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ZHCSKP3L September 2021 – June 2026 TDA4VM , TDA4VM-Q1

PRODUCTION DATA

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)

ALF|827

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

6.6 电气特性

注：

表 6-2至表 6-9中所述的接口或信号对应于多路复用模式 0（主要功能）中可用的接口或信号。

这些表中介绍的焊球上多路复用的所有接口或信号都具有相同的直流电气特性，除非多路复用涉及 PHY 和 GPIO 组合，在这种情况下，会为不同的复用模式（功能）指定不同的直流电气特性。

表 6-2 I2C 开漏失效防护 (I2C OD FS) 电气特性在建议的工作条件下测得（除非另有说明）

参数		测试条件	最小值	最大值	单位
模式 0 中的焊球名称：WKUP_I2C0_SDA、WKUP_I2C0_SCL、MCU_I2C0_SDA、MCU_I2C0_SCL、I2C0_SDA、I2C0_SCL、I2C1_SDA、I2C1_SCL、EXTINTN
焊球编号：H24 / J25 / H25 / J26 / AA5 / AC5 / AA6 / Y6 / AC18 H24/ J25 / H25 / J26 / AA5 / AC5 / AA6 / Y6 / AC18
1.8V 模式
V_IL	输入低电平阈值			0.3 × VDDSHV⁽¹⁾	V
V_ILSS	输入低电平阈值稳态			0.3 × VDDSHV⁽¹⁾	V
V_IH	输入高电平阈值		0.7 × VDDSHV⁽¹⁾		V
V_IHSS	输入高电平阈值稳态		0.7 × VDDSHV⁽¹⁾		V
V_HYS	输入迟滞电压		0.1 × VDDSHV⁽¹⁾		mV
I_IN	输入漏电流	V_I = 1.8V 或 0V		±10	µA
V_OL	输出低电平电压			0.2 × VDDSHV⁽¹⁾	V
I_OL⁽²⁾	低电平输出电流	V_OL(MAX)	6		mA
SR_I⁽⁴⁾	输入压摆率		18f⁽³⁾ 或 1.8E+6		V/s
3.3V 模式⁽⁵⁾
V_IL	输入低电平阈值			0.3 × VDDSHV⁽¹⁾	V
V_ILSS	输入低电平阈值稳态			0.25 × VDDSHV⁽¹⁾	V
V_IH	输入高电平阈值		0.7 × VDDSHV⁽¹⁾		V
V_IHSS	输入高电平阈值稳态		0.7 × VDDSHV⁽¹⁾		V
V_HYS	输入迟滞电压		0.05 × VDDSHV⁽¹⁾		mV
I_IN	输入漏电流	V_I = 3.3V 或 0V		±10	µA
V_OL	输出低电平电压			0.4⁽¹⁾	V
I_OL⁽²⁾	低电平输出电流	V_OL(MAX)	6		mA
SR_I⁽⁴⁾	输入压摆率		33f⁽³⁾ 或 3.3E+6	8E + 7	V/s

(1) VDDSHV 表示相应的电源。有关电源名称和相应焊球的更多信息，请参阅节 5.2 引脚属性 的“电源”列。

(2) I_OL 参数定义了器件能够保持指定 V_OL 值的最小低电平输出电流。此参数定义的值应被视为系统实现可提供的最大电流，而系统实现需要为附加元件保持指定的 V_OL 值。

(3) f = 输入信号的切换频率（以 Hz 为单位）。

(4) 此最小值参数仅适用于在相应的时序和开关特性 部分中未定义的输入信号功能。选择会产生最大值的最小值参数。

(5) 在 3.3V 模式下操作 IO 时，不支持 I2C Hs 模式。

表 6-3 失效防护复位（FS 复位）电气特性在建议的工作条件下测得（除非另有说明）

参数		测试条件	最小值	最大值	单位
模式 0 中的焊球名称：MCU_PORz、PORz
焊球编号：H23 / J24
V_IL	输入低电平阈值			0.3 × VDDSHV⁽¹⁾	V
V_ILSS	输入低电平阈值稳态			0.3 × VDDSHV⁽¹⁾	V
V_IH	输入高电平阈值		0.7 × VDDSHV⁽¹⁾		V
V_IHSS	输入高电平阈值稳态		0.7 × VDDSHV⁽¹⁾		V
V_HYS	输入迟滞电压		200		mV
I_IN	输入漏电流	V_I = 1.8V 或 0V		±10	µA

