ZHCSLX9A july 2023 – july 2023 DRV8262
PRODUCTION DATA
对于具有高侧再循环功能的 H 桥,每个 FET 的功率损耗近似值计算如下:
PHS1 = RDS(ON) × IL2
PLS1 = 0
PHS2 = [RDS(ON) × IL2 × (1 – D)] + [2 × VD × IL × tD × fPWM]
PLS2 = [RDS(ON) × IL2 × D] + [VM × IL × tRF × fPWM]
其中,
对于双路 H 桥模式下的 DRV8262,25°C 时该电阻通常为 50mΩ,150°C 时为 85mΩ。
tRF = 输出电压上升/下降时间
对于 DRV8262,上升/下降时间为 110ns
对于 DRV8262,该值为 1V
对于 DRV8262,该值为 300ns
在上面的公式中替换以下值:
VM = 24 V
IL = 4A
RDS(ON) = 50mΩ
D = 0.5
VD = 1V
tD = 300ns
tRF = 110ns
fPWM = 20kHz
每个 FET 中的损耗可按以下公式计算:
PHS1 = 50mΩ × 42 = 0.8W
PLS1 = 0
PHS2 = [50mΩ × 42 × (1 – 0.5)] + [2 × 1V × 4A × 300ns × 20kHz] = 0.448W
PLS2 = [50mΩ × 42 × 0.5] + [24 × 4A × 110ns × 20kHz] = 0.611W
静态电流损耗 PQ = 24V × 5 mA = 0.12W
PTOT = 2 × (PHS1 + PLS1 + PHS2 + PLS2) + PQ = 2 × (0.8 + 0 + 0.448 + 0.611) + 0.12 = 3.84W