ZHCSSI2D July 2023 – August 2025 TMS320F28P650DH , TMS320F28P650DK , TMS320F28P650SH , TMS320F28P650SK , TMS320F28P659DH-Q1 , TMS320F28P659DK-Q1 , TMS320F28P659SH-Q1
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
片上闪存与 CPU 紧密集成,允许通过 128 位宽的预取读取和流水线缓冲器直接从闪存执行代码。序列代码的闪存性能等同于从 RAM 中执行。考虑到不连续性,相对于从 RAM 中执行的代码,大多数应用的运行效率约为 80%。
该器件还具有用于双代码安全模块 (DCSM) 的一次性可编程 (OTP) 扇区,该扇区在编程后无法擦除。
表 6-6 列出了不同频率下所需的最低闪存等待状态。闪存参数 表列出了闪存参数。
| CPUCLK (MHz) | 等待状态 (FRDCNTL[RWAIT](1)) |
|---|---|
| 160 < CPUCLK ≤ 200 | 4 |
| 120 < CPUCLK ≤ 160 | 3 |
| 80 < CPUCLK ≤ 120 | 2 |
| 0 < CPUCLK ≤ 80 | 1 |