ZHCSYL7 July   2025 TPS546B25

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  D-CAP4 控制
        1. 6.3.1.1 环路补偿
      2. 6.3.2  内部 VCC LDO 以及在 VDRV 引脚上使用外部偏置电源
      3. 6.3.3  输入欠压锁定 (UVLO)
        1. 6.3.3.1 固定 VCC_OK UVLO
        2. 6.3.3.2 固定 VDRV UVLO
        3. 6.3.3.3 可编程 PVIN UVLO
        4. 6.3.3.4 控制 (CNTL) 使能
      4. 6.3.4  差分遥感和内部、外部反馈分压器
      5. 6.3.5  设置输出电压和 VORST#
      6. 6.3.6  启动和关断
      7. 6.3.7  动态电压压摆率
      8. 6.3.8  设置开关频率
      9. 6.3.9  开关节点 (SW)
      10. 6.3.10 过流限制和低侧电流检测
      11. 6.3.11 负过流限制
      12. 6.3.12 零交叉检测
      13. 6.3.13 输入过压保护
      14. 6.3.14 输出过压和欠压保护
      15. 6.3.15 过热保护
      16. 6.3.16 遥测
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 强制连续导通模式
      2. 6.4.2 DCM 轻负载运行
      3. 6.4.3 通过 12V 总线为该器件供电
      4. 6.4.4 通过分离轨配置为该器件供电
      5. 6.4.5 引脚配置
        1. 6.4.5.1 对 MSEL1 进行编程
        2. 6.4.5.2 对 PMB_ADDR 进行编程
        3. 6.4.5.3 对 MSEL2 进行编程
        4. 6.4.5.4 对 VSEL\FB 进行编程
    5. 6.5 编程
      1. 6.5.1 支持的 PMBus® 命令
  8. 7 寄存器映射
    1. 7.1  记录块命令的约定
    2. 7.2  (01h) OPERATION
    3. 7.3  (02h) ON_OFF_CONFIG
    4. 7.4  (03h) CLEAR_FAULTS
    5. 7.5  (04h) PHASE
    6. 7.6  (09h) P2_PLUS_WRITE
    7. 7.7  (0Ah) P2_PLUS_READ
    8. 7.8  (0Eh) PASSKEY
    9. 7.9  (10h) WRITE_PROTECT
    10. 7.10 (15h) STORE_USER_ALL
    11. 7.11 (16h) RESTORE_USER_ALL
    12. 7.12 (19h) CAPABILITY
    13. 7.13 (1Bh) SMBALERT_MASK
    14. 7.14 (20h) VOUT_MODE
    15. 7.15 (21h) VOUT_COMMAND
    16. 7.16 (22h) VOUT_TRIM
    17. 7.17 (24h) VOUT_MAX
    18. 7.18 (25h) VOUT_MARGIN_HIGH
    19. 7.19 (26h) VOUT_MARGIN_LOW
    20. 7.20 (27h) VOUT_TRANSITION_RATE
    21. 7.21 (29h) VOUT_SCALE_LOOP
    22. 7.22 (2Ah) VOUT_SCALE_MONITOR
    23. 7.23 (2Bh) VOUT_MIN
    24. 7.24 (33h) FREQUENCY_SWITCH
    25. 7.25 (35h) VIN_ON
    26. 7.26 (36h) VIN_OFF
    27. 7.27 (39h) IOUT_CAL_OFFSET
    28. 7.28 (40h) VOUT_OV_FAULT_LIMIT
    29. 7.29 (41h) VOUT_OV_FAULT_RESPONSE
    30. 7.30 (42h) VOUT_OV_WARN_LIMIT
    31. 7.31 (43h) VOUT_UV_WARN_LIMIT
    32. 7.32 (44h) VOUT_UV_FAULT_LIMIT
    33. 7.33 (45h) VOUT_UV_FAULT_RESPONSE
    34. 7.34 (46h) IOUT_OC_FAULT_LIMIT
    35. 7.35 (48h) IOUT_OC_LV_FAULT_LIMIT
    36. 7.36 (49h) IOUT_OC_LV_FAULT_RESPONSE
    37. 7.37 (4Ah) IOUT_OC_WARN_LIMIT
    38. 7.38 (4Fh) OT_FAULT_LIMIT
    39. 7.39 (50h) OT_FAULT_RESPONSE
    40. 7.40 (51h) OT_WARN_LIMIT
    41. 7.41 (55h) VIN_OV_FAULT_LIMIT
    42. 7.42 (60h) TON_DELAY
    43. 7.43 (61h) TON_RISE
    44. 7.44 (64h) TOFF_DELAY
    45. 7.45 (65h) TOFF_FALL
    46. 7.46 (78h) STATUS_BYTE
    47. 7.47 (79h) STATUS_WORD
    48. 7.48 (7Ah) STATUS_VOUT
    49. 7.49 (7Bh) STATUS_IOUT
    50. 7.50 (7Ch) STATUS_INPUT
    51. 7.51 (7Dh) STATUS_TEMPERATURE
    52. 7.52 (7Eh) STATUS_CML
    53. 7.53 (7Fh) STATUS_OTHER
    54. 7.54 (80h) STATUS_MFR_SPECIFIC
    55. 7.55 (88h) READ_VIN
    56. 7.56 (8Bh) READ_VOUT
    57. 7.57 (8Ch) READ_IOUT
    58. 7.58 (8Dh) READ_TEMPERATURE_1
    59. 7.59 (98h) PMBUS_REVISION
    60. 7.60 (99h) MFR_ID
    61. 7.61 (9Ah) MFR_MODEL
    62. 7.62 (9Bh) MFR_REVISION
    63. 7.63 (ADh) IC_DEVICE_ID
    64. 7.64 (AEh) IC_DEVICE_REV
    65. 7.65 (D1h) SYS_CFG_USER1
    66. 7.66 (D3h) PMBUS_ADDR
    67. 7.67 (D4h) COMP
    68. 7.68 (D5h) VBOOT_OFFSET_1
    69. 7.69 (D6h) STACK_CONFIG
    70. 7.70 (D8h) PIN_DETECT_OVERRIDE
    71. 7.71 (D9h) NVM_CHECKSUM
    72. 7.72 (DAh) READ_TELEMETRY
    73. 7.73 (DBh) STATUS_ALL
    74. 7.74 (DDh) EXT_WRITE_PROTECTION
    75. 7.75 (DEh) IMON_CAL
    76. 7.76 (FCh) FUSION_ID0
    77. 7.77 (FDh) FUSION_ID1
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 应用
      2. 8.2.2 设计要求
      3. 8.2.3 详细设计过程
        1. 8.2.3.1 输入电容器选型
        2. 8.2.3.2 输出电容器选型
        3. 8.2.3.3 补偿选择
        4. 8.2.3.4 VOSNS 和 GOSNS 电容器选型
        5. 8.2.3.5 PMBus® 地址电阻器选型
      4. 8.2.4 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
        1. 8.4.2.1 EVM 上的热性能表现
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.34 (46h) IOUT_OC_FAULT_LIMIT