(1) VDDSHV 表示相应的电源。有关电源名称和相应焊球的更多信息，请参阅节 5.2 引脚属性 的“电源”列。

表 6-4 HFOSC/LFOSC 电气特性在建议的工作条件下测得（除非另有说明）

参数		测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
高频振荡器
焊球名称：WKUP_OSC0_XO、WKUP_OSC0_XI、OSC1_XO、OSC1_XI
焊球编号：M27 / M29 / P27 / P29
V_IH	输入高电平阈值		0.65 × VDDSHV⁽¹⁾			V
V_IL	输入低电平阈值				0.35 × VDDSHV⁽¹⁾	V
V_HYS	输入迟滞电压			49		mV
低频振荡器
焊球名称：WKUP_LFOSC0_XO、WKUP_LFOSC0_XI
焊球编号：N26 / N28
V_IH	输入高电平阈值		0.65 × VDDA_WKUP⁽¹⁾			V
V_IL	输入低电平阈值				0.35 × VDDA_WKUP⁽¹⁾	V
V_HYS	输入迟滞电压	工作模式		85		mV
V_HYS	输入迟滞电压	旁路模式		324		mV

(1) VDDSHV 表示相应的电源。对于 WKUP_OSC0，对应的电源为 VDDA_WKUP。对于 OSC1_XI，对应的电源为 VDDS_OSC1。

表 6-5 eMMCPHY 电气特性在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）

参数		测试条件	最小值	标称值	最大值	单位
模式 0 中的焊球名称：MMC0_DAT[7:0]、MMC0_CALPAD、MMC0_CMD、MMC0_DS、MMC0_CLK
焊球编号：AG2 / AH1 / AG3 / AF4 / AE5 / AF3 / AG1 / AF2 / AE1 / AE3 / AE4 / AF1
V_IL	输入低电平阈值				0.35 × VDDSHV⁽¹⁾	V
V_ILSS	输入低电平阈值稳态				0.20	V
V_IH	输入高电平阈值		0.65 × VDDSHV⁽¹⁾			V
V_IHSS	输入高电平阈值稳态		1.4			V
I_IN	输入漏电流	V_I = 1.8V 或 0V			±10	µA
I_OZ	三态输出漏电流	V_O = 1.8V 或 0V			±10	µA
R_PU	上拉电阻器		15	20	25	kΩ
R_PD	下拉电阻器		15	20	25	kΩ
V_OL	输出低电平电压				0.30	V
V_OH	输出高电平电压		VDDSHV - 0.30⁽¹⁾			V
I_OL	低电平输出电流	V_OL(MAX)	2			mA
I_OH	高电平输出电流	V_OH(MAX)	2			mA
SR_I	输入压摆率		5E + 8			V/s

