ZHCSD10F September   2014  – June 2022 TMP112-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
  4. 修订历史记录
  5. 说明(续)
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 针对用户校准系统的技术规范
    7. 7.7 时序要求
    8. 7.8 典型特性
  8. 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 数字温度输出
      2. 8.3.2 串行接口
        1. 8.3.2.1 总线概述
        2. 8.3.2.2 串行总线地址
        3. 8.3.2.3 写入和读取操作
        4. 8.3.2.4 目标模式运行
          1. 8.3.2.4.1 目标接收器模式
          2. 8.3.2.4.2 目标发送器模式
        5. 8.3.2.5 SMBus 警报功能
        6. 8.3.2.6 常规调用
        7. 8.3.2.7 高速 (Hs) 模式
        8. 8.3.2.8 超时功能
        9. 8.3.2.9 时序图
          1. 8.3.2.9.1 双线制时序图
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 连续转换模式
      2. 8.4.2 扩展模式 (EM)
      3. 8.4.3 关断模式 (SD)
      4. 8.4.4 单稳态转换就绪模式 (OS)
      5. 8.4.5 恒温模式 (TM)
        1. 8.4.5.1 比较器模式 (TM = 0)
        2. 8.4.5.2 中断模式 (TM = 1)
    5. 8.5 编程
      1. 8.5.1 指针寄存器
      2. 8.5.2 温度寄存器
      3. 8.5.3 配置寄存器
        1. 8.5.3.1 关断模式 (SD)
        2. 8.5.3.2 恒温模式 (TM)
        3. 8.5.3.3 极性 (POL)
        4. 8.5.3.4 故障队列 (F1/F0)
        5. 8.5.3.5 转换器分辨率(R1 和 R0)
        6. 8.5.3.6 单稳态模式 (OS)
        7. 8.5.3.7 扩展模式 (EM)
        8. 8.5.3.8 警报 (AL)
        9. 8.5.3.9 转换率 (CR)
      4. 8.5.4 上限和下限寄存器
  9. 应用和实现
    1. 9.1 应用信息
      1. 9.1.1 校准以提高精度
        1. 9.1.1.1 示例 1:在 -15°C 至 50°C 范围内寻找最坏情况下的精度
        2. 9.1.1.2 示例 2:在 25°C 至 100°C 范围内寻找最坏情况下的精度
      2. 9.1.2 使用斜率规范与 1 点校准
        1. 9.1.2.1 电源电平对精度的影响
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
      3. 9.2.3 应用曲线
  10. 10电源相关建议
  11. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 文档支持
      1. 12.1.1 相关文档
    2. 12.2 接收文档更新通知
    3. 12.3 社区资源
    4. 12.4 商标
  13. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

详细设计过程

将 TMP7112-Q1 器件贴近热源(必须进行监控),布局要利于实现出色的热耦合。这种放置方式可确保在尽可能最短的时间间隔内捕捉温度变化。为了在要求对环境或者表面温度进行测量的应用中保持准确度,必须小心操作,使封装和引线不受周围环境温度的影响。热传导粘合剂有助于实现精确表面温度测量。

TMP112-Q1 器件是超低功耗器件,在电源总线上生成的噪声非常低。在 TMP112-Q1 器件的 V+ 引脚上应用 RC 滤波器可进一步降低 TMP112-Q1 器件可能传播到其他元件的噪声。图 9-4 中的 R(F) 必须小于 5kΩ,C(F) 必须大于 10nF。

GUID-C0694268-BDE1-46E0-A3E2-6908A5CF9BA2-low.gif图 9-4 降噪技术