ZHCSLX9C July   2023  – July 2025 DRV8262

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
      1. 5.4.1 瞬态热阻抗和电流能力
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1  概述
    2. 6.2  功能方框图
    3. 6.3  特性说明
      1. 6.3.1 展频
    4. 6.4  器件运行模式
      1. 6.4.1 双路 H 桥模式 (MODE1 = 0)
      2. 6.4.2 单路 H 桥模式 (MODE1 = 1)
    5. 6.5  电流检测和调节
      1. 6.5.1 电流检测和反馈
      2. 6.5.2 电流调节
        1. 6.5.2.1 混合衰减
        2. 6.5.2.2 智能调优动态衰减
      3. 6.5.3 使用外部电阻器进行电流检测
    6. 6.6  电荷泵
    7. 6.7  线性稳压器
    8. 6.8  VCC 电压电源
    9. 6.9  逻辑电平、三电平和四电平引脚图
    10. 6.10 保护电路
      1. 6.10.1 VM 欠压锁定 (UVLO)
      2. 6.10.2 VCP 欠压锁定 (CPUV)
      3. 6.10.3 逻辑电源上电复位 (POR)
      4. 6.10.4 过流保护 (OCP)
      5. 6.10.5 热关断 (OTSD)
      6. 6.10.6 nFAULT 输出
      7. 6.10.7 故障条件汇总
    11. 6.11 器件功能模式
      1. 6.11.1 睡眠模式
      2. 6.11.2 工作模式
      3. 6.11.3 nSLEEP 复位脉冲
      4. 6.11.4 功能模式汇总
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 驱动有刷直流电机
        1. 7.1.1.1 有刷直流电机驱动器典型应用
        2. 7.1.1.2 功率损耗计算 - 双路 H 桥
        3. 7.1.1.3 功率损耗计算 - 单路 H 桥
        4. 7.1.1.4 结温估算
        5. 7.1.1.5 应用性能曲线图
      2. 7.1.2 驱动步进电机
        1. 7.1.2.1 步进驱动器典型应用
        2. 7.1.2.2 功率损耗计算
        3. 7.1.2.3 结温估算
      3. 7.1.3 驱动热电冷却器 (TEC)
    2. 7.2 电源相关建议
      1. 7.2.1 大容量电容
      2. 7.2.2 电源
    3. 7.3 布局
      1. 7.3.1 布局指南
      2. 7.3.2 布局示例
  9. 8 封装散热注意事项
    1. 8.1 DDW 封装
      1. 8.1.1 热性能
        1. 8.1.1.1 稳态热性能
        2. 8.1.1.2 瞬态热性能
    2. 8.2 DDV 封装
    3. 8.3 PCB 材料推荐
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.5 电气特性

典型值为 TA = 25°C 条件下的值。除非另有说明，否则所有限值都是推荐工作条件下的限值。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源电压（VM、DVDD）
IVM VM 工作电源电流 nSLEEP = 1，无负载，VCC = 外部 5V

5

8

 mA
nSLEEP = 1，无电机负载，VCC = DVDD

8.5

13
IVMQ VM 睡眠模式电源电流 nSLEEP = 0 3

8

 μA
tSLEEP 睡眠时间 nSLEEP = 0 至睡眠模式 120 μs
tRESET nSLEEP 复位脉冲 nSLEEP 低电平至清除故障 20 40 μs
tWAKE 唤醒时间 nSLEEP = 1 至输出转换 0.75 1 ms
tON 导通时间 VM > UVLO 至输出转换 0.8 1.3 ms
VDVDD 内部稳压器电压 无外部负载，6V < VVM < 60V 4.75 5 5.25 V
无外部负载，VVM = 4.5V

4.3

4.45

V
电荷泵（VCP、CPH、CPL）
VVCP VCP 工作电压 6V < VVM < 60V VVM + 5 V
f(VCP) 电荷泵开关频率 VVM > UVLO；nSLEEP = 1 360 kHz
逻辑电平输入（IN1、IN2、IN3、IN4、OCPM、MODE1、MODE2、nSLEEP）
VIL 输入逻辑低电平电压 0 0.6 V
VIH 输入逻辑高电平电压 1.5 5.5 V
VHYS 输入逻辑迟滞 100 mV
VHYS

_nSLEEP

 nSLEEP 逻辑迟滞

300

mV
IIL 输入逻辑低电平电流（MODE2 除外） VIN = 0V -1 1 μA
IIH 输入逻辑高电平电流（MODE2 除外） VIN = 5V 50 μA
RPU MODE2 内部上拉电阻

