ZHCSKP3 数据表 | 德州仪器 TI.com.cn

ZHCSKP3L September 2021 – June 2026 TDA4VM , TDA4VM-Q1

PRODUCTION DATA

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)

ALF|827

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

6.1 绝对最大额定值

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）⁽¹⁾⁽²⁾

参数			最小值	最大值	单位
VDD_CORE	主域内核电源		-0.3	1.05	V
VDD_MCU	MCUSS 内核电源		-0.3	1.05	V
VDD_CPU	CPU 内核电源		-0.3	1.05	V
VDDA_0P8_DLL_MMC0	MMC0 DLL 模拟电源		-0.3	1.05	V
VDDAR_CORE	主域 RAM 电源		-0.3	1.05	V
VDDAR_MCU	MCUSS RAM 电源		-0.3	1.05	V
VDDAR_CPU	CPU RAM 电源		-0.3	1.05	V
VDDA_0P8_DP	Displayport SERDES 模拟电源低电平		-0.3	1.05	V
VDDA_0P8_DP_C	Displayport SERDES 时钟电源		-0.3	1.05	V
VDDA_0P8_DSITX	DSITX 时钟电源		-0.3	1.05	V
VDDA_0P8_DSITX_C	DSITX 时钟电源		-0.3	1.05	V
VDDA_0P8_CSIRX	CSIRX 模拟电源低电平		-0.3	1.05	V
VDDA_0P8_SERDES0_1	SERDES0-1 模拟电源低电平		-0.3	1.05	V
VDDA_0P8_SERDES2_3	SERDES2-3 模拟电源低电平		-0.3	1.05	V
VDDA_0P8_SERDES_C0_1	SERDES0-1 时钟电源		-0.3	1.05	V
VDDA_0P8_SERDES_C2_3	SERDES2-3 时钟电源		-0.3	1.05	V
VDDA_0P8_USB	USB0-1 0.8V 模拟电源		-0.3	1.05	V
VDDA_0P8_UFS	UFS 模拟电源低电平		-0.3	1.05	V
VDDA_0P8_PLL_MLB	MLB PLL 模拟电源		-0.3	1.05	V
VDDA_0P8_PLL_DDR	DDR PLL 模拟电源		-0.3	1.05	V
VDDA_1P8_USB	USB0-1 1.8V 模拟电源		-0.3	2.2	V
VDDA_1P8_UFS	UFS 模拟电源高电平		-0.3	2.2	V
VDDA_1P8_DP	Displayport SERDES 模拟电源高电平		-0.3	2.2	V
VDDA_1P8_DSITX	DSITX 模拟电源高电平		-0.3	2.2	V
VDDA_1P8_CSIRX	CSIRX 模拟电源高电平		-0.3	2.2	V
VDDA_1P8_SERDES0_1	SERDES0-1 模拟电源高电平		-0.3	2.2	V
VDDA_1P8_SERDES2_3	SERDES2-3 模拟电源高电平		-0.3	2.2	V
VDDA_3P3_USB	USB0-1 3.3V 模拟电源		-0.3	3.8	V
VDDA_MCU_PLLGRP0	MCU PLL 组 0 的模拟电源		-0.3	2.2	V
VDDA_PLLGRP0	主 PLL 组 0 的模拟电源		-0.3	2.2	V
VDDA_PLLGRP1	主 PLL 组 1 的模拟电源		-0.3	2.2	V
VDDA_PLLGRP2	主 PLL 组 2 的模拟电源		-0.3	2.2	V
VDDA_PLLGRP3	主 PLL 组 3 的模拟电源		-0.3	2.2	V
VDDA_PLLGRP4	主 PLL 组 4 的模拟电源		-0.3	2.2	V
VDDA_PLLGRP5	主 PLL 组 5 (DDR) 的模拟电源		-0.3	2.2	V
VDDA_PLLGRP6	主 PLL 组 6 的模拟电源		-0.3	2.2	V
VDDA_WKUP	WKUP 域的振荡器电源		-0.3	2.2	V
VDDA_ADC0	ADC 模拟电源		-0.3	2.2	V
VDDA_ADC1	ADC 模拟电源		-0.3	2.2	V