CMD 地址 46h
写入事务： 写入字
读取事务： 读取字
格式： LINEAR11
相控： 是
NVM 备份： EEPROM 或引脚检测
更新： 动态

IOUT_OC_FAULT_LIMIT 命令设置导致过流检测器指示过流故障情况的输出电流值。此处选择的阈值将与检测到的低侧谷值电流进行比较。有关更多详细信息，请参阅过流限制和低侧电流检测。

返回到支持的 PMBus 命令。

图 7-41 (46h) IOUT_OC_FAULT_LIMIT 寄存器映射
15 14 13 12 11 10 9 8
R R R R R R R R
EXPONENT IOUT_OC_FAULT_LIMIT
7 6 5 4 3 2 1 0
R* 或 R/W** R* 或 R/W** R/W R/W R/W R/W R/W R/W
IOUT_OC_FAULT_LIMIT
说明：R/W = 读取/写入；R = 只读
表 7-39 寄存器字段说明
位 字段 访问 复位 说明
15:11 EXPONENT R 00000b 线性格式二进制补码指数。指数是通过其他设置自动配置的，其结果为

1b：LSB：0.5A

0b：LSB：1A
10:8 保留 R 00000b 未使用，始终设置为 0。
7 IOUT_OC_FAULT_LIMIT R* 或 R/W** 0b

* 当 STACK_NUMBER[1:0] = 1b 时，位 7 为只读。

** 当 STACK_NUMBER[1:0] 大于 2b 时，第 7 位可读且可写，如 P2_PLUS_WRITE 命令和对 P2_PLUS_READ 命令的响应说明中所述。
6 IOUT_OC_FAULT_LIMIT R* 或 R/W*** 0b