(1) VDDSHV 表示相应的电源 (vddshv8)。有关电源名称和相应焊球的更多信息，请参阅节 5.2 引脚属性 的“电源”列。

表 6-6 SDIO 电气特性在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）

参数		测试条件	最小值	标称值	最大值	单位
模式 0 中的焊球名称：MMC1_CLK、MMC1_CMD、MMC1_DAT[3:0]、MMC2_CLK、MMC2_CMD、MMC2_DAT[3:0]
焊球编号：P25 / R29 / R24 / P24 / R25 / R26 / T26 / T25 / T24 / T27 / T29 / T28
1.8V 模式
V_IL	输入低电平阈值				0.58	V
V_ILSS	输入低电平阈值稳态				0.58	V
V_IH	输入高电平阈值		1.27			V
V_IHSS	输入高电平阈值稳态		1.7			V
V_HYS	输入迟滞电压		150			mV
I_IN	输入漏电流	V_I = 1.8V 或 0V			±10	µA
R_PU	上拉电阻器		40	50	60	kΩ
R_PD	下拉电阻器		40	50	60	kΩ
V_OL	输出低电平电压				0.45	V
V_OH	输出高电平电压		VDDSHV- 0.45⁽¹⁾			V
I_OL	低电平输出电流	V_OL(MAX)	4			mA
I_OH	高电平输出电流	V_OH(MAX)	4			mA
SR_I⁽³⁾	输入压摆率		18f⁽²⁾ 或 1.8E+6			V/s
3.3V 模式
V_IL	输入低电平阈值				0.25 × VDDSHV⁽¹⁾	V
V_ILSS	输入低电平阈值稳态				0.15 × VDDSHV⁽¹⁾	V
V_IH	输入高电平阈值		0.625 × VDDSHV⁽¹⁾			V
V_IHSS	输入高电平阈值稳态		0.625 × VDDSHV⁽¹⁾			V
V_HYS	输入迟滞电压		150			mV
I_IN	输入漏电流	V_I = 1.8V 或 0V			±10	µA
R_PU	上拉电阻器		40	50	60	kΩ
R_PD	下拉电阻器		40	50	60	kΩ
V_OL	输出低电平电压				0.125 × VDDSHV⁽¹⁾	V
V_OH	输出高电平电压		0.75 × VDDSHV⁽¹⁾			V
I_OL	低电平输出电流	V_OL(MAX)	6			mA
I_OH	高电平输出电流	V_OH(MAX)	10			mA
SR_I⁽³⁾	输入压摆率		33f⁽²⁾ 或 3.3E+6			V/s

(1) VDDSHV 表示相应的电源 (vddshv8)。有关电源名称和相应焊球的更多信息，请参阅节 5.2 引脚属性 的“电源”列。

(2) f = 输入信号的切换频率（以 Hz 为单位）。

(3) 此最小值参数仅适用于在相应的时序和开关特性 部分中未定义的输入信号功能。选择会产生最大值的最小值参数。

CSI-2/DSI D-PHY 电气特性

注：

CSI-2/DSI (D-PHY) 接口电气特性符合 MIPI D-PHY 规范 v1.2（2014 年 8 月 1 日），包括 ECN 和勘误表（如适用）。

表 6-7 ADC12B 电气特性在建议的工作条件下测得（除非另有说明）

参数		测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
模式 0 中的焊球名称：MCU_ADC0_AIN[7:0]、MCU_ADC1_AIN[7:0]
焊球编号：K24 / K25 / K26 / K27 / K28 / K29 / L24 / L25 / L26 / L27 / L28 / L29 / M24 / M25 / N23 / N24
模拟输入
V_{MCU_ADC0/1_AIN[7:0]}	满标量程输入范围		VSS		VDDA_ADC0/1	V
DNL	微分非线性		-1	0.5	4	LSB
INL	积分非线性			±1	±4	LSB
LSB_GAIN-ERROR	增益误差			±2		LSB
LSB_OFFSET-ERROR	偏移误差			±2		LSB
C_IN	输入采样电容			5.5		pF
SNR	信噪比	输入信号：-0.5dB 满量程的 200kHz 正弦波		70		dB
THD	总谐波失真	输入信号：-0.5dB 满量程的 200kHz 正弦波		73		dB
SFDR	无杂散动态范围	输入信号：-0.5dB 满量程的 200kHz 正弦波		76		dB
SNR_(PLUS)	信噪比和失真	输入信号：-0.5dB 满量程的 200kHz 正弦波		69		dB
R_{MCU_ADC0/1_AIN[0:7]}	MCU_ADC0/1_AIN[7:0] 的输入阻抗	f = 输入信频率		[1/((65.97 × 10^–-12) × f_{SMPL_CLK})]		Ω
I_IN	输入漏电流	MCU_ADC0/1_AIN[7:0] = VSS			-10	μA
I_IN	输入漏电流	MCU_ADC0/1_AIN[7:0] = VDDA_ADC0/1			24	μA
采样动态
F_{SMPL_CLK}	SMPL_CLK 频率			60		MHz
t_C	转换时间			13		ADC0/1 SMPL_CLK 周期
t_ACQ	采集时间		2		257	ADC0/1 SMPL_CLK 周期
T_R	采样率	ADC0/1 SMPL_CLK = 60MHz		4		MSPS
CCISO	通道间隔离			100		dB
通用输入模式⁽¹⁾
V_IL	输入低电平阈值				0.35 × VDDA_ADC0/1	V
V_ILSS	输入高电平阈值稳态				0.35 × VDDA_ADC0/1	V
V_IH	输入高电平阈值		0.65 × VDDA_ADC0/1			V
V_IHSS	输入高电平阈值稳态		0.65 × VDDA_ADC0/1			V
V_HYS	输入迟滞电压		200			mV
I_IN	输入漏电流	V_I = 1.8V 或 0V			6	µA