VDDA_MCU_TEMP	MCU 域中温度传感器 0 的模拟电源		-0.3	2.2	V
VDDA_POR_WKUP	WKUP 域模拟电源		-0.3	2.2	V
VDDA_1P8_MLB	MLB IO 电源（6 引脚接口）		-0.3	2.2	V
VDDA_TEMP_0_1	温度传感器 0 的模拟电源		-0.3	2.2	V
VDDA_TEMP_2_3	温度传感器 2 的模拟电源		-0.3	2.2	V
VDDS_DDR	DDR 接口电源		-0.3	1.2	V
VDDS_DDR_BIAS	LPDDR4 的偏置电源		-0.3	1.2	V
VDDS_DDR_C	DDR 存储器时钟位 (MCB) 宏的 IO 电源		-0.3	1.2	V
VDDS_MMC0	MMC0 IO 电源		-0.3	2.2	V
VDDS_OSC1	HFOSC1 电源		-0.3	2.2	V
VDDSHV0_MCU	IO 电源 MCUSS 通用 IO 组，以及 MCU 和主域热复位引脚	1.8V	-0.3	2.2	V
VDDSHV0_MCU	IO 电源 MCUSS 通用 IO 组，以及 MCU 和主域热复位引脚	3.3V	-0.3	3.8	V
VDDSHV0	主域的通用 IO 电源	1.8V	-0.3	2.2	V
VDDSHV0	主域的通用 IO 电源	3.3V	-0.3	3.8	V
VDDSHV1_MCU	MCUSS IO 组 1 的 IO 电源	1.8V	-0.3	2.2	V
VDDSHV1_MCU	MCUSS IO 组 1 的 IO 电源	3.3V	-0.3	3.8	V
VDDSHV1	主域 IO 组 1 的 IO 电源	1.8V	-0.3	2.2	V
VDDSHV1	主域 IO 组 1 的 IO 电源	3.3V	-0.3	3.8	V
VDDSHV2_MCU	MCUSS IO 组 2 的 IO 电源	1.8V	-0.3	2.2	V
VDDSHV2_MCU	MCUSS IO 组 2 的 IO 电源	3.3V	-0.3	3.8	V
VDDSHV2	主域 IO 组 2 的 IO 电源	1.8V	-0.3	2.2	V
VDDSHV2	主域 IO 组 2 的 IO 电源	3.3V	-0.3	3.8	V
VDDSHV3	主域 IO 组 3 的 IO 电源	1.8V	-0.3	2.2	V
VDDSHV3	主域 IO 组 3 的 IO 电源	3.3V	-0.3	3.8	V
VDDSHV4	主域 IO 组 4 的 IO 电源	1.8V	-0.3	2.2	V
VDDSHV4	主域 IO 组 4 的 IO 电源	3.3V	-0.3	3.8	V
VDDSHV5	主域 IO 组 5 的 IO 电源	1.8V	-0.3	2.2	V
VDDSHV5	主域 IO 组 5 的 IO 电源	3.3V	-0.3	3.8	V
VDDSHV6	主域 IO 组 6 的 IO 电源	1.8V	-0.3	2.2	V
VDDSHV6	主域 IO 组 6 的 IO 电源	3.3V	-0.3	3.8	V
VPP_CORE	内核电子保险丝域的电源电压范围		-0.3	1.89	V
VPP_MCU	MCU 电子保险丝域的电源电压范围		-0.3	1.89	V
USB0_VBUS^⁽⁹⁾	USB VBUS 比较器输入的电压范围		-0.3	3.6	V
USB1_VBUS^⁽⁹⁾	USB VBUS 比较器输入的电压范围		-0.3	3.6	V
所有失效防护 IO 引脚的稳态最大电压		I2C0_SCL、I2C0_SDA、I2C1_SCL、I2C1_SDA、WKUP_I2C0_SCL、WKUP_I2C0_SDA、MCU_I2C0_SCL、MCU_I2C0_SDA、EXTINTn	-0.3	3.8	V
		MCU_PORz、PORz	-0.3	3.8	V
		VMON_IR_VEXT	-0.3	2.2	V
		VMON_ER_VSYS⁽⁷⁾⁽⁸⁾	-0.3	1.05	V
所有其他 IO 引脚的稳态最大电压⁽³⁾		所有其他 IO 引脚	-0.3	IO 电源电压 + 0.3	V
IO 引脚的瞬态过冲和下冲规格		20% 的 IO 电源电压在信号周期的 20% 以内图 6-1（请参阅 IO 瞬态电压范围）		0.2 × VDD⁽⁶⁾	V
闩锁性能，II 级 (125°C)⁽⁴⁾		电流测试	-100	100	mA
闩锁性能，II 级 (125°C)⁽⁴⁾		过压 (OV) 测试	不适用	1.5 × VDD⁽⁶⁾	V
T_STG^⁽⁵⁾		贮存温度	-55	+150	°C