* 当 STACK_NUMBER[1:0] = 1b 时，位 6 为只读。

** 当 STACK_NUMBER[1:0] 大于 1b 时，第 6 位可读且可写，如 P2_PLUS_WRITE 命令和对 P2_PLUS_READ 命令的响应说明中所述。
5:0 IOUT_OC_FAULT_LIMIT R/W NVM 这些位选择 IOUT 谷值电流限制阈值。

数据有效性

可写位中的每个尾数二进制值都是可写和可读的。但是，实际分频器设置为最接近的受支持值。此外，针对硬件中支持的每个设置，从 EEPROM 恢复的尾数值是固定的。

* 当 STACK_NUMBER[1:0] 为 1b 时，尝试更改只读位 (IOUT_OC_FAULT_LIMIT[15:8]) 将被视为无效/不受支持的数据。器件将 NACK 不受支持的数据，并且接收到的值将被忽略。将设置 STATUS_BYTE 中的“cml”位和 STATUS_CML 寄存器中的“ivd”位。

** 仅当 STACK_NUMBER[1:0] > 2b 时，尝试更改读写位 (IOUT_OC_FAULT_LIMIT[7]) 才会被视为有效数据。

*** 仅当 STACK_NUMBER[1:0] > 1b 时，尝试更改读写位 (IOUT_OC_FAULT_LIMIT[6]) 才会被视为有效数据。

表 7-40 IOUT_OC_FAULT_LIMIT 支持的值和 EEPROM 恢复值
IOUT_OC_FAULT_LIMIT [5:0] IOUT_OC (A)
大于或等于 小于
14d 6.25
14d 17d 7.5
17d 22d 9.375
22d 25d 11.875
25d 28d 13.125
28d 33d 15 (60%)
33d 37d 17.5
37d 39d 18.75
39d 42d 20 (80%)
42d 47d 21.875
47d 50d 24.375
50d 53d 25 (100%)
53d 58d 27.5
58d 30

对 P2_PLUS_WRITE 命令的响应

当 PMBus 主机尝试在命令中的 PHASE 数据设置为 FFh 的情况下，对 IOUT_OC_FAULT_LIMIT 执行 P2+ 写入操作时，预期是在各相之间平均分配命令中的净“Stack OC”电平，作为它们各自的“Phase OC”设置。为了实现这一目的，器件将执行以下操作：

  • 如果 STACK_NUMBER[1:0] 为 2（即两相运行），则传入的命令 Stack OC 电平会通过以下方式转换为单独的 Phase OC 电平：添加 1，然后右移 1 位（即除以 2，进行四舍五入）。然后，根据上面的 IOUT__OC_FAULT_LIMIT 表，将得到的 Phase OC 值归类到相应的 IOUT_OC 值中。
  • 如果 STACK_NUMBER[1:0] 为 4（即四相运行），则传入的命令 Stack OC 电平会通过以下方式转换为单独的 Phase OC 电平：添加 2，然后右移 2 位（即除以 4，进行四舍五入）。然后，根据上面的 IOUT_OC_FAULT_LIMIT 表，将得到的 Phase OC 值归类到相应的 IOUT_OC 值中。
  • 如果 STACK_NUMBER[1:0] 为 3（即三相运行），则使用下表将传入的命令 Stack OC 电平直接转换为 PHASE IOUT_OC 值：

表 7-41 三相 STACK OC IOUT_OC_FAULT_LIMIT 支持的值和 EEPROM 恢复值
三相 STACK OC 指令[5:0] PHASE IOUT_OC (A)
大于或等于 小于
42d 6.25
42d 51d 7.5
51d 64d 9.375
64d 75d 11.875
75d 85d 13.125
85d 98d 15 (60%)
98d 109d 17.5
109d 117d 18.75
117d 126d 20 (80%)
126d 139d 21.875
139d 148d 24.375
148d 158d 25 (100%)
158d 173d 27.5
173d 30

对 P2_PLUS_READ 命令的响应

当 PMBus 主机尝试在命令中的 PHASE 数据设置为 FFh 的情况下，IOUT_OC_FAULT_LIMIT 上执行 P2+ 读取操作时，仅初级器件才会使用 PHASE=FFh 的传入数据响应 P2+ 读取命令。初级器件将 IOUT_OC 值乘以 STACK_NUMBER，并向 PMBus 报告乘积。例如，如果三相电源轨中主相的 IOUT_OC 为 24A，则在 PHASE=FFh 下进行 P2+ 读取将产生 24 x 3 = 72A 作为读回值。