. 7.12 (19h) CAPABILITY
    13. 7.13 (1Bh) SMBALERT_MASK
    14. 7.14 (20h) VOUT_MODE
    15. 7.15 (21h) VOUT_COMMAND
    16. 7.16 (22h) VOUT_TRIM
    17. 7.17 (24h) VOUT_MAX
    18. 7.18 (25h) VOUT_MARGIN_HIGH
    19. 7.19 (26h) VOUT_MARGIN_LOW
    20. 7.20 (27h) VOUT_TRANSITION_RATE
    21. 7.21 (29h) VOUT_SCALE_LOOP
    22. 7.22 (2Ah) VOUT_SCALE_MONITOR
    23. 7.23 (2Bh) VOUT_MIN
    24. 7.24 (33h) FREQUENCY_SWITCH
    25. 7.25 (35h) VIN_ON
    26. 7.26 (36h) VIN_OFF
    27. 7.27 (39h) IOUT_CAL_OFFSET
    28. 7.28 (40h) VOUT_OV_FAULT_LIMIT
    29. 7.29 (41h) VOUT_OV_FAULT_RESPONSE
    30. 7.30 (42h) VOUT_OV_WARN_LIMIT
    31. 7.31 (43h) VOUT_UV_WARN_LIMIT
    32. 7.32 (44h) VOUT_UV_FAULT_LIMIT
    33. 7.33 (45h) VOUT_UV_FAULT_RESPONSE
    34. 7.34 (46h) IOUT_OC_FAULT_LIMIT
    35. 7.35 (48h) IOUT_OC_LV_FAULT_LIMIT
    36. 7.36 (49h) IOUT_OC_LV_FAULT_RESPONSE
    37. 7.37 (4Ah) IOUT_OC_WARN_LIMIT
    38. 7.38 (4Fh) OT_FAULT_LIMIT
    39. 7.39 (50h) OT_FAULT_RESPONSE
    40. 7.40 (51h) OT_WARN_LIMIT
    41. 7.41 (55h) VIN_OV_FAULT_LIMIT
    42. 7.42 (60h) TON_DELAY
    43. 7.43 (61h) TON_RISE
    44. 7.44 (64h) TOFF_DELAY
    45. 7.45 (65h) TOFF_FALL
    46. 7.46 (78h) STATUS_BYTE
    47. 7.47 (79h) STATUS_WORD
    48. 7.48 (7Ah) STATUS_VOUT
    49. 7.49 (7Bh) STATUS_IOUT
    50. 7.50 (7Ch) STATUS_INPUT
    51. 7.51 (7Dh) STATUS_TEMPERATURE
    52. 7.52 (7Eh) STATUS_CML
    53. 7.53 (7Fh) STATUS_OTHER
    54. 7.54 (80h) STATUS_MFR_SPECIFIC
    55. 7.55 (88h) READ_VIN
    56. 7.56 (8Bh) READ_VOUT
    57. 7.57 (8Ch) READ_IOUT
    58. 7.58 (8Dh) READ_TEMPERATURE_1
    59. 7.59 (98h) PMBUS_REVISION
    60. 7.60 (99h) MFR_ID
    61. 7.61 (9Ah) MFR_MODEL
    62. 7.62 (9Bh) MFR_REVISION
    63. 7.63 (ADh) IC_DEVICE_ID
    64. 7.64 (AEh) IC_DEVICE_REV
    65. 7.65 (D1h) SYS_CFG_USER1
    66. 7.66 (D3h) PMBUS_ADDR
    67. 7.67 (D4h) COMP
    68. 7.68 (D5h) VBOOT_OFFSET_1
    69. 7.69 (D6h) STACK_CONFIG
    70. 7.70 (D8h) PIN_DETECT_OVERRIDE
    71. 7.71 (D9h) NVM_CHECKSUM
    72. 7.72 (DAh) READ_TELEMETRY
    73. 7.73 (DBh) STATUS_ALL
    74. 7.74 (DDh) EXT_WRITE_PROTECTION
    75. 7.75 (DEh) IMON_CAL
    76. 7.76 (FCh) FUSION_ID0
    77. 7.77 (FDh) FUSION_ID1
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 应用
      2. 8.2.2 设计要求
      3. 8.2.3 详细设计过程
        1. 8.2.3.1 输入电容器选型
        2. 8.2.3.2 输出电容器选型
        3. 8.2.3.3 补偿选择
        4. 8.2.3.4 VOSNS 和 GOSNS 电容器选型
        5. 8.2.3.5 PMBus® 地址电阻器选型
      4. 8.2.4 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
        1. 8.4.2.1 EVM 上的热性能表现
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.4.5.2 对 PMB_ADDR 进行编程