(1) MCU_ADC0/1 可配置为以通用输入模式运行，其中所有 MCU_ADC0/1_AIN[7:0] 输入均通过 ADC0/1_CTRL 寄存器 (gpi_mode_en = 1) 全局启用，以作为数字输入运行。

表 6-8 MLB LVCMOS 电气特性仅支持 GPIO 模式。在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）

参数		测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
模式 0 中的焊球名称：MLB0_MLBSN、MLB0_MLBDP、MLB0_MLBSP、MLB0_MLBCP、MLB0_MLBDN、MLB0_MLBCN
焊球编号：AC1 / AC3 / AD1 / AD2 / AD3 / AE2
V_IL	输入低电压				0.3 × VDD⁽¹⁾	V
V_ILSS	输入低电压稳态				0.3 × VDD⁽¹⁾	V
V_IH	输入高电压		0.7 × VDD⁽¹⁾			V
V_IHSS	输入高电压稳态		0.75 × VDD⁽¹⁾			V
V_HYS	输入迟滞电压		80			mV
I_IN	输入漏电流	V_I = 1.8V 或 0V			±10	µA
R_PD	下拉电阻器		20	53	130	kΩ
V_OL	输出低电压				0.2	V
V_OH	输出高电压		VDD⁽¹⁾ - 0.2			V
I_OL	低电平输出电流	V_OL(MAX)	6			mA
I_OH	高电平输出电流	V_OH(MIN)	6			mA
SR_I	输入压摆率⁽²⁾	f_op > 100 MHz	1			V/ns
SR_I	输入压摆率⁽²⁾	f_op < 1 MHz	10			V/ns

(1) VDD 表示相应的电源。有关电源名称和相应焊球的更多信息，请参阅节 5.2 引脚属性 的“电源”列。

(2) 压摆率可能会受到进一步限制，请参考节 6.10以了解运行期间的实际压摆率。

表 6-9 LVCMOS 电气特性在建议的工作条件下测得（除非另有说明）

参数⁽¹⁾		测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
焊球名称：所有其他 IO
焊球编号：所有其他 IO
1.8V 模式
V_IL	输入低电压				0.35 × VDD⁽¹⁾	V
V_ILSS	输入低电压稳态				0.3 × VDD⁽¹⁾	V
V_IH	输入高电压		0.65 × VDD⁽¹⁾			V
V_IHSS	输入高电压稳态		0.85 × VDD⁽¹⁾			V
V_HYS	输入迟滞电压		150			mV
I_IN	输入漏电流。	V_I = 1.8V 或 0V			±10	µA
R_PU	上拉电阻器		15	22	30	kΩ
R_PD	下拉电阻器		15	22	30	kΩ
V_OL	输出低电压				0.45	V
V_OH	输出高电压		VDD⁽¹⁾ - 0.45			V
I_OL⁽²⁾	低电平输出电流	V_OL(MAX)	3			mA
I_OH⁽²⁾	高电平输出电流	V_OH(MIN)	3			mA
SR_I⁽⁴⁾	输入压摆率		18f⁽³⁾ 或 1.8E+6			V/s
3.3V 模式
V_IL	输入低电压				0.8	V
V_ILSS	输入低电压稳态				0.6	V
V_IH	输入高电压		2.0			V
V_IHSS	输入高电压稳态		2.0			V
V_HYS	输入迟滞电压		150			mV
I_IN	输入漏电流。	V_I = 3.3V 或 0V			±10	µA
R_PD	下拉电阻器		15	22	30	kΩ
V_OL	输出低电压				0.4	V
V_OH	输出高电压		2.4			V
I_OL⁽²⁾	低电平输出电流	V_OL(MAX)	5			mA
I_OH⁽²⁾	高电平输出电流	V_OH(MIN)	6			mA
SR_I⁽⁴⁾	输入压摆率		33f⁽³⁾ 或 3.3E+6			V/s

