ZHCSV58M July   1999  – March 2024 SN65LVDS1 , SN65LVDS2 , SN65LVDT2

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件选项
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 驱动器电气特性
    6. 6.6 接收器电气特性
    7. 6.7 驱动器开关特性
    8. 6.8 接收器开关特性
    9. 6.9 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 SN65LVDS1 特性
        1. 8.3.1.1 驱动器输出电压和上电复位
        2. 8.3.1.2 驱动器失调电压
        3. 8.3.1.3 可耐受 5V 输入
        4. 8.3.1.4 NC 引脚
        5. 8.3.1.5 驱动器等效原理图
      2. 8.3.2 SN65LVDS2 和 SN65LVDT2 特性
        1. 8.3.2.1 接收器开路失效防护
        2. 8.3.2.2 接收器输出电压和上电复位
        3. 8.3.2.3 共模范围与电源电压
        4. 8.3.2.4 通用比较器
        5. 8.3.2.5 接收器等效原理图
        6. 8.3.2.6 NC 引脚
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 在 VCC < 1.5V 条件下运行
      2. 8.4.2 在 1.5V ≤ VCC < 2.4V 条件下运行
      3. 8.4.3 在 2.4V ≤ VCC < 3.6V 条件下运行
      4. 8.4.4 SN65LVDS1 真值表
      5. 8.4.5 SN65LVDS2 和 SN65LVDT2 真值表
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 点对点通信
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计过程
          1. 9.2.1.2.1  驱动器电源电压
          2. 9.2.1.2.2  驱动器旁路电容
          3. 9.2.1.2.3  驱动器输入电压
          4. 9.2.1.2.4  驱动器输出电压
          5. 9.2.1.2.5  介质互连
          6. 9.2.1.2.6  PCB 传输线路
          7. 9.2.1.2.7  端接电阻器
          8. 9.2.1.2.8  驱动器 NC 引脚
          9. 9.2.1.2.9  接收器电源电压
          10. 9.2.1.2.10 接收器旁路电容
          11. 9.2.1.2.11 接收器输入共模范围
          12. 9.2.1.2.12 接收器输入信号
          13. 9.2.1.2.13 接收器输出信号
          14. 9.2.1.2.14 接收器 NC 引脚
      2. 9.2.2 应用曲线
      3. 9.2.3 多点通信
        1. 9.2.3.1 设计要求
        2. 9.2.3.2 详细设计过程
          1. 9.2.3.2.1 介质互连
        3. 9.2.3.3 应用曲线
  11. 10电源相关建议
  12. 11布局
    1. 11.1 布局指南
      1. 11.1.1 微带与带状线拓扑
      2. 11.1.2 电介质类型和电路板结构
      3. 11.1.3 建议的堆叠布局
      4. 11.1.4 引线间距
      5. 11.1.5 串扰和接地反弹最小化
      6. 11.1.6 去耦
    2. 11.2 布局示例
  13. 12器件和文档支持
    1. 12.1 器件支持
      1. 12.1.1 其他 LVDS 产品
    2. 12.2 第三方产品免责声明
    3. 12.3 文档支持
      1. 12.3.1 相关信息
    4. 12.4 接收文档更新通知
    5. 12.5 支持资源
    6. 12.6 商标
    7. 12.7 静电放电警告
    8. 12.8 术语表
  14. 13修订历史记录
  15. 14机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • D|8
  • DBV|5
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

11.1.6 去耦

高速器件的每个电源或接地引线都应通过低电感路径连接到 PCB。为了获得更好的结果，应使用一个或多个过孔将电源或接地引脚连接到附近的平面。理想情况下，过孔放置在与该引脚紧邻的位置，以避免增加布线电感。电源平面放置在更靠近电路板顶部的位置可以减小有效过孔长度及其相关电感。

SN65LVDS1 SN65LVDS2 SN65LVDT2 低电感、高电容电源连接图 11-6 低电感、高电容电源连接

旁路电容器应靠近 VDD 引脚放置，可方便地放置在角落附近或封装下方，从而更大限度地减小环路面积。这会扩展所增加电容的有用频率范围。应使用小尺寸电容器（例如 0402 甚至 0201）或 X7R 表面贴装电容器来尽可能减小电容器的体电感。每个旁路电容器均通过与电容器焊盘相切的过孔连接到电源平面和接地平面，如图 11-7(a) 所示。

尺寸为 0402 的 X7R 表面贴装电容器具有大约 0.5nH 的体电感。在高于 30MHz 左右的频率下，X7R 电容器充当低阻抗电感器。为了将工作频率范围扩展到几百 MHz，通常并联使用一系列不同容值的电容器，例如 100pF、1nF、0.03µF 和 0.1µF。最有效的旁路电容器可使用夹在电源和接地之间的 2mil 至 3mil 隔层来构建。使用 2mil FR4 电介质时，PCB 的每平方英寸电感约为 500pF。如需了解一些示例，请参阅图 5-1。许多高速器件都在封装的背面提供低电感 GND 连接。该中心 DAP 必须通过一组过孔连接到接地平面。过孔阵列可降低接地的有效电感，并提高小型表面贴装技术 (SMT) 封装的热性能。在 DAP 连接的周边放置过孔可确保适当的散热并尽可能降低芯片温度。使用两个 GND 平面将高性能器件放置在 PCB 的相对侧（如图 9-3 所示）会创建多条热传递路径。通常，PCB 热问题是一个器件向另一个器件传递热量而导致的，从而导致局部温度非常高。存在多条热传递路径可以更大限度地降低这种可能性。虽然 GND DAP 对散热非常重要，但是在许多情况下，由于焊盘与 DAP 之间的间距不足，该 DAP 导致无法实现最佳去耦布局，如图 11-7(b) 所示。发生这种情况时，将去耦电容器放置在电路板的背面可以尽可能地减少额外的电感。重要的是，将 VDD 过孔尽可能靠近器件引脚放置，同时仍能提供足够的阻焊层覆盖区域。如果过孔保持开放状态，焊料可能从焊盘流入过孔套管。这将导致焊接连接不良。

SN65LVDS1 SN65LVDS2 SN65LVDT2 典型去耦电容布局图 11-7 典型去耦电容布局