ZHCSLX9A july   2023  – july 2023 DRV8262

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
      1. 6.4.1 瞬态热阻抗和电流能力
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1  概述
    2. 7.2  功能方框图
    3. 7.3  特性说明
    4. 7.4  器件运行模式
      1. 7.4.1 双路 H 桥模式 (MODE1 = 0)
      2. 7.4.2 单路 H 桥模式 (MODE1 = 1)
    5. 7.5  电流检测和调节
      1. 7.5.1 电流检测和反馈
      2. 7.5.2 电流调节
        1. 7.5.2.1 混合衰减
        2. 7.5.2.2 智能调优动态衰减
      3. 7.5.3 使用外部电阻器进行电流检测
    6. 7.6  电荷泵
    7. 7.7  线性稳压器
    8. 7.8  VCC 电压电源
    9. 7.9  逻辑电平、三电平和四电平引脚图
    10. 7.10 保护电路
      1. 7.10.1 VM 欠压锁定 (UVLO)
      2. 7.10.2 VCP 欠压锁定 (CPUV)
      3. 7.10.3 逻辑电源上电复位 (POR)
      4. 7.10.4 过流保护 (OCP)
      5. 7.10.5 热关断 (OTSD)
      6. 7.10.6 nFAULT 输出
      7. 7.10.7 故障条件汇总
    11. 7.11 器件功能模式
      1. 7.11.1 睡眠模式
      2. 7.11.2 工作模式
      3. 7.11.3 nSLEEP 复位脉冲
      4. 7.11.4 功能模式汇总
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 驱动有刷直流电机
        1. 8.1.1.1 有刷直流电机驱动器典型应用
        2. 8.1.1.2 功率损耗计算 - 双路 H 桥
        3. 8.1.1.3 功率损耗计算 - 单路 H 桥
        4. 8.1.1.4 结温估算
        5. 8.1.1.5 应用性能曲线图
      2. 8.1.2 驱动步进电机
        1. 8.1.2.1 步进驱动器典型应用
        2. 8.1.2.2 功率损耗计算
        3. 8.1.2.3 结温估算
      3. 8.1.3 驱动热电冷却器 (TEC)
  10. 9 封装散热注意事项
    1. 9.1 DDW 封装
      1. 9.1.1 热性能
        1. 9.1.1.1 稳态热性能
        2. 9.1.1.2 瞬态热性能
    2. 9.2 DDV 封装
    3. 9.3 PCB 材料推荐
  11. 10电源相关建议
    1. 10.1 大容量电容
    2. 10.2 电源
  12. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
  13. 12器件和文档支持
    1. 12.1 文档支持
      1. 12.1.1 相关文档
    2. 12.2 接收文档更新通知
    3. 12.3 支持资源
    4. 12.4 商标
    5. 12.5 静电放电警告
    6. 12.6 术语表
  14. 13机械、封装和可订购信息
    1. 13.1 卷带封装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.5.2 电流调节

可通过 VREF 电压 (VVREF) 与 IPROPI 输出电阻器 (RIPROPI) 设置电流斩波阈值 (ITRIP)。可通过将外部 RIPROPI 电阻器和 VVREF 之间的压降与内部比较器进行比较来执行此操作。

方程式 3. ITRIP × AIPROPI = VVREF (V)/RIPROPI (Ω)

例如，在双路 H 桥模式下，要将 ITRIP 设置为 5A，而 VVREF 为 3.3V，RIPROPI 必须为：

RIPROPI = VVREF/(ITRIP × AIPROPI) = 3.3/(5 × 212 × 10–6) = 3.09kΩ

在单路 H 桥模式下，将两个 IPROPI 引脚连接在一起。在双路 H 桥模式下，有两个 VREF 引脚，这允许为每个有刷直流电机设置单独的电流斩波阈值。

可以禁用内部电流调节，方法是将 IPROPI 绑定到 GND 并将 VREF 引脚电压设置为高于 GND 的值（如果不需要电流反馈）。如果需要电流反馈但不需要电流调节，则需要设置 VVREF 和 RIPROPI，使 VIPROPI 永远不会达到 VVREF 阈值。

GUID-20220608-SS0I-XT34-DGG9-WCP6VLXGDGSF-low.svg图 7-5 电流调节

流经电机绕组的电流由一个可调节关断时间的 PWM 电流调节电路进行调节。在 PWM 电流斩波期间，将启用 H 桥以驱动电流流过电机绕组，直至达到 PWM 电流斩波阈值。

当达到 ITRIP 电流时，对于单路 BDC 或双路 BDC 应用，在 DECAY 引脚接地的情况下，该器件通过启用两个高侧 FET 达到 tOFF 时间（由 TOFF 引脚编程）来强制进行慢速电流衰减。

当 tOFF 时间已过且电流电平降至电流调节 (ITRIP) 电平以下时，将根据输入重新启用输出。如果在 tOFF 时间过后，电流仍高于 ITRIP 电平，则器件将强制执行时间相同的另一个 tOFF 时间段。这一“双倍 tOFF”时间将持续，直至电流在 tOFF 时间结束时小于 ITRIP。

在电流调节过程中，可以切换输入以沿相反方向驱动负载，从而更快地衰减电流。例如，如果负载在进入电流调节之前处于正向驱动状态，则只有当驱动器强制执行电流调节时，负载才能进入反向驱动状态。

对于单路或双路 BDC 应用，DECAY 引脚应保持接地，以便在 tOFF 期间实现高侧慢速衰减。对于步进应用，DECAY 引脚电压应根据所需的衰减模式而定。由 DECAY 引脚来选择衰减模式，如表 7-7 所示。

表 7-7 衰减模式设置
DECAY 衰减模式

0

慢速衰减（制动或高侧再循环）
1 智能调优动态衰减
Hi-Z 混合衰减快 30%

如果 INx 控制引脚输入的状态在 tOFF 时间内发生变化，则 tOFF 时间的剩余部分将被忽略，输出将再次跟随输入。如图 7-6 中所示。

GUID-0FFB654F-8865-4FA5-B464-E48BDD910B04-low.gif图 7-6 电流调节

如表 7-8 所示，TOFF 引脚配置 PWM 关断时间。该器件支持动态更改关断时间。

表 7-8 关断时间设置
TOFF 关断时间 (tOFF)
0 7µs
1 16µs
Hi-Z 24µs
330kΩ 至 GND 32µs