(1) VDD 表示相应的电源。有关电源名称和相应焊球的更多信息，请参阅节 5.2 引脚属性 的“电源”列。

(2) I_OL 和 I_OH 参数定义了器件能够保持指定的 V_OL 和 V_OH 值的最小低电平输出电流和高电平输出电流。这些参数定义的值应被视为系统实现可提供的最大电流，而系统实现需要为附加元件保持指定的 V_OL 和 V_OH 值。

(3) f = 输入信号的切换频率（以 Hz 为单位）。

(4) 此最小值参数仅适用于在相应的时序和开关特性 部分中未定义的输入信号功能。选择会产生最大值的最小值参数。

USB2PHY 电气特性

注：

USB0 和 USB1 电气特性符合 2000 年 4 月 27 日发布的通用串行总线修订版 2.0 规范，包括适用的 ECN 和勘误表。

串行器/解串器 4-L-PHY/2-L-PHY 电气特性

注：

PCIe 接口符合 2017 年 9 月 27 日 PCI Express® 基本规范 4.0 版中规定的电气参数。

如表 6-10 4-L-PHY 串行器/解串器 REFCLK 电气特性 中的参数 V_{REFCLK_TERM} 所述，在输入模式下使用该器件并启用内部终端时，该器件对串行器/解串器 REFCLK 施加了额外的限制。默认情况下会启用内部终端，但在应用超过限值（由 V_{REFCLK_TERM} 定义）的基准时钟信号之前必须禁用内部终端。在源极侧应始终启用外部终端。

表 6-10 4-L-PHY 串行器/解串器 REFCLK 电气特性仅在启用内部终端后适用。在建议的工作条件下测得（除非另有说明）

参数		最小值	典型值	最大值	单位
模式 0 中的焊球名称：SERDES4_REFCLK_P、SERDES4_REFCLK_N
焊球编号：E8 / E7
V_{REFCLK_TERM}	启用内部终端后位于基准时钟引脚上的单端电压阈值			400	mV
R_TERM	内部端接	40	50	62.5	Ω

注：

串行器/解串器 USB 接口符合 2013 年 7 月 26 日通用串行总线 3.1 规范 1.0 版本中定义的 USB3.1 超高速发送器和接收器标准化电气参数。

注：

SGMII 接口电气特性符合 IEEE802.3 第 70 条规定的 1000BASE-KX 标准。

注：

SGMII 2.5G/XAUI 接口电气特性符合 IEEE802.3 第 47 条。

注：

QSGMII 接口电气特性符合 QSGMII 规范 1.2 版。

本器件对 2-L-PHY SERDES REFCLK 施加了额外的限制，如表 6-11 2-L-PHY SERDES REFCLK 电气特性中的参数 V_IDTH 和 V_IDTL 所述。

表 6-11 2-L-PHY 串行器/解串器 REFCLK 电气特性仅在启用内部终端后适用。在建议的工作条件下测得（除非另有说明）

参数		最小值	最大值	单位
模式 0 中的焊球名称：PCIE_REFCLK[3:0]P、PCIE_REFCLK[3:0]N
焊球编号：AE9 / AD10 / AE11 / AD12 / AE14 / AD15 / AE17 / AD16
V_IDTH	输入差分高电平阈值		200	mV
V_IDTL	输入差分低电平阈值	-200		mV

UFS M-PHY 电气特性

注：

UFS 接口电气特性符合 MIPI M-PHY 规范 v3.1（2014 年 2 月 17 日）。

eDP/DP AUX-PHY 电气特性

注：

DP 接口电气特性符合 VESA DisplayPort (DP) 标准 v1.4（2016 年 2 月 23 日）。

注：

eDP 接口电气特性符合 VESA 嵌入式 DisplayPort (eDP) 标准 v1.4b（2015 年 10 月 23 日）。

DDR0 电气特性

注：

DDR 接口与符合 JESD209-4B 标准的 LPDDR4 SDRAM 器件兼容。