下面显示了 PMB_ADDR 的引脚配置表。使用的 PMBus 地址可以来自 PMBus 寄存器 PMBus_ADDR，而不是引脚配置，具体取决于 PIN_DETECT_OVERRIDE 寄存器中位 OVRD_PMB_ADDR 的状态。当引脚配置用作 PMBus 地址的源时，指示 PMBus 地址（位 [14:8]）的 PMBus_ADDR 内容将使用引脚配置值进行更新。

下表显示了通过引脚配置实现的初级器件和次级器件的有效 PMBus 地址配置。

表 6-4 PMB_ADDR 的允许组合
单相 两相 三相 四相
0Ω 和 18.2kΩ 之间的所有电阻值

初级：22.1kΩ

次级：0Ω

初级：49.9kΩ

第一个次级：4.02kΩ

第二个次级：9.09kΩ

初级：137kΩ

第一个次级：22.1kΩ

第二个次级：49.9kΩ

第三个次级：137kΩ

初级：26.7kΩ

次级：2.21kΩ

初级：60.4kΩ

第一个次级：4.87kΩ

第二个次级：11.3kΩ

初级：174kΩ

第一个次级：26.7kΩ

第二个次级：60.4kΩ

第三个次级：174kΩ

初级：33.2kΩ

次级：2.74kΩ

初级：76.8kΩ

第一个次级：5.9kΩ

第二个次级：14.3kΩ

初级：243kΩ

第一个次级：33.2kΩ

第二个次级：76.8kΩ

第三个次级：243kΩ

初级：40.2kΩ

次级：3.32kΩ

初级：102kΩ

第一个次级：7.32kΩ

第二个次级：18.2kΩ

初级：> 412kΩ

第一个次级：40.2kΩ

第二个次级：102kΩ

第三个次级：> 412kΩ
表 6-5 当 MSEL1 选择初级 = 1（初级器件）时，用于编程的电阻器
电阻器 (kΩ) 初级堆叠数量 模式 通用地址
< 1.78 初级器件 - 单相堆叠 FCCM 11h
2.21 12h
2.74 13h
3.32 DCM 14h
4.02 15h
4.87 16h
5.9 FCCM 17h
7.32 18h
9.09 19h
11.3 DCM 1Ah
14.3 1Bh
18.2 1Ch
22.1 主器件- 2 相栈 FCCM 0Dh
26.7 0Eh
33.2 0Fh
40.2 10h
49.9 主器件- 3 相栈 0Dh
60.4 0Eh
76.8 0Fh
102 10h
137 主器件- 4 相栈 0Dh
174 0Eh
243 0Fh
> 412 10h
表 6-6 当 MSEL1 选择次级器件时用于编程的电阻器
电阻器 (kΩ) 初级堆叠数量 模式 通用地址 唯一地址
< 1.78 第一个次级器件 - 两相堆叠 FCCM 0Dh +10h
2.21 0Eh +10h
2.74 0Fh +10h
3.32 10h +10h
4.02 第一个次级器件 - 三相堆叠 0Dh +10h
4.87 0Eh +10h
5.9 0Fh +10h
7.32 10h +10h
9.09 第二个次级器件 - 三相堆叠 0Dh +30h
11.3 0Eh +30h
14.3 0Fh +30h
18.2 10h +30h
22.1 第一个次级 - 四相堆叠 0Dh +10h
26.7 0Eh +10h
33.2 0Fh +10h
40.2 10h +10h
49.9 第二个次级 - 四相堆叠 0Dh +30h
60.4 0Eh +30h
76.8 0Fh +30h
102 10h +30h
137 第三个次级 - 四相堆叠 0Dh +50h
174 0Eh +50h
243 0Fh +50h
> 412 10h +50h