ZHCSKP3L September 2021 – June 2026 TDA4VM , TDA4VM-Q1
PRODUCTION DATA
| 编号 | 参数 | 说明 | 模式 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| O1 | tc(CLK) | 周期时间,CLK | 1.8V | 19 | ns | |
| 3.3V | 19 | ns | ||||
| O2 | tw(CLKL) | 脉冲持续时间,CLK 低电平 | 0.475*P - 0.3 (2) | ns | ||
| O3 | tw(CLKH) | 脉冲持续时间,CLK 高电平 | 0.475*P - 0.3 (2) | ns | ||
| O4 | td(CLK-CSn) | 延迟时间,CSn 有效边沿到 CLK 上升沿 | 1.8V | 0.475 * P + 0.975 * N * R (2)(3)(5) | 0.475 * P + 0.975 * N * R + 1 (2)(3)(5) | ns |
| 3.3V | 0.475 * P + 0.975 * N * R (2)(3)(5) | 0.475 * P + 0.975 * N * R + 1(2)(3)(5) | ns | |||
| O5 | td(CLK-CSn) | 延迟时间,CLK 上升沿到 CSn 无效边沿 | 1.8V | 0.475 * P + 0.975 * N * R - 7(2)(4)(5) | 0.475 * P + 0.975 * N * R (2)(4)(5) | ns |
| 3.3V,OSPI0 DDR TX; 3.3V,OSPI1 DDR TX | 0.475 * P + 0.975 * N * R - 7(2)(4)(5) | 0.475 * P + 0.975 * N * R (2)(4)(5) | ns | |||
| O6 | td(CLK-D) | 延迟时间,CLK 有效边沿到 D[i:0] 转换(1) | 1.8V,OSPI0 DDR TX; 1.8V,OSPI1 DDR TX | -7.71 | -1.56 | ns |
| 3.3V,OSPI0 DDR TX; 3.3V,OSPI1 DDR TX | -7.71 | -1.56 | ns |
图 6-117 OSPI 开关特性 - DDR