(1) 超出绝对最大额定值下列出的应力可能会对器件造成永久损坏。这些列出的值仅是应力额定值，并不表示器件在这些条件下以及在节 6.4“建议运行条件”以外的任何其他条件下能够正常运行。长时间处于绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。

(2) 除非另有说明，否则所有电压值均以其关联的 VSS 或 VSSA_x 为基准。

(3) 此参数适用于所有不具有失效防护功能的 IO 引脚，该要求适用于所有 IO 电源电压值。例如，如果施加到特定 IO 电源的电压为 0V，则由该电源供电的任何 IO 的有效输入电压范围将为 –0.3V 至 +0.3V。每当外设不是由用于为相应 IO 电源供电的相同电源供电时，都应特别注意。所连接的外设绝不能提供超出有效输入电压范围的电压（包括电源斜升和斜降序列），这一点很重要。

(4) 对于电流脉冲注入：
引脚应力符合 JEDEC JESD78E（II 级），并施加额定 I/O 引脚注入电流和钳位电压（最大推荐 I/O 电压的 1.5 倍和最大推荐 I/O 电压的负 0.5 倍）。
对于过压性能：
电源应力符合 JEDEC JESD78E（II 级）并施加额定电压注入。

(5) 对于卷带包装，贮存温度范围为 [–10°C；+50°C]，最大相对湿度为 70%。TI 建议在使用前恢复到环境室温。

(6) VDD 是 IO 相应电源引脚上的电压。

(7) 需要一个外部电阻分压器来创建 VMON 输入值，当 V_SYS 电平达到最小允许阈值时，该值在 V_TH = 0.45 时触发。建议使用至少为 10kΩ 的串联电阻 R2 (VMON_ER_VSYS = V_SYS × R1 / (R1 + R2)) 来限制电流。

(8) VMON_ER_VSYS 引脚提供了一种监测系统电源的方法。更多信息，请参阅节 8.3.5“系统电源监测设计指南”。

(9) 需要使用外部电阻分压器来限制施加到该器件引脚的电压。有关更多信息，请参阅节 8.3.4 USB VBUS 设计指南。

失效防护 IO 终端的设计使其不依赖于相应的 IO 电源电压。这样便可在相应 IO 电源关闭时，将外部电压源连接到这些 IO 终端。I2C0_SCL、I2C0_SDA、I2C1_SCL、I2C1_SDA、DDR_FS_RESETn、NMIn、VMON_ER_VSYS 和 VMON_IR_VEXT 是仅有的失效防护 IO 端子。所有其他 IO 终端都不具有失效防护功能，对其施加的电压应限制为节 6.1中的所有 IO 引脚的稳态最大电压参数定义的值。

A. T_overshoot + T_undershoot < T_period 的 20%

图 6-1 IO 瞬态电压范围