220

 kΩ

tPDH1

INx 高电平到 OUTx 高电平传播延迟

600

ns

tPDL1

 INx 低电平到 OUTx 低电平传播延迟

600

ns
三电平输入 (DECAY)
VI1 输入逻辑低电平电压 连接至 GND

0

0.6

V
VI2 输入高阻抗电压 高阻抗（>500kΩ 至 GND）

1.8

2

2.2

V
VI3 输入逻辑高电平电压 连接至 DVDD

2.7

5.5

V
IO 输出上拉电流

10.5

 μA
四电平输入 (TOFF)
VI1 输入逻辑低电平电压 连接至 GND 0 0.6 V
VI2 330kΩ ± 5% 至 GND 1 1.25 1.4 V
VI3 输入高阻抗电压 高阻抗（>500kΩ 至 GND） 1.8 2 2.2 V
VI4 输入逻辑高电平电压 连接至 DVDD 2.7 5.5 V
IO 输出上拉电流 10.5 μA
控制输出 (nFAULT)
VOL 输出逻辑低电平电压 IO = 5mA 0.3 V
IOH 输出逻辑高电平漏电流 -1 1 μA
电机驱动器输出（OUT1、OUT2、OUT3、OUT4）
RDS(ONH_DUAL) 双路 H 桥、高侧 FET 导通电阻

TJ = 25°C、IO = -5A

50

60

 mΩ
TJ = 125°C、IO = -5A

75

94

 mΩ
TJ = 150°C、IO = -5 A

85

 107 mΩ
RDS(ONL_DUAL) 双路 H 桥、低侧 FET 导通电阻 TJ = 25°C、IO = 5A

50

60

 mΩ
TJ = 125°C、IO = 5A

72

90

 mΩ
TJ = 150°C、IO = 5 A

80

 100 mΩ
RDS(ONH_SINGLE) 单路 H 桥、高侧 FET 导通电阻 TJ = 25°C、IO = -5A

25

 30 mΩ
TJ = 125°C、IO = -5A 38

47

 mΩ
TJ = 150°C、IO = -5A

43

54

 mΩ
RDS(ONL_SINGLE) 单路 H 桥、低侧 FET 导通电阻 TJ = 25°C、IO = 5A

25

 30 mΩ
TJ = 125°C、IO = 5A

36

45

 mΩ
TJ = 150°C、IO = 5 A

40

50

 mΩ

ILEAK

输出漏电流至 GND

睡眠模式，H 桥处于高阻态，VVM = 60V

300

 μA
tRF 输出上升/下降时间 IO = 5A，介于 10% 和 90% 之间

110

 ns

tD

输出死区时间

 VM = 24V，IO = 5A

300

ns
电流检测和调节（IPROPI、VREF）

AIPROPI

电流镜增益

212

 μA/A

AERR

电流镜比例误差

10% 至 20% 额定电流

-12

12

%

20% 至 40% 额定电流

-7

7

40% 至 100% 额定电流

-4

4

IVREF

VREF 漏电流

VREF = 3.3V

30

 nA
tOFF PWM 关断时间 TOFF = 0 7 μs
TOFF = 1 16
TOFF = Hi-Z 24
TOFF = 330kΩ 至 GND 32

tDEG

 电流调节抗尖峰脉冲时间

0.5

 μs

tBLK

电流调节消隐时间

1.5

 μs
保护电路
VUVLO VM UVLO 锁定 VM 下降 4.1 4.25 4.35 V
VM 上升 4.2 4.35 4.45
VCCUVLO VCC UVLO 锁定

VCC 下降

2.7

2.8

2.9

V

VCC 上升

2.8

2.9

3.05
VUVLO,HYS 欠压迟滞 上升至下降阈值 100 mV
VCPUV 电荷泵欠压 VCP 下降 VVM + 2 V
IOCP 过流保护，DDW 封装 双路 H 桥，流经任何 FET 的电流，DDW 封装

8

 A
单路 H 桥，流经任何 FET 的电流，DDW 封装

16

 A
IOCP 过流保护，DDV 封装 双路 H 桥，流经任何 FET 的电流，DDV 封装

16

A
单路 H 桥，流经任何 FET 的电流，DDV 封装

32

A
tOCP 过流检测延迟

2.1

 μs

tRETRY

过流重试时间

4.1

ms
TOTSD 热关断 内核温度 TJ 150 165 180 °C
THYS_OTSD 热关断迟滞 内核温度 TJ 20 °C
(1) 经设计验证。
DRV8262 IPROPI 时序图图 5-1 IPROPI